什么是nwell和pwell？

nmos的B端是pwell，而pwell和psub是同一种注入类型，可以认为，它们是连在一起的，但衬底的电阻大，所以一般在nmos的周围打上p型的衬底接触来提升管子的性能就是在双阱工艺中，除了nwell就是pwell 北大青鸟中博学费标准，合肥北大青鸟学费一览表值得一看的北大青鸟相关信息推荐北大青鸟学费，北大青鸟学费全国统一收费!北大青鸟学费与学习课程，周期，点击网站与老师咨询交流，查看适合您的课程学费标准。合肥云登职业培训学校广告北大青鸟学费要好多，潮流新品，好货热卖，更多优惠尽在淘宝!关注北大青鸟的人也在看北大青鸟学费要好多，购物上淘宝，优选材质，用的舒心!在线下单，省时省力。你要的好货尽在淘宝网，安心享受网购乐趣!杭州易宏广告有限公司广告更多专家什么是nwell和pwell？专家1对1在线解答问题5分钟内响应 | 万名专业答主马上提问最美的花火 咨询一个家居问题，并发表了好评lanqiuwangzi 咨询一个家居问题，并发表了好评garlic 咨询一个家居问题，并发表了好评188****8493 咨询一个家居问题，并发表了好评篮球大图 咨询一个家居问题，并发表了好评动物乐园 咨询一个家居问题，并发表了好评AKA 咨询一个家居问题，并发表了好评— 为你推荐更多精彩内容 —

理论上，P衬底或N衬底都可以。

实际上，自由电子的迁移率是空穴的三倍，因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话，通过电流能力要强得多。另外，从控制角度而言，NMOS可以用正电压开启，使用起来比较方便，而PMOS需要用到负电压，就不那么方便了。

因此常见的功率型MOS管都是N型，PMOS有，比如IRF9540等，但种类比较少，价格也贵一些。

P型半导体又叫空穴型半导体，在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼、铝)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。由于硼或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 N型半导体又称为电子型半导体，在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。由于磷原子周围有5个价电子，与周围4价硅原子配位共价键外还有一个多余电子，形成自由电子。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。 在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。 在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区。由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。 PN结存在结电容，因此PN结的单向导电性有个允许的最高工作频率。结电容越小，允许的工作频率越高。

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