SGT工艺场效应MOS管是什么原理？

中文全称：屏蔽栅沟槽。英文全称：Shield Gate Trench。 海飞乐技术屏蔽栅/分立栅MOSFET技术(Shield Gate Trench MOSFET)，MOS器件第一个深沟槽(Deep Trench)作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻(RSP)和栅极电荷(Qg)。第二个源极沟槽(Source Trench)作为有源区接触电极，该设计能减小原胞尺寸(Pitch Size)和改善器件比导通电阻，有利于提高器件高温、大电流能力及EAS能力。第三个栅极沟槽(Gate Trench)作为有栅极接触电极，该设计能优化器件MOS工艺流程，降低产品生产成本，同时提高产品良率。

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某百科中介绍特老刚开始做这个的时候是为了与爱迪生OOXX，爱迪生说交流电危险，然后特老就做了个特斯拉线圈，让次级电流通过自己以反驳爱迪生的“谬论”。之后特老就开始向无线输电的方向发展了（特老的无线输电项目成功与否至今还是个迷），特老当年做的TC（特斯拉线圈缩写）都是SGTC（火花间隙特斯拉）。特老之所以厉害是他能在当年就能把SGTC调谐振。

现在特斯拉线圈的分支有很多，最简单的还是SGTC（不过效率低下，所以后来有了晶体管做开关元件的特斯拉线圈，效率大大提升）

OLTC（离线式特斯拉）

SSTC（固态特斯拉，这个的分支还有ISSTC，就是有灭弧的SSTC）

VTTC（电子管特斯拉）

DRSSTC（双谐振固态特斯拉）

如果想做的话做个小的SGTC很简单，成功率也很高（很容易出电弧，但是谐振很难调），如果你认识些卖原件的话，也花不了多少（100~300）不过这个只能拉电弧而且调谐振更会让你纠结好久。

如果想放音乐的话 CLASS-E 的HIFI SSTC也不错，不过需要电子基础

提醒“这个实验有一定的危险程度，请注意安全”

如果想做的话发邮件1050506719@qq.cm细聊