但可以在p型衬底上,通过掺杂形成N阱。同理也可以在但可以在N型衬底上,通过掺杂形成p阱。
N型半导体就是导电载流子是电子,P型半导体就是导电载流子是空穴。N型半导体中之所以是电子导电是因为其在本征半导体基础上进行了施主掺杂(例如在本征Si中掺入5价的磷元素) 而P型半导体中之所以是空穴导电是因为其在本征半导体基础上进行了授主掺杂(例如在本征Si中掺入3价的硼元素) Si为4价所以假设要想把磷掺杂量为X的N型半导体转为P型当然就是在此N型半导体中掺入大于X量的磷(当然具体掺杂量与工艺及材料有关)半导体的掺杂等工艺要在超净间中进行,掺杂是半导体工艺中的一步,主要的掺杂方法有离子注入和热扩散在不考虑除杂质以外的因素,掺入(可以是用扩散的办法、也可以使用离子注入)比原来的n型杂质更多的p型杂质进行补偿就可以了。如果考虑其他因素(如位错、界面态等),可能在掺入p型杂质后半导体并不显p型,这时可能要进行退火或其他处理(如GaN中掺Mg,就需要用H处理)。
另外掺入的不一定是三族元素。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)