半导体氟化氢取样系统原理

原理是利用氟化氢气体，将半导体表面的氧原子进行氧化。根据相关信息查询，分离出氟化物层，这也是一种膜，用来把半导体材料与环境隔离开来，从而保护半导体材料不受外界环境影响，提高其稳定性。

（1） （2分）     sp 3 (1分) （2）4NH 3 +3F 2  Cu  NF 3 +3NH 4 F（2分） （3）Al 3+   (1分)   6 （1分） 黄（1分）  激发态的电子从能量较高的轨道跃迁到能量较低的轨道时，以一定波长（可见光区域）光的形式释放能量。（2分）

略

（1）F2和过量的NH3反应生成NF3和NH4F，反应的方程式为3F2+4NH3

Cu  .

NF3+3NH4F，NF3中含有3个δ键，且孤电子对数为

5?3

2

=1，则应为sp3杂化，空间构型为三角锥形，

故答案为：3F2+4NH3

Cu  .

NF3+3NH4F；sp3杂化；三角锥形；

（2）由于非金属性N＜F，则HF更稳定，故答案为：＜；

（3）N3-含有3个原子和22个电子，价电子总数为16，则对应的等电子体有CO2或CS2、N2O等，故答案为：N2O或CO2；

（4）元素A基态原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p64s2，应为Ca元素，由晶胞结构可知Ca2+离子位于晶胞的定点和面心，共含有8×

1

8

+6×

1

2

=4个，F-离子位于体心，共8个，则化学式为CaF2，

故答案为：CaF2；

（5）晶胞平均含有4个Ca2+，8个F-，质量为

312

NA

g，该离子化合协晶体的密度为a g/cm3，则晶胞的体积是

312

aNA

cm3，故答案为：

312

aNA

．

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