半导体焊接为什还用高铅

对于功率半导体器件，芯片焊接材料必须在这些器件工作的较高温度下能够保持可靠焊接，同时为工作中的器件提供一个高导热的散热路径。如果芯片粘接材料能够承受比高铅焊料更高的工作温度，这将意味着它在宽禁带半导体器件如SiC功率二极管和晶体管应用中会有优势。由于更高的热导率、更高的击穿电压和更高的饱和载流子速度，SiC器件的功率密度可以实现大幅度增长。更宽禁带的SiC允许更高的结温，而不影响性能[1]。高铅焊料的传统冶金替代品如金锡共晶合金，有较高的作业温度，超过了半导体可以容忍的性能不退化温度；另一种替代品为填银的环氧树脂，但是这种环氧树脂又存在热导率不够的问题，不能保持芯片以最高效率工作所需的温度[1,2]。纳米颗粒具有较高的表面活性，这意味着将会有比块状银熔点961.8 ℃更低的熔点（图1），例如2.4 nm银子熔点为350 ℃[3]。这样的粒子外层在较低的温度下有类似于熔融状态的移动性，使它们在远低于传统的银粉烧结所需温度下，通过润湿和扩散彼此结合或与其他兼容材料相结合。虽然烧结过程中施加外部压力增加了粒子的接触面积，但是在纳米银粒子烧结中这并不是必须的。即使温度低于回流高铅焊料的温度，银表面的移动原子所产生的毛细管作用力也足以保证相邻粒子接触的润湿力。由于银比焊料具有更高的强度，实现本应用中所需的强度不要求高密度银。事实上，多孔结构较低的d性模量有利于减小热循环过程中由于热膨胀系数差异产生的芯片应力。当正确配制时，基于纳米银粒子的焊膏可在高铅焊料所要求的类似温度和更低的温度范围内形成可靠焊点。纳米银将高活性的纳米银粒子递送到焊接区域，并使其结合形成一个满足电气和热导率要求的结构强健的焊点，还是有许多挑战的。

电子制冷片，或者叫半导体制冷片，（行业名是叫温差电致冷组件），你看到“迷宫”是制冷片的晶粒（N、P型半导体：半导体致冷器是由特殊的N型和P型半导体组成。），饮水机上面用的有127对。

同压缩式、吸收式在制冷原理和设备方面均无相同之点。

晶粒制作材料：是以碳化轨为基体的三元固溶体合金，其中P型是因2丁e3－SbZ丁e3，N型是mZTe3-BiZSe3采用垂直区熔法提取晶体材料。

半导体致冷原理：

1.半导体致冷原理：把一个N型和P型半导体的粒子用金属连接片焊接而成一个电偶对。当直流电流从N极流向P极时，2.3端上产生吸热现象，此端称冷端而下面1.4端产生放热现象，此端称热端如果电流方向反过来，则冷热端相互转换。由于一个电偶产生热效应较小（一般约 IKcal／h）所以实际上将几十。上百对电偶联成的热电堆。所以半导体的致冷-一吸热示日放热是由载流子（电子和空穴）流过结点，由势能的变化而引起的能量传递这是半导体致冷的本质。

2.半导体致冷过程：电子由负极出发经过金属片--流向P点4--到P型-再流向P点3--结点金属片--从结点2--到达N型--再返过结点1--到达金属片回到电源正极。由于左半部是P型，导电方式是空穴，空穴流动方向与电子流动方向相反，所以空穴是结点3金属片--P型--结点4金属片--到电源负极。结点4金属中的空穴具有的能量低于P型中空穴能量，当空穴在电场作用下要从3到达P型，必须要增加能量，并把这部分势能转蛮为空穴的垫能．因而在结点3处的1金属被冷却下来，当空穴流向4时，金属片曲于P型中空穴能量太子金属中空穴的能量，因而要释放多余的势能，要将热放出来这4处的金属片是被加热。右半部是N型，与金属片联接是靠自由电子导电的，而在结点2金属中势能低于N型电子势能，当自由电子在电场作用1电子通过结点2到达N型时必然要增加垫能，这部分势能只能从金属片势能取得，同时必然使结点2金属片冷下来。当电子由N型流向结点1金属片时，由于电子从势能较高的地方流向势能低处，故要释放多余的垫能．并变成热能，在结点1处使金属片加热，是热端。

线路板焊接一般有三种方式：1. 焊接。以锡作为原料，通过热熔化的方式焊接。这种方式是目前用得最广的，成本也是较低的一种方式；一般借助于钢网，先印一层薄薄的锡膏，再通过回流方式实现焊接。2. 压接。压接不用锡，是以引脚直接压入插件孔内实现接通的一种方式；3. 邦定。一般用在密度很高的IC脚上，是一种借助于热压方式直接将导线与焊盘实现连接的方式。望采纳。

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