我们对于比亚迪的认知首先来自于 汽车 ,似乎和芯片没有半毛关系,其实比亚迪造芯片已经很久了,只是他主要研究的是 汽车 芯片,因此很少被媒体所关注。
提及芯片我们首先想到的就是华为与中兴,在遭受制裁之后,华为甚至要退出高端手机市场,可见对中国影响之大。华为在失去台积电之后,中芯国际也遭到美国的制裁,在14nm技术上恐怕也要受阻。
中芯国际在芯片技术上已经发展多年,2009年就在上海建设第一座芯片工厂,之后不断从国外引进先进技术,甚至与台积电等顶尖芯片巨头的差距不超过5年,然而在遭到美国制裁后,其芯片制造技术可能要倒退3-5年。
目前能够完全国产的芯片技术只有40nm技术,即使如此,良品率也不是很高。遭遇险境的时候,我们才发现,我们离先进的芯片技术差距依然很大。
早年中国的芯片技术并不落后,甚至和世界先进水平处于同一起跑线上。黄昆教授从英国回来之后开设了半导体物理学,中国之后的半导体人才济济,包括甘子钊、秦国刚、夏建白等好几位中国科学院士,均出自黄教授这里。之后在黄教授的主持下,我国建立了半导体超晶格国家重点实验室。
1957年,北京电子管厂,用还原氧化锗的方式,拉出了锗单晶。1983年把256位MOS随机存储器的最高批量成品率提高到了当时国内前所未有的水平。
所以早年我们的芯片技术并不落伍,可是随着国内局势动荡,国外已经形成了规模效应。尤其是中国台湾以及韩国,他们从国外直接引进最先进的晶圆生产线。台积电更是依靠为英特尔等企业代工,实现规模上的优势。
只要拥有足够的资本与人力,造出高端芯片只是时间问题,早年造芯片属于企业行为,在没有国家帮助下,很难有远大的“抱负”,在前期没有任何回报的情况下,很难一门心思地做芯片技术的研发。
芯片不属于开创性技术,属于工程性技术,也就是说只要花费足够的人力、物力、财力,没有攻克不了的难题。虽然芯片技术火热,但是芯片技术的从业人员工资普遍不高,随着制裁的加深,目前芯片人才的薪水待遇才有所提升,可以说是不幸中的万幸。
目前我们芯片研发,已经获得各级政府的大力支持,不但出台了优惠的土地、人才、税收政策,另外还承担了部分的前期投资,比如中芯国际武汉工厂,前期全部投资由政府负责,中芯国际负责后期运营工作,等时机成熟,中芯国际还可以回购股权。这为中芯国际减轻了债务的压力,能够实现快速投产。
所以只要我们有决心,芯片没有突破不了的技术。
首先说比亚迪造芯片不是心血来潮,起步时间比华为还要早,只是比亚迪早年一直关注 汽车 芯片,所以并没有进入大众的视野。
那么比亚迪的芯片技术如何呢?目前还处在非常初级的阶段,我们所说40nm、14nm、7nm是指芯片的制造工艺。晶体管之间的沟道越短,也就意味着传递信息速度越快,所以要想获得更高性能的芯片,因此要求芯片的制造技术越来越微小。
当然芯片是不可能一直小下去,当芯片小于原子直径,也就是0.1nm的时候,就要进入量子领域。我们所熟悉的物理学规律就会发生变化,比如我们最熟悉的牛顿万有引力就不好使了。
那么芯片是不是非要这么小呢?也不一定,其实我们把芯片造小的原因是想要更好的性能,如果性能能够达到,我们为什么还要造那么小的芯片呢?
目前硅谷Cerebras公司提出了大芯片技术概念,把现在手机当中存储、运算、图形处理等芯片都集成到一个芯片上,虽然单个芯片看上去增大了,但是手机所占体积并没有受到影响,甚至性能要超越之前的小尺寸纳米芯片。
我们知道芯片越小,出错的几率就会越大,大芯片可以有更多的空间,设计更多的冗余,减小芯片出错的概率。
目前比亚迪也是遵循这一思路,我们不会一味追求芯片的小尺寸,只要性能能够达到要求,就完全可以满足使用。
目前富士康也提出了造芯片的计划,而其完全是低端产业链的代工厂,这些年并没有在芯片上有所投入。所以虽然都是大型的制造企业,但是其本质差异还是非常大的,富士康依靠廉价的劳动力,而比亚迪依靠自身的技术积累。
颁奖辞:他一生都在科学的世界里探求真谛,一生都在默默地传递着知识的薪火,面对名利的起落,他处之淡然。他不仅以自己严谨和勤奋的科学态度在科学的领域里为人类的进步做出卓越的贡献,更以淡人物生平泊名利和率真的人生态度诠释了一个科学家的人格本质。
黄昆他好比现代的凤凰涅槃,从灰烬中飞起又成为世界领头的固体物理学家。(国际著名固体物理学家,德国马克斯普朗克协会固体物理研究所前所长卡多纳(M.Cardona)评)
黄昆不仅是一位优秀的科学家,也是一位优秀的教育家。他对新中国高等院校物理专业的发展做出了卓越贡献。他在普通物理课程体系、半导体物理教育体系以及固体物理等课程的教学建设方面做出了一系列奠基性工作,为国家培养了一大批优秀科技人才。(九三学社评)
黄昆先生是世界著名的物理学家,他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献,是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。黄昆先生一贯强调德才兼备,教书与育人相结合的教育原则,呕心沥血,教诲提携,以极大精力投入为国家培养科技人才的光荣事业,认为在中国培养一支科技队伍的重要性远远超过他个人在学术上的成就,堪称中国科学界的典范。黄昆先生为我们留下的不仅是一些举世瞩目的科学成果,还有在科学研究上不断创新、勇于探索的精神;不仅是一批批他所培养的科技事业的栋梁之才,还有严谨求实的治学态度和淡泊明志的高尚情 *** 。他对祖国的赤子之情,对事业的赤子之诚,对党的赤诚之心和高尚的情 *** 将垂范世人,启迪后学。秦国刚院士最后说, 作为黄昆先生的弟子,我们深切怀念这位半导体科学技术界的一代宗师和长期培养教诲我们中许多人的恩师,我们将沿着黄昆先生的足迹,在教学革命和推进科技进步的道路上阔步前进!(秦国刚院士评)
黄昆先生最重要的贡献就是创办五校联合半导体专门化,为国家的半导体科技事业培养了一批又一批栋梁英才,为创建和发展我国半导体科技和教育事业、从无到有地建立和发展半导体工业体系起到了开拓性作用。黄先生所倡导的自力更生、团结协作、以及多方争取教育资源等先进的教育思想永远值得我们学习和发扬。(复旦大学阮刚教授评)
“黄昆院士是中国科学界的典范,他呕心沥血,教诲提携。他严谨的治学风格培育出一批英才,他对祖国的赤子之情,对事业的赤子之诚,对党的赤诚之心和高尚的情 *** 将继续垂范世人,启迪后学。(彭桓武、戴元本、郝柏林、何祚庥评)
“岱色苍茫众山小,天容惨淡大星沉。物理学界不见君,院士行中少一人。”(叶培大院士评)
“黄先生带出了一大批我国半导体事业的骨干,桃李满天下。我本人的成长则是和黄昆先生从大学、研究生、一直到现在的教导分不开的。我将终生铭记。”(夏建白院士评)
黄昆先生做人、做科研求真务实,他那实事求是的精神、创新的思维和严谨的学风都值得我们学习。”虽然没有直接听过黄昆院士的课,但很多像李院士这样的大家,也尊敬地称“黄昆是我们的老师”。(微电子学家、清华大学李志坚院士评)
40年代首次提出固体中杂质缺陷导致 X光漫散射的理论(被誉为黄散射),证明了无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论的等价性,澄清了这方面的一些根本性问题。
他和学生详细分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴带的电子状态,发展了一种适用于超晶格结构的简单有效的计算方法,从而对量子阱和超晶格结构中空穴子带的性质、价带杂化和外加电场等对量子阱和超晶格中激子吸收的影响做了理论计算。他和学生系统研究了超晶格中的长波光学振动模式,指出流行的连续介电模型的结果是不对的,基于他在1951年提出的偶极振子晶格模型,他们提出了一个能描述迄今了解的实验事实的理论模型,得到了在一维和二维的量子系统中纵向光学振动和横向光学振动的类体模的正确描述。他们的这项工作对理解半导体超晶格的光学性质、光散射效应、电子和格波的相互作用起到了重要作用。黄昆与朱邦芬提出的超晶格光学声子模式,被称为“黄—朱模型”。
黄昆受到爱丁堡大学玻恩教授(M.Born)的赏识,被邀合著《晶格动力学》一书。这本专著至今仍是固体物理学领域的权威著作,从1975年至2001年3月,该书的英文版被引用5254次,俄文版被引用376次,平均每年200多次。
除了撰写《晶格动力学》,这段时间黄昆还连续完成了两项开拓性的学术贡献。一项是提出著名的“黄方程”和“声子极化激元”概念,另一项是与后来成为他妻子的里斯(A.Rhys,中文名李爱扶)共同提出的“黄-里斯理论”。他与妻子在1950年合写的这篇论文,至今仍是在这个领域工作的科学家们必引的经典文献。前不久检索发现,从1975年以来,这篇文章被他人在SCI刊物引用734次,其中1994年以后被引用240次,平均每年20多次。 1956年暑期,北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和吉林大学五校,在北京大学联合开办中国第一个半导体专业,黄昆任主任、谢希德为副主任。在黄昆、谢希德领导下,五校师生团结协作,先后开设了固体物理、半导体物理、半导体实验、半导体材料、晶体管电路、半导体器件等全面的半导体专业课程,并于1957年和1958年培养出200多名首批半导体专业毕业生。这些学生成为中国新兴半导体事业的第一批骨干,对中国从无到建立和发展半导体科学技术工业体系起了重要作用。随后,全国许多高校纷纷开设了半导体专业,还建立了研究所和生产半导体材料和器件的车间,使中国半导体学科和半导体技术独立自主地发展起来。 学生:秦国刚院士。 甘子钊、秦国刚、夏建白等好几位当选为中国科学院院士。
黄昆把自己的一生科学研究经历归结为:一是要学习知识,二是要创造知识。对做科学研究工作的人来讲,归根结底在于创造知识。而学习知识与创造知识,黄昆从自己的切身经历和观察别人的经验教训,归纳出两句名言:
(1)“学习知识不是越多越好,越深越好,而是要服从于应用,要与自己驾驭知识的能力相匹配。”
(2)“对于创造知识,就是要在科研工作中有所作为,真正做出点有价值的研究成果。为此,要做到三个‘善于’,即要善于发现和提出问题,尤其是要提出在科学上有意义的问题;要善于提出模型或方法去解决问题,因为只提出问题而不去解决问题,所提问题就失去实际意义;还要善于作出最重要、最有意义的结论。”这两句名言确实是黄昆的经验之谈,我们应当作座右铭而牢记。 提出固体中杂质缺陷导致X射线漫散射的理论,被称为“黄散射”,黄昆受到爱丁堡大学玻恩教授(M.Born)的赏识,被邀合著《晶格动力学》一书。这本专著至今仍是固体物理学领域的权威著作,与里斯共同提出了多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论;同期佩卡尔发表了相平行的理论,被国际上称为“黄-佩卡尔理论”或“黄-里斯理论”;提出了晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式,当时提出的方程,被称为“黄方程”;研究半导体量子阱超晶格物理。建立超晶格光学振动的理论,发表了后来被国际物理学界称为“黄-朱模型”的理论,多本国外的研究生教材详细介绍了这个理论。
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