p型半导体掺入3价元素。是硼、铟、镓等。在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。
要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。
对于Ⅳ族元素:
半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。
在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子,在这类半导体的导电中起主要作用。
掺加7价无法保障单晶结构的完整性。半导体的掺杂,以硅为例。一般掺入三价的原子(如硼)使之成为P型半导体,或掺入五价的原子(如磷)使之成为N型半导体。从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的。p型半导体掺加7价无法最大限度地保持原来单晶结构的完整性,所以pp型半导体一般掺入三价和五价的原子素。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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