通过脉冲测试，工程技术人员可以获得更多的器件信息，更准确地分析和掌握器件的行为特征。例如，利用脉冲测试技术可以对纳米器件进行瞬态测试，确定其转移函数，从而分析待测材料的特征。脉冲测试测量对于具有恒温限制的器件也是必需的，例如SOI器件、FinFET和纳米器件，可以避免自热效应，防止自热效应掩盖研究人员所关心的响应特征。器件工程师还可以利用脉冲测试技术分析电荷俘获效应。在晶体管开启后电荷俘获效应会降低漏极电流。随着电荷逐渐被俘获到栅介质中，晶体管的阈值电压由于栅电容内建电压的升高而增大；从而漏极电流就降低了。
脉冲测试为人们和研究纳米材料、纳米电子和目前的半导体器件提供了一种重要手段。
安捷伦科技日前宣布,推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脉冲参数测试仪,用来检定使用高级工艺技术(如65 nm技术节点)制造的器件。通过Agilent 4075和4076,半导体测试工程师可以同时测量RF特点和DC特点,以满足当前体积日益缩小的多样化半导体器件需求,如65 nm及更高工艺的超薄栅氧化物晶体管、绝缘体上硅(SOI)晶体管和高介电常数(高k)器件。体积缩小和器件速度提高,日益需要在生产过程中实现新的参数测试功能,而过去只有在实验室中才需要这些功能。Agilent 4075和4076为精确检定新的器件结构提供了所需的灵活性,如超薄栅氧化物MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)或通信应用中使用的高速半导体器件。通过先进的设计,Agilent 4075和4076支持10-ns短脉冲式IV测量,对热量或电荷异常灵敏的器件必需进行此类测量,如高速逻辑应用中使用的SOI晶体管和高介电常数晶体管。此外,Agilent 4076支持直到1 fA的超低电流测量功能。
“Agilent 4075和4076使广大客户能够高效检定使用65 nm工艺技术制造的先进器件,从而加快器件开发周期,改善产出。”安捷伦Hachioji半导体测试分部副总裁兼总经理Minoru Ebihara说,“由于高频脉冲式测量功能,这些系统有助于正确检定对热量灵敏的器件。”
与整个4070系列一样,Agilent 4075和4076支持300 mm SECS/GEM自动化协议,这些协议已经在世界各地的生产线中得到验证。SECS/GEM是半导体行业的标准,保证制造设备共享一致的界面和行为。
现代超薄栅MOSFET容易受到电子隧道的影响。为检定其电容和电压(CV)行为特点,测量频率必需超过几兆赫。但是,高频CV (HFCV)及实现检定必需的射频频率CV (RFCV)测量技术之间相互抵触。Agilent 4075和4076同时支持HFCV (4294A)仪器和RFCV (ENA/PNA)仪器,使得用户能够选择最佳方法,满足自己的工艺技术和生产测试需求。
Agilent 4075和4076都把高速电容测量单元(CMU)集成到测试头中。这一功能可以在1 kHz - 2 MHz频率范围内,对层间/层内氧化物非常快速地进行电容测量,从而改善吞吐量,降低测试成本。
通信应用和高速逻辑应用要求深入检定高速半导体器件的性能。Agilent 4075与4076皆支持利用PNA进行RF的S参数测试功能,相对于目前市面上使用VNA的解决方案,以PNA为主的RF解决方案可提供更高的产出速度。
诸如SOI或高k等最新的先进技术需要超短的脉冲测试能力,以防止产生有害的热量或电荷敏感效应。然而,生产测试系统的脉冲式测量能力却只限于测量微秒的范围。Agilent 4075与4076可提供短至10纳秒的超短脉冲式IV测量能力,能有效地测量SOI或高k晶体管等对热或电荷高度敏感组件的特性。
Agilent 4076还为生产测试提供了实验室测试功能。高级工艺通常要求在生产中精确测量各种参数,如MOSFET低于门限的泄漏电流和铜(Cu)金属Van der Paw电阻。这些测量要求异常精确的电流和电压测量分辨率,而此前只有实验室中才能提供这种分辨率。
Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脉冲式IV测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用。这种直接对接的设计可通过自动化的探针卡更换机制,让使用者轻易地控制和变换探针卡,而且这种RF直接对接的方式也不会减少任何的DC针脚。
诸如测量链接库和校准工具等 *** 作简易、采用图形化使用者接口的软件皆支持这些RF、HFCV和脉冲式IV测量功能。
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