中国优先布局第三代半导体，其暂不能用做芯片，如此投入是为何呢？

国务院发布的《“十三五”国家科技创新规划》中，第三代半导体被列为国家面向2030年重大项目之一。厦门市也把第三代半导体产业列入着力培育的具有发展潜力的十大未来产业。近年来在中央和各地政府出台政策的大力支持下，以及伴随新能源、智能制造、人工智能、5G通信等现代产业兴起所带来的庞大市场需求的推动下，一大批行业龙头企业近年来纷纷展开大规模投资，以期赢得发展先机。目前国内厂商在第三代半导体有全产业链的布局，产业已呈现快速发展势头。

夯实第三代半导体产业基础

虽然第三代半导体有着诸多优异的性能，但它也不是“万用神丹”。例如，智能手机中的处理器、电脑中的CPU等，从目前看不太有可能换为第三代半导体材料，至少在相当长的时间里第三代半导体还不可能完全取代前两代。

第三代半导体是以宽禁带为标志，决定了它的制造难度不可能比前两代低，暂且不说它能否制成各种功能的替代芯片，就是生产同样功能的器件，第三代半导体对制造工艺和设备的要求也不可能更低，成本也难以更低。

第三代半导体无论是单晶生长、外延层生长还是器件制造，目前处于领先地位仍是美国、欧洲、日本。况且许多基础的半导体工艺技术是相通的，无论哪一代半导体都需要，而在这些基础方面人家比我们强，想跳过或绕过这些薄弱点弯道超车或换道超车，是不太现实且有风险的。

产业的发展有其自然规律，我们可以通过政策、资金等推动加快发展，而不应是光想着跳过、绕过或其他取巧的方式。要改变我们在半导体芯片方面的被动局面，光靠第三代半导体是不够的，更不是一朝一夕就能实现的，需要上游的材料和设备，中游的芯片设计、制造和封测，下游的应用等全产业链较长时期的共同努力，补上我们在半导体基础技术、工艺、设备等方面的短板，夯实基础，才有可能实现在第三代半导体突破性发展。

光子学产生产生太赫兹的方法有太赫兹光电导天线，光学整流，非线性差频等。光子学产生太赫兹的原理是利用激光脉冲激发一些窄带隙的半导体，由于其表明激发的载流子分布的纵向非对称性，会引起宏观的电荷运动，从而激发太赫兹辐射。太赫兹科学技术是近十几二十年发展起来的新的科学技术，其在物体成像、医疗诊断、宽带和卫星通讯等方面都有很大的应用价值，但是由于太赫兹波的产生和探测的技术尚未成熟，大大制约了其发展。

太赫兹的介绍

半导体太赫兹辐射源，半导体辐射太赫兹的原理可以归结为两个方面，即光生丹倍效应和表面电场效应，光生丹倍效应是利用激光脉冲激发一些窄带隙的半导体，由于其表明激发的载流子分布的纵向非对称性，会引起宏观的电荷运动，从而激发太赫兹辐射。

表面电场效应是对于某些带隙比较宽的半导体，其表面存在表面态，由于表面和内部的费米能级不一致，会产生表面电场，由于这个电场的存在，被激光激发的载流子会产生瞬态电流，从而形成太赫兹辐射。

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