霍尔传感器原理

霍尔传感器是利用霍尔效应制成的传感器元件，用它可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。

半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势VH，这种现象称为霍尔效应。

霍尔电压的大小决定于载流体中电子的运动速度，它随载流体材料的不同而不同。当材料中的电子浓度为n时，有如下关系式:I=-nevbd ，UH=-1/ned *IB =KH*IB，KH为霍尔灵敏度，它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小。

霍尔传感器的工作原理半导体薄片置于磁场中,当它的电流方向与磁场方向不一致时,半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势,这种现象称为霍尔效应,该电动势称霍尔电势

　

实验中没有电流表测量霍尔电流可以通过伏安法。霍尔效应是指将一半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。

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