为什么硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高

因为硅的禁带宽度比锗的大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。在通常情况下，要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度，所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以，硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高。

扩展资料：

半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV，到室温时即下降到1.12eV。

禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。

参考资料来源：百度百科-锗半导体

参考资料来源：百度百科-半导体禁带宽度

好。上海超硅半导体股份有限公司（曾用名：上海超硅半导体有限公司），成立于2008年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。松江超硅半导体普工待遇好，有福利金，有年终奖等，松江区，位于上海市西南部，历史文化悠久，有着“上海之根”的称呼。位于黄浦江上游，东与闵行区、奉贤区为邻，南、西南与金山区交界，西、北与青浦区接壤。

从事的工作主要包括：

（1）使用外延炉等设备，进行气体纯化、四氯化硅精馏，在单晶片上生长单晶层；

（2）使用高温炉，在半导体晶体表面制备氧化层，使杂质由晶片表面向内部扩散或进行其他热处理；

（3）使用离子注入设备，将掺杂材料的原子或分子电离加速到一定的能量注入到晶体，并退火激活；

（4）使用气相淀积设备，在衬底表面淀积一层固态薄膜；

（5）使用光刻机在半导体表面掩膜层上刻制图形；

（6）使用机械加工等设备，对晶片加工形成器件台面，并对表面作钝化保护；

（7）使用电镀设备，对晶片、半导体器件、集成电路、电级材料的某些部位进行镀覆。

下列工种归入本职业：

外延工，氧化扩散工，离子注入工，化学气相淀积工，光刻工，台面成型工，半导体器件、集成电路电镀工

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