芯片是如何储存信息的

芯片储存信息的原理如下：

对动态存储器进行写入 *** 作时，行地址首先将RAS锁存于芯片中，然后列地址将CAS锁存于芯片中，WE有效，写入数据，则写入的数据被存储于指定的单元中。

对动态存储器进行读出 *** 作时，CPU首先输出RAS锁存信号，获得数据存储单元的行地址，然后输出CAS锁存信号，获得数据存储单元的列地址，保持WE=1，便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。

扩展资料

主存储器的两个重要技术指标：

读写速度：常常用存储周期来度量，存储周期是连续启动两次独立的存储器 *** 作（如读 *** 作）所必需的时间间隔。

存储容量：通常用构成存储器的字节数或字数来计量。

地址总线用于选择主存储器的一个存储单元，若地址总线的位数k，则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。

主存储器分类：

按信息保存的长短分：ROM与RAM。

按生产工艺分：静态存储器与动态存储器。

静态存储器（SRAM）：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器（DRAM）：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。

半导体记忆体是一种以半导体电路作为存储媒体的记忆体, 内记忆体就是由称为记忆体晶片的半导体积体电路组成。下面我为大家详细介绍半导体记忆体的相关知识。

半导体记忆体记忆体的工作原理：

记忆体是用来存放当前正在使用的（即执行中）的资料和程式，我们平常所提到的电脑的记忆体指的是动态记忆体（即DRAM），动态记忆体中所谓的“动态”，指的是当我们将资料写入DRAM后，经过一段时间，资料会丢失，因此需要一个额外设电路进行记忆体刷新 *** 作。

具体的工作过程是这样的：

一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是资料丢失的原因；刷新 *** 作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，

则认为其代表0，并把电容放电，借此来保持资料的连续性。

半导体记忆体的分类:

半导体记忆体是一种以半导体电路作为存储媒体的记忆体,内记忆体就是由称为记忆体晶片的半导体积体电路组成。

按其功能可分为：随机存取记忆体（简称RAM）和唯读记忆体（唯读ROM）

RAM包括DRAM（动态随机存取记忆体）和SRAM（静态随机存取记忆体），当关机或断电时，其中的 资讯都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（记忆体的主体部分），SRAM主要用于快取记忆体记忆体。

ROM主要用于BIOS记忆体。按其制造工艺可分为：双极电晶体记忆体和MOS电晶体记忆体。按其存储原理可分为：静态和动态两种。

半导体记忆体的主要性能指标:

有两个主要技术指标；存储容量和存取速度

1、存储容量

存储容量是半导体记忆体存储信息量大小的指标。半导体记忆体的容量越大，存放程式和资料的能力就越强。

2、存取速度

记忆体的存取速度是用存取时间来衡量的，它是指记忆体从接收CPU发来的有效位址到记忆体给出的资料稳定地出现在资料汇流排上所需要的时间。

存取速度对CPU与记忆体的时间配合是至关重要的。如果记忆体的存取速度太慢，与CPU不能匹配，则CPU读取的资讯就可能有误。

3、记忆体功耗

记忆体功耗是指它在正常工作时所消耗的电功率。通常，半导体记忆体的功耗和存取速度有关，存取速度越快，功耗也越大。因此，在保证存取速度前提下，记忆体的功耗越小越好。

4、可靠性和工作寿命

半导体记忆体的可靠性是指它对周围电磁场、温度和湿度等的抗干扰能力。由于半导体记忆体常采用VLSI工艺制造，可靠性较高，寿命也较长，平均无故障时间可达数千小时。

5、集成度

半导体记忆体的集成度是指它在一块数平方毫米晶片上能够集成的电晶体数目，

有时也可以每块晶片上集成的“基本存放装置电路”个数来表征。

通过以上介绍，对半导体记忆体也是有着很好认识，感谢你停下宝贵的时间来欣赏我的文章，想了解更多相关知识请继续关注齐家资讯哦。

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物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动 [1]  。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

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