为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V,

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区自由电子浓度一负一正,结果形成扩散势.扩散势的数值与材料和掺杂浓度有关.对于硅,掺杂浓度百万分之一时,扩散势就是大约0.7V.扩散势计算,可以阅读半导体物理学著作及模拟电子技术教科书.pn结即三极管发射结导通后,0.7V扩散势就作为正向压降即发射结压降体现出来. 晶体管集电极电流首先降落在电阻Rc或者Re上,其次才落在晶体管集电极与发射极上.由于Ic或Rc比较大,Rc压降比较大,结果晶体管集电极与发射极压降很小了,就是晶体管饱和.饱和时Uce不应总是0.3V.小功率管也可能是0.1V,大功率管还可能是1V.

这个东西不是嘴巴说的，而是从三极管的输出特性曲线上查出来的。三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来，虽然不同器件之间曲线有所不同，但总体上的规律与书上的图是一样的。你随便找本摸电书看看，查一下三极管的输出特性曲线，从曲线上，可以清楚地找到饱和区和放大区，仔细看一下曲线的左边部分，你可以看到，在放大区，曲线基本上都散开，而越靠近饱和区，曲线越集中，最后汇成一条线，也就是所谓的饱和线（饱和区实际上更像一条线，而书中饱和区左边往往有一些空白部分，这部分，其实三极管的电气性能根本就到不了），这部分曲线对应的横坐标，是不是在UCE上都比较小？现实中，三极管的饱和和放大界限不是像开关那样有很清晰的界限，而是一种逐步过渡的过程。你说的UCE等于0，这是在理想状态下的说法。实际上，更多地是使用UCE（SAT）（临界饱和电压）来描述饱和和放大的界限，小于这个值就可以认为是饱和（当然还可以使用其他工程估算值）。比较常用的是小功率三极管UCE（SAT）=0.7V，大功率一般为2-3V。当UCE小于这个值时，可以认为三极管开始饱和（注意，饱和是一个过程，有深浅之分，UCE越小，饱和程度越深）。在工程计算时，我们一般不会按照UCE=0来计算（小功率三极管），而是用UCE=0.3V，这样更贴近实际。当然，你在学习过程中，可以简单认为饱和时UCE=0，这是一种很理想的状态，实际是不可能达到的。模电就是这样，大量地需要经验和估算，即便同样学过模电，理解程度也有深浅之分。对于新手来说，如何区分理想与实际的关系，如何去估算参数，确实比较困难，这也是模电学习中有名的难点。

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