故障模式及影响分析工作表主要信息包括哪些内容

故障模式及影响分析（ 故障模式及影响分析（FMEA）工作表 ） 初始约定层次 代 产品 标号 或元 器件 码 位号 能 功 故 障 模 式 故 障 原 因 局部影响 高一层次影响 最终影响 产品研制阶段 故障影响 约定层次 故 障 检 测 方 法 补 偿 措 施 第 页共 严 酷 度 类 别 注 页 备 分析人员 审核 批准 填表日期 11 Q/ZX 23.004 - 1999 附录 A （标准的附录） FMEA 的目的与作用 A1 FMEA 的目的 通过 FMEA，可以找出设计中的缺陷和可靠性薄弱环节，特别是故障率高的单点故障， 采取补救或改进措施。 例如某一元件故障率较高且失效将导致严重后果， 就可以采取冗余技 术、 进一步降额、 改用可靠性等级更高的元器件或修改设计等措施 （包括设计、 工艺和管理） ， 以消除或减少故障发生的可能性，提高产品的可靠性。这是一种预防为主的设计思想，可以 及早的发现和解决问题。 A2 FMEA 的作用 A2.1 保证有组织的、系统的、全面的查明产品的一切可能的故障模式及其影响，对它们采 取适当的补救措施，或确定其风险已低于可以承受的水平。 A2.2 找出产品的“单点故障” 。如果单点故障出现的概率不是极低的话，则应在设计、工 艺、管理等方面采取切实有效的措施。 A2.3 为制定关键项目清单或关键项目可靠性控制计划提供依据。 A2.4 为可靠性设计、评定提供依据。 A2.5 揭示安全性设计的薄弱环节，为安全性设计提供依据。 A2.6 为元器件、材料、工艺的选用提供信息。 A2.7 为确定需要重点控制质量及生产工艺（包括采购、检验）的薄弱环节提供信息。 A2.8 为可测性设计、单元测试系统设计、维修保障设计、编写维修指南提供信息。 A2.9 为冗余设计、故障诊断、隔离及结构重组等提供信息。 A2.10 及早发现设计、工艺缺陷，以便提出改进措施。 A2.11 为同类产品的设计提供帮助信息。 A2.12 作为产品符合可靠性设计指标的一种反复、叠代的设计手段。 12 Q/ZX 23.004 - 1999 附录 B （标准的附录） 国产电子元器件工作状态失效模式及频率表 B1 电阻器 金属膜电阻器（功率 P≤2W） ：开路 91.9%；参数漂移 8.1%。 碳膜电阻器（功率 P≤2W） ：开路 83.4%；参数漂移 16.6%。 精密线绕电阻器：开路 97%；参数漂移 3%。 功率线绕电阻：开路 97.1%；参数漂移 2.9%。 B2 电位器 普通线绕电位器：接触不良 39.3%；短路 12.1%；开路 48.6%。 微调线绕电位器：接触不良 80%；短路 10%；开路 10%。 有机实芯电位器：接触不良 33.8%；短路 5.6%；开路 60.6%。 合成碳膜电位器：接触不良 40%；短路 8.7%；开路 34.2%；参数漂移 17.1%。 B3 电容器 纸和薄膜电容器：短路 74%；开路 13%；参数漂移 13%。 玻璃釉电容器：短路 53%；开路 25%；参数漂移 22%。 云母电容器；短路 83%；开路 10%；参数漂移 7%。 1、2 类瓷介电容器：短路 73%；开路 16%；参数漂移 11%。 固体钽电解电容器：短路 75%；参数漂移 25%。 铝电解电容器：短路 83%；开路 17%。 B4 感性元件 变压器：开路 40.2%；短路 28%；参数漂移 8.4%；其他 23.4%。 线圈：开路 39.4%；短路 18.3%；参数漂移 25.4%；其他 16.9%。 B5 B6 继电器 触点断开 44%；触点粘结 40%；参数漂移 14%；线圈短、断路 2%。 半导体分立器件 双极型晶体管：开路 42%；短路 38%；增益等性能的退化 20%。 场效应晶体管：开路 40%；短路 35%；电参数漂移 25%。 单结晶体管：开路 30%；短路 24%；电参数漂移 46%。 闸流晶体管：开路 20%；短路 15%；参数漂移 65%。 普通二极管：开路 50%；短路 17%；参数漂移 33%。 电压调整及电压基准二极管：开路 25%；短路 29%；参数漂移 46%。 微波二极管：开路 80%；短路 9%；参数漂移 11%。 变容、阶跃、隧道、PIN、体效应二极管：开路 50%；短路 7%；参数漂移 43%。 光电子器件：开路 25%；短路 20%；参数漂移 55%。 B7 半导体集成电路 双极数字电路：高输出（1）10%；低输出（0）15%；性能退化 50%；断路 20%；短路 5%。 MOS 型数字电路：性能退化 60%；断路 25%；短路 15%。 双极与 MOS 型模拟电路：阻塞 60%；断路 30%；短路 10%。 B8 混合电路 性能退化 40%；塌丝 20%；低温下不起动 20%；漏气 20%。 13 Q/ZX 23.004 - 1999 附录 C （标准的附录） 国外电子元器件工作状态失效模式及频率表 电阻器 碳膜、金属膜电阻器：开路 80%；阻值变化 20%。 合成固定电阻器：阻值变化 95%；其它 5%。 合成可变电阻器：工作不稳定 95%；绝缘失效 5%。 可变线绕电阻器：工作不稳定 55%；开路 40%；阻值变化 5%。 精密可变线绕电阻器：开路 70% ；噪声过大 25%；其他 5%。 热敏电阻：开路 95%；其他 5%。 C2 电容器 纸介固定电容器：短路 90%；开路 5%；其他 5%。 金属化纸介电容器：开路 65%；短路 30%；其他 5%。 玻璃和云母电容器：短路 70%；断路 15%；容量变化 10%；其他 5%。 陶瓷固定电容：短路 50%；容值变化 40%；开路 5%；其他 5%。 钽电解电容：开路 35%；短路 35%；漏电流过大 10%；容值降低 5%；其他 15%。 铝电解电容：开路 40%；短路 30%；漏电流过大 15%；容值降低 5%；其他 10%。 C3 感性元件 变压器：区间短路 80%；开路 5%；其他 15%。 线圈：绝缘变坏 75%；绕阻开路 25%。 C4 连接器 标准型连接器； 接触失效 30%； 材料变质 30%； 焊点机械失效 25%； 其他机械失效 15%。 一般连接器：短路（密封不良）30%；焊点机械失效 25%；绝缘电阻降低 20%；接触电 阻不良 10%；其他机械失效 15%。 级间插座：短路 30%；焊接头机械失效 25%；绝缘电阻蜕化 20%；接触电阻变大 10%； ； 其他 15%。 C5 开关 旋转开关；间隙接触 90%；其他 10%。 拨动式开关：d簧疲劳 40%；间隙接触 50%；其他 10%。 C6 半导体分立器件 硅和锗二极管：短路 75%；间断接通 18%；开路 6%；其他 1%。 锗和硅晶体管：CB 漏电流过大 59%；CE 击穿电压过低 37%；引线开路 4%。 C7 集成电路 中小规模 CMOS 电路：污染 34%；开路 19%；球形键合缺陷 11%；外界微粒 4%； 铝/金柯肯代尔砂眼 4%； 铝引线键合缺陷 4%； 氧化层短路 4%； 漂移 10%；短路 2%；氧化层短路 2%；小片键合缺陷 2%；电 阻性结 2%；盖帽密封缺陷 2%。 线性组件：氧化物缺陷 31%；引线键合缺陷 19%；扩散缺陷 16%；表面逆温层 13%； 小片键合 3%；引线失效 6%，其他 12%。 C8 其他电子产品 磁控管：窗口击穿 20%；阴极蜕化 40%；放气 30%；其他 10%。 超小型电子管：蜕化 90%；损坏 10%。 石英晶体：开路 80%；不振荡 10%；其他 10%。 指示灯：烧断 75%；性能蜕化 25%。 白炽灯：性能退化 90%；灯丝断、玻璃碎 10%。 C1 14

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