bgbm工艺全称

半导体bgbm。

1、BG：是背面减薄(BacksideGridding)，采用In-Feed削磨的方式，将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能，减小封装体积，及划片加工量。

2、BM：是背面金属化(BacksideMetallization)，使用电子束产生高温蒸发金属，使金属原子在真空中直线运动，沉积在晶圆上，实现晶圆背面金属化。

工序分前道后道，前道主要有BG/DP（背磨），DA（贴die），WB（金线键合），后道有MD（注塑），BM（植球，用solder ball），SS（切单）。具体的还得根据不同的产品，以上是BGA产品。Plasma是电浆清洗，不能算大工序，前后道都会有用。

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