P型半导体和N型半导体如何形成的？

一、N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

形成原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度。

二、P型半导体

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

扩展资料

特点：

（一）、N型半导体

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

（二）、P型半导体

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

参考资料来源：百度百科-N型半导体

参考资料来源：百度百科-P型半导体

P型半导体整体显电中性

你的理解遗漏了很重要的东西,仔细想想P型半导体中多子空穴的产生过程,受主杂质原子 碰原子接受一个电子,然后它周围产生了空穴,常温下,这些空穴都是电离的（即这些空穴脱离了碰原子的束缚,成为能够在整个半导体内移动的空穴）

好了, 您光想到了这些带正电的空穴, 那您就忘了与这些空穴对应的受主杂质原子吗? 它们都接受了一个电子,就成为了固定在晶格中不可移动的带负电的负离子.（这一点很关键）

1. 半导体内的正电荷是空穴,有两部分来源：受主杂质产生的（占绝大多数）和本征激发产生的（占少数）；

2. 负电荷 则是受主负杂质离子（数量很大,等于上面所述的第一部分空穴的数量）和电子（来源于本征激发,只占少数）

正电荷总数（多子空穴）=负电荷总数（少子电子+受主负离子）

半导体整体是电中性的

同样的道理,N型半导体也是如此,里面有大量的不可移动的带正电的施主正离子,负电荷总数（多子电子）=正电荷总数（少子空穴+施主正离子）

整体是电中性的

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