什么是半导体存储技术?

人类的记录信息，可以通过以下几种方法技术存储信息：

1，结绳记事

2，书写纸

3，磁记录方式（磁鼓，磁带，磁盘等），目前比较成熟的，

4，半导体电子记录（电路，电源或容量）：ROM，RAM等随着半导体技术的升级换代，不断提升和完善

5，光学记录（光盘，光计算设备），光计算和光存储可能发展在不久的将来

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问题描述:

我要写一篇课程结课文章，题目是“非晶态半导体的电学性质”，谁能提供点资料啊？！

解析:

以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但是仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。1975年，英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功，使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级，促进非晶态半导体器件的开发和应用。同单晶材料相比，非晶态半导体材料制备工艺简单，对衬底结构无特殊要求，易于大面积生长，掺杂后电阻率变化大，可以制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸收系数大，转换效率高，面积大，已应用到计算器、电子表等商品中。非晶硅薄膜场效应管阵列可用作大面积液晶平面显示屏的寻址开关。利用某些硫系非晶态半导体材料的结构转变来记录和存储光电信息的器件已应用于计算机或控制系统中。利用非晶态薄膜的电荷存储和光电导特性可制成用于静态图像光电转换的静电复印机感光体和用于动态图像光电转换的电视摄像管的靶面。

具有半导体性质的非晶态材料。非晶态半导体是半导体的一个重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究，当时很少有人注意，直到1968年S.R.奥弗申斯基关于用硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后，才引起人们对非晶态半导体的兴趣。1975年W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了掺杂效应，使控制电导和制造PN结成为可能，从而为非晶硅材料的应用开辟了广阔的前景。在理论方面，P.W.安德森和莫脱，N.F.建立了非晶态半导体的电子理论，并因而荣获1977年的诺贝尔物理学奖。目前无论在理论方面，还是在应用方面，非晶态半导体的研究正在很快地发展着。

分类 目前主要的非晶态半导体有两大类。

硫系玻璃。含硫族元素的非晶态半导体。例如As-Se、As-S，通常的制备方法是熔体冷却或汽相沉积。

四面体键非晶态半导体。如非晶Si、Ge、GaAs等，此类材料的非晶态不能用熔体冷却的办法来获得，只能用薄膜淀积的办法(如蒸发、溅射、辉光放电或化学汽相淀积等)，只要衬底温度足够低，淀积的薄膜就是非晶态结构。四面体键非晶态半导体材料的性质，与制备的工艺方法和工艺条件密切相关。图1 不同方法制备非晶硅的光吸收系数 给出了不同制备工艺的非晶硅光吸收系数谱，其中a、b制备工艺是硅烷辉光放电分解，衬底温度分别为500K和300K，c制备工艺是溅射，d制备工艺为蒸发。非晶硅的导电性质和光电导性质也与制备工艺密切相关。其实，硅烷辉光放电法制备的非晶硅中，含有大量H，有时又称为非晶的硅氢合金；不同工艺条件，氢含量不同，直接影响到材料的性质。与此相反，硫系玻璃的性质与制备方法关系不大。图2 汽相淀积溅射薄膜和熔体急冷成块体AsSeTe的光吸收系数谱 给出了一个典型的实例，用熔体冷却和溅射的办法制备的AsSeTe样品，它们的光吸收系数谱具有相同的曲线。

非晶态半导体的电子结构 非晶态与晶态半导体具有类似的基本能带结构，也有导带、价带和禁带(见固体的能带)。材料的基本能带结构主要取决于原子附近的状况，可以用化学键模型作定性的解释。以四面体键的非晶Ge、Si为例，Ge、Si中四个价电子经sp杂化，近邻原子的价电子之间形成共价键，其成键态对应于价带；反键态对应于导带。无论是Ge、Si的晶态还是非晶态，基本结合方式是相同的，只是在非晶态中键角和键长有一定程度的畸变，因而它们的基本能带结构是相类似的。然而，非晶态半导体中的电子态与晶态比较也有着本质的区别。晶态半导体的结构是周期有序的，或者说具有平移对称性，电子波函数是布洛赫函数，波矢是与平移对称性相联系的量子数，非晶态半导体不存在有周期性， 不再是好的量子数。晶态半导体中电子的运动是比较自由的，电子运动的平均自由程远大于原子间距；非晶态半导体中结构缺陷的畸变使得电子的平均自由程大大减小，当平均自由程接近原子间距的数量级时，在晶态半导体中建立起来的电子漂移运动的概念就变得没有意义了。非晶态半导体能带边态密度的变化不像晶态那样陡，而是拖有不同程度的带尾(如图3 非晶态半导体的态密度与能量的关系 所示)。非晶态半导体能带中的电子态分为两类：一类称为扩展态，另一类为局域态。处在扩展态的每个电子，为整个固体所共有，可以在固体整个尺度内找到；它在外场中运动类似于晶体中的电子；处在局域态的每个电子基本局限在某一区域，它的状态波函数只能在围绕某一点的一个不大尺度内显著不为零，它们需要靠声子的协助，进行跳跃式导电。在一个能带中，带中心部分为扩展态，带尾部分为局域态，它们之间有一分界处，如图4 非晶态半导体的扩展态、局域态和迁移率边 中的和，这个分界处称为迁移率边。1960年莫脱首先提出了迁移率边的概念。如果把迁移率看成是电子态能量的函数，莫脱认为在分界处和存在有迁移率的突变。局域态中的电子是跳跃式导电的，依靠与点阵振动交换能量，从一个局域态跳到另一个局域态，因而当温度趋向0K时，局域态电子迁移率趋于零。扩展态中电子导电类似于晶体中的电子，当趋于0K时，迁移率趋向有限值。莫脱进一步认为迁移率边对应于电子平均自由程接近于原子间距的情况，并定义这种情况下的电导率为最小金属化电导率。然而，目前围绕著迁移率边和最小金属化电导率仍有争论。

缺陷 非晶态半导体与晶态相比较，其中存在大量的缺陷。这些缺陷在禁带之中引入一系列局域能级，它们对非晶态半导体的电学和光学性质有着重要的影响。四面体键非晶态半导体和硫系玻璃，这两类非晶态半导体的缺陷有着显著的差别。

非晶硅中的缺陷主要是空位、微空洞。硅原子外层有四个价电子，正常情况应与近邻的四个硅原子形成四个共价键。存在有空位和微空洞使得有些硅原子周围四个近邻原子不足，而产生一些悬挂键，在中性悬挂键上有一个未成键的电子。悬挂键还有两种可能的带电状态：释放未成键的电子成为正电中心，这是施主态；接受第二个电子成为负电中心，这是受主态。它们对应的能级在禁带之中，分别称为施主和受主能级。因为受主态表示悬挂键上有两个电子占据的情况，两个电子间的库仑排斥作用，使得受主能级位置高于施主能级，称为正相关能。因此在一般情况下，悬挂键保持只有一个电子占据的中性状态，在实验中观察到悬挂键上未配对电子的自旋共振。1975年斯皮尔等人利用硅烷辉光放电的方法，首先实现非晶硅的掺杂效应，就是因为用这种办法制备的非晶硅中含有大量的氢，氢与悬挂键结合大大减少了缺陷态的数目。这些缺陷同时是有效的复合中心。为了提高非平衡载流子的寿命，也必须降低缺陷态密度。因此，控制非晶硅中的缺陷，成为目前材料制备中的关键问题之一。

硫系玻璃中缺陷的形式不是简单的悬挂键，而是“换价对”。最初，人们发现硫系玻璃与非晶硅不同，观察不到缺陷态上电子的自旋共振，针对这表面上的反常现象，莫脱等人根据安德森的负相关能的设想，提出了MDS模型。当缺陷态上占据两个电子时，会引起点阵的畸变，若由于畸变降低的能量超过电子间库仑排斥作用能，则表现出有负的相关能，这就意味着受主能级位于施主能级之下。用 D、D、D 分别代表缺陷上不占有、占有一个、占有两个电子的状态，负相关能意味着：

2D —→ D+D

是放热的。因而缺陷主要以D、D形式存在，不存在未配对电子，所以没有电子的自旋共振。不少人对D、D、D缺陷的结构作了分析。以非晶态硒为例，硒有六个价电子，可以形成两个共价键，通常呈链状结构，另外有两个未成键的 p电子称为孤对电子。在链的端点处相当于有一个中性悬挂键，这个悬挂键很可能发生畸变，与邻近的孤对电子成键并放出一个电子(形成D)，放出的电子与另一悬挂键结合成一对孤对电子(形成D)，如图 5 硫系玻璃的换价对 所示。因此又称这种D、D为换价对。由于库仑吸引作用，使得D、D通常是成对地紧密靠在一起，形成紧密换价对。硫系玻璃中成键方式只要有很小变化就可以形成一组紧密换价对，如图6 换价对的自增强效应 所示，它只需很小的能量，有自增强效应，因而这种缺陷的浓度通常是很高的。利用换价对模型可以解释硫属非晶态半导体的光致发光光谱、光致电子自旋共振等一系列实验现象。

应用 非晶态半导体在技术领域中的应用存在着很大的潜力，非晶硫早已广泛应用在复印技术中，由S.R.奥夫辛斯基首创的 As-Te-Ge-Si系玻璃半导体制作的电可改写主读存储器已有商品生产，利用光脉冲使碲微晶薄膜玻璃化这种性质制作的光存储器正在研制之中。对于非晶硅的应用目前研究最多的是太阳能电池。非晶硅比晶体硅制备工艺简单，易于做成大面积，非晶硅对于太阳光的吸收效率高，器件只需大约1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一种廉价的太阳能电池，现已受到能源专家的重视。最近已有人试验把非晶硅场效应晶体管用于液晶显示和集成电路。

先介绍板答题存储器：据写入特性，可粗略地将半导体存储器划分为随机存取存储器（RAM，Random-Access Memory）和只读存储器（ROM，Read-Only Memory）两类。更进一步则可以细分为Flash，ROM，SRAM，EPROM，EEPROM和DRAM等存储器类型 特征

FLASH 低价格，高密度，高速体系结构，低功耗，高可靠性

ROM（Read-Only Memory） 成熟，高密度，可靠，底价格，需要耗时的掩模，适合具有固定代码的大量产品

SRAM（Static Random-Access Memory） 速度最快，高功耗，低密度，价格较高

EPROM（Electrically Programmable Read-Only Memory） 高密度，必须暴露在紫外线才能檫除

EEPROM or E2（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory） 可电字节檫除，低可靠性，高价格，密度最低

DRAM（Dynamic Random Access Memory） 低价格，高密度，高速，高功耗

1.RAM：RAM是最常用的计算机内存储器。RAM被认为是“随机存取存储器（random access memory）”，因为如果你知道任何一个存储单元对应行和列，你就能直接存取（访问）它。

工作原理：似于微处理器，存储芯片是一个集成电路（IC，integrated circuit），由数以百万记的晶体管和电容构成。大多数计算机内存是动态随机访问存储器（DRAM，dynamic random access memory），一个晶体管和一个电容搭配起来形成一个存储单元（memory cell），它可以存储一个比特的数据。电容保持这个信息比特是0还是1，晶体管则像一个开关，使存储芯片上的控制电路读该电容或改变电容的状态。

一个电容好象是一个能容纳电子的小桶。对于存储1的内存单元，桶是装满了电子。对于存储0的单元来说它是空的。对于电容这个“桶”来说，问题是它有泄漏。在很短时间内装满的桶会变空。因此，要使动态内存工作，无论是CPU还是存储控制器都不得不对所有为1的电容在它们漏电前重新充电。为了完成这个任务，内存控制器读内存后再写回去。这个更新 *** 作在一秒内自动进行几千次。

2.ROM：只读存储器(ROM，Read-only memory ), 也被称作固件（firmware）,当它被制造时就被做成以指定数据编程的集成电路。ROM芯片不仅用在计算机里，而且还用在大多数电子产品中。有五种基本ROM 类型:

1.ROM 2.PROM 3.EPROM 4.EEPROM 5.Flash memory

工作原理：类似随机存取储存器（RAM），ROM芯片包含一个由行列构成的栅格。但是ROM芯片在行列相交处，ROM同随机存取储存器芯片是根本不同的。随机存取储存器使用晶体管来接通或断开对各交点处的电容的读取。对于ROM，如果值为1的话，就用一个二极管连接这些线；如果值是0, 那麽这些线则不被连接。

一个二极管正常情况下只允许电流向一个方向流动，而且有一个门限值，就是所称的正向转折（forward breakover），它决定了二极管的击穿电流。在例如处理器和存储器芯片这样的硅基器件中，正向转折电压约为0.6伏。利用二极管的单向性，一个ROM 芯片能送一高于正向转折电流的电荷到相应的列而同时让被选中行接地，以接通一个指定的单元。如果一个二极管在那个单元导通，电荷将被接地，那么，在二进位的系统之下，该单元将会被读作 "ON"（取值为1）。很巧妙的一点是，如果单元的值是0，那么在ROM 行列相交处就没有二极管导通，因此列上的电荷就不会传到行上。

ROM芯片的这种工作方式要求芯片被产生的时候，就得以正确完整的数据进行编程。你不能够重新编程或重写一枚标准的 ROM 芯片。如果它是不正确的, 或数据需要被修改，只得丢弃它，再重新做一个。通常，为一枚 ROM 芯片创造最初的模板的过程是一个艰辛的过程，充满了尝试和错误。但是ROM芯片的优点却胜过了它的缺点。一旦制成模板, 制作芯片时每个芯片就只花费很少的时间。它们耗电量很小，又非常可靠，在极小的电子装置中，包含有控制该装置所必需的程序。

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