我认为国内需要加紧研发自主芯片，我们需要通过这种方式来逐渐打破芯片封锁。
在现代社会，几乎所有的产业都会跟高端芯片产生一定的关系。在我们发展各行各业的过程当中，我们会发现高端芯片会成为阻碍很多行业发展的前提条件。在此之前，因为我们国内的高端芯片基本上是以进口为主，我们本身并不具备自主研发芯片和制造芯片的能力，所以美国停止销售芯片的行为对我们确实产生了一定的影响。正是因为这个原因，我们国内的很多品牌已经开始主动研发自主芯片，希望我们的自主芯片技术能够越来越好，高制程的芯片能够顺利生产。
这个事情是怎么回事？
这是关于芯片行业的新闻，英伟达和AMD公司是全球范围内最大的两个芯片厂商。为了进一步保护所谓的新鲜市场，美国强制要求英伟达和AMD公司停止向中国出售高端芯片。在这个事情发生之后，市场普遍不看好英伟达和AMD公司的后期发展前景，所以这两家芯片公司的股价在短时间内走出了暴跌行情。对于我们国内来说，国内的很多行业也会因为高端芯片的缺失而受到相应的影响。
我们需要尽快研发自主芯片。
从某种程度上来说，因为芯片技术本身就比较难以突破，全球范围内的高端芯片基本上都是各国之间的科技最顶端的结晶。如果我们想要研发自主芯片的话，自主芯片的研发难度本身就非常大。即便我们已经研发了如何制造芯片，芯片的生产也会成为一个大问题。对于我们国内来讲，我们需要进一步加快研发自主芯片的进程。如果能够把这一点做好的话，我们就不需要担心国外对我们的芯片封锁了。
最主要因素是占半导体存储器4成的智能手机市场的异变和没有降温迹象的中美贸易摩擦隐忧。全球智能手机供货量2018年1-9月同比减少4%。自2007年苹果推出“iPhone”以后手机市场保持了迅速扩大的势头，缺少明显的技术创新，再加上市场也日趋饱和今后难以期待明显增长。
半导体市场到2016年之前一直徘徊在3000亿美元左右，到2017年增长2成，突破了4000亿美元。2018年也有望维持15%左右的增长。半导体产业存在着以2-3年为阶段的“硅周期”，随着个人电脑的代际更替和半导体功能提高，半导体产业也会反复出现繁荣和萧条的周期性。
但是，谷歌等美国IT巨头拉动的数据经济圈不断扩大。“物联网(IoT)”也取得进展，近年来越来越多的观点认为，半导体已经进入高增长长期持续的新阶段。
扩展资料：
《日本经济新闻》报道称，此前保持迅速增长的世界半导体市场将迎来转折点。存储器市场此前被认为2019年将增长约4%，但在最近的调查中转为预计减少0.3%。智能手机市场的缩小和中美贸易战正在投下阴影，供需平衡的恶化也在招致价格下跌。
2017年首次突破40万亿日元的半导体市场出现的异变暂时性的调整局面，在世界扩大的数据经济圈将影响市场的走向。世界半导体贸易统计组织将2019年半导体存储器增长率预期从6月时的增长3.7%下调为下降0.3%。半导体整体的预期也从增长4.4%下调为增长2.6%。占整体3成的存储器状况低迷拉低了预期。
参考资料来源：人民网-日媒：半导体产业的“超级周期”面临拐点
事实上，碳基半导体晶体管最先是由美国与荷兰科学家在1998年制造出来的，截止到2006年之前，我国在碳纳米管晶体管上并没有明显的建树。可以说，我国对碳纳米管晶体管的研究开始于2000年，7年之后才制备出了性能超越硅晶体管的N型碳纳米管晶体管。由此可知，国外的碳纳米管晶体管的研究要比我们早的多，但是到了今天我们与国外的差距远没有硅晶体管那么大，甚至有超越国外的趋势。
总体而言，国外对碳纳米管晶体管的研究，还是比我们要领先的。在2013年，MIT研究团队发表了由178个晶体管组成的只能执行简单指令的碳纳米管计算机。在2019年，MIT团队已能制造完整的由14000个碳纳米管晶体管组成的处理器了。而国内于2017年制造了基于2500个碳纳米管晶体管的处理器，整体性能相当于因特尔4004的水平。至于在2019年国内是否研发出了集成更多碳纳米管晶体管的处理器，目前尚未有报道。
由于碳纳米管较容易聚合在一起，所以MIT团队利用了一种剥落工艺防止碳纳米管聚合在一起，以防晶体管无法正常工作。要知道MIT团队制造的CPU主频只有1Mhz，早期的80386处理器的频率还有16Mhz，也不是说2019年碳纳米管制造的计算机性能，仅相当于1985年制造的硅晶体管处理器的性能，这差距就太大了。离实用化，还有较长的一段路要走。因为碳纳米管晶体管之间的沟道和碳纳米管晶体管的体积过大，导致碳纳米管晶体管可以容纳的电流较小，容纳得电荷较少。MIT制造的由14000个碳纳米管晶体管组成的处理器中的沟道宽度为1.5微米，与现在纳米级相距较远。也只有缩小碳纳米管晶体管的体积和减小沟道的距离，才可以提升整体性能。
但是国内于2017年，就研制出了栅长为5纳米的碳纳米管晶体管，近日又研发出了栅长3纳米的碳纳米管晶体管。可以说，国内在碳纳米管晶体管的小型化上走的比较远。在2007年左右，国内以碳纳米管晶体管制造的处理器主频就高达5Ghz，要比国外2019年制造等我处理器主频高的多。从国外的相关产品来看，其碳纳米管栅长究竟达到了何种地步，也说不准。只不过，由此可知，在碳纳米管的研发上，国内技术最起码不会差国外技术太多，很有可能是同步发展的。
【碳基半导体芯片真的能够助力我国芯片突破西方禁锢？从此不依赖ASML吗？】
我们应该看到了近期的新闻，2020年5月26日，北京元芯碳基集成电路研究院宣布，解决了长期困扰碳基半导体材料制备的瓶颈！ 该消息一出，瞬间引起了我们的关注，于是我们扎堆的认为， 碳基半导体芯片一定能够助力我国芯片的突破，打破西方禁锢？从此不依赖ASML。
了解现状——西方国家垄断的是硅基材料，而这些硅基材料在我国，我们的优势非常的低；一些关键性的材料还是倍国家技术给垄断的。而此时，我们想要打破束缚，就必须要寻找新的思路，于是出现了我们期待的：碳基半导体能否替代未来的硅基材料呢？
其实，有专家表示，北由于碳分子结构稳定，很难像硅材料一样通过掺杂其他物质改变性能。因此，碳纳米管要实现产业化，尚有很长一段路要走。不过，如今，北京元芯碳基集成电路研究院的突破确实给了我们很大的希望。
碳基半导体具有成本更低、功耗更小、效率更高。如果能够打破硅基半导体材料的束缚，走出一条全新的碳基半导体路，我们的芯片发展可能更有意义。
其实，以碳纤维(织物)或碳化硅等陶瓷纤维(织物)为增强体，实际上，我们熟知的石墨烯，生物碳以及碳纳米管等等都属于碳基材料。因此，想要碳基材料真正的运用与我们的实际，确实还是有一段路走，可是我们也已经进了一步了。
在芯片处理中， 碳基技术芯片 速度提升，功耗降低，未来更能够运用于多种领域，比如国防，气象，以及我们现在急需要解决的手机芯片，计算机芯片问题。这里我们得知道，相比国外技术， 我国对于碳基技术研究时间早，目前的技术是基于二十年前彭练矛院士提出的无掺杂碳基CMOS技术发展而来。
因此，我们不担心倍国外的技术给限制，因为我们的技术具有前瞻性，确实我们的芯片技术目前还是受限制，特别是ASML的光刻机，因为缺乏技术，在工艺制程方面受到制约。
因此，我们猜测的是，碳基材料未来很有可能打破ASML光刻机的束缚，打破欧美国家芯片的束缚，打造属于我们的芯片技术。
谢谢您的问题。碳基芯片在全球范围内还在朝量产迈进。
碳基芯片目前处于实验室阶段。 IBM和英特尔已经碳基在理论进行了多年的 探索 ，英特尔无果而放弃。IBM与英特尔退而求其次，用的是“掺杂”工艺制备碳纳米管晶体管。在国内，彭练矛和张志勇教授团队在半导体碳碳基半导体材料制备方面取得了研究重大进展，已经领先于全球，但也只是朝产业化进一步迈进。
实验室的成果离现实还很远 。全球碳基芯片真正要实现落地、商品化，除了雄厚的资金，必须要有现有的芯片兼容，直接借用现有半导体产业流程工艺，就可以大大加快碳基芯片产业化进程。
碳基技术需要企业参与 。北京碳基集成电路研究院以前在碳基技术上走在了前列，未来10年发展至少需要20亿元研发投入，这需要企业产研对接，需要企业认识其中的价值。阿里巴巴、腾讯都计划投入数千亿元用于新基建，参与到云服务和芯片全线布局，希望这样的 科技 龙头企业参与“碳基”集成电路，有助于缩短国内碳基技术的商用时间，站在全球视角， 科技 企业及早介入非常重要。
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首先，国外的研究并没有啥进展，因为没有企业投钱，高通的芯片利润这么高，谁会把大把的钱投到一个还不知道成不成功的项目上？
处于 探索 期，技术还远不成熟，距成熟产品路还很远。
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