在半导体工业中，有一道工序叫烧氢．烧氢的工艺流程如图所示．工作时，是将石英管D出口处氢气点燃．半导

（1）制备半导体材料应在氢气的还原性环境中进行，反应中要杜绝氧气的存在，氢气首先通过热的铜屑，以除去氢气中的氧气，涉及反应有2Cu+O2

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2CuO，CuO+H2

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Cu+H2O，最终氧气和氢气反应生成水而被除去，

故答案为：除去氧气；2Cu+O2

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2CuO；CuO+H2

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Cu+H2O；

（2）B中生成水，为防止水吸收热量而导致D中温度较低，应在C中用碱石灰或无水氯化钙吸收水，

故答案为：无水CaCl2（或碱石灰等）；吸收水蒸气；

（3）点燃氢气前将E（带导管胶塞）接在D的出口处，可由于氢气的点燃，可用于检验氢气的纯度，防止氢气不纯而爆炸，故答案为：检验氢气纯度；

（4）A是安全瓶，填装铜屑，可吸收热量，降低温度，可以防止氢气燃烧回火，引起爆炸，故答案为：大量铜屑可以吸收热量，降低温度．

对于无工作经验的应届生，一般面试问题主要是是否在学校内做过项目、毕业设计内容，理论方面的话也就是一些基础性的知识。

主要还是看面试官对你的感觉吧，如果感觉老实可靠，水平不是太差就没问题的。

A：两个离子的质量相同，其带电量是1：3的关系，所以由 a= qU md 可知其在电场中的加速度是1：3，故A错． B：要想知道半径必须先知道进入磁场的速度，而速度的决定因素是加速电场，所以在离开电场时其速度表达式为： v= 2qU m ，可知其速度之比为： 1： 3 ．又由 qvB=m v 2 r 知 r= mv qB ，所以其半径之比为 3 ：1 ，故B正确． C：由B的分析知道，离子在磁场中运动的半径之比为： 3 ：1 ，设磁场宽度为L，离子通过磁场转过的角度等于其圆心角，所以有 sinθ= L R ，则可知角度的正弦值之比为 1： 3 ，又P + 的角度为30 0 ，可知P +3 角度为60 0 ，故C正确． D：由电场加速后： qU= 1 2 m v 2 可知，两离子离开电场的动能之比为1：3，故D正确． 故选B，C，D．

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