随着技术的升级,芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小,器件耐压值由600V升至 7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电, 以及新兴的电动汽车、新能源发电等领域。
IGBT测试难点:
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。
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