砷化镓集成电路是以砷化镓(GaAs)半导体材料为基片制作的集成电路,其有源器件主要是金属基场效应晶体管和结型场效应晶体管,同时还包含了用高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管等器件所制的集成电路。
GaAs集成电路包括超高速集成电路、微波单片集成电路和光电集成电路。GaAs是一种重要的化合物半导体材料。GaAs集成电路与硅集成电路相比的优点是:电子迁移率比硅大5倍;GaAs工作温度范围宽,可以扩展到-70℃~300℃;抗辐照性能比硅高1~3个数量级。
GaAs集成电路主要应用于通信卫星、电视卫星接收机、移动通信、高清晰度电视、微波毫米波数字频率源、光通信、超高速率信号处理、微型超级计算机、高性能仪器、微波传感器以及国防军用电子装备等。
属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。
砷化镓,化学式 GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。
因为GaAs的晶体很稳定,所以如果身体吸收了少量的GaAs,其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程(磨GaAs晶圆使表面微粒变小)时,表面的区域会和水起反应,释放或分解出少许的As。
扩展资料砷化镓(GaAs)是一种很容易被人们提起的半导体材料,它与整个半导体产业密切关联,而这也是我国产业结构中最为薄弱的环节。随着5G的逐步到来,整个社会将进入万物互联的新阶段,半导体相关芯片、器件需求量将进一步爆发,将成为像基础能源一般的存在。
由于GaAs具有高频、低杂讯与低耗电等优良特性,能够应用在高频IC与光电材料上,手机、WLAN、光纤通讯、卫星通讯与太阳能电池均是其适用的领域,其中手机与无线通讯应用是其中占比较高的市场。
参考资料来源:百度百科-砷化镓
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