半导体器件物理的内容简介

《半导体器件物理》由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的工作原理和工作特性。

为便于读者自学和参考，《半导体器件物理》首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系：最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。

正半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件,随着电子技术是飞速发展,各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件,学习电子技术(特别是电子电器专业的)必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理,掌握它们的特性、参数和用途。而这对初学者来说是非常困难的,因为这对他们来说是一个新知识,以前从没接触过。我个人认为学习半导体元器件是一个循序渐进的过程,不能过于急迫，要上课认真听，不懂就问。“把面子放下来，把成绩收回来。”

电容的定义是电荷对电压的微分，因此C-V曲线的计算正是从Q-V曲线求导计算出来的。实际上MOS结构的C-V曲线测量可以分三种情况讨论，第一种就是只加直流电压信号，且电压的改变速率较小，反应在测量中就是步长较小；第二种就是在第一种所加的直流电压信号上叠加小信号的交流电压；第三种是在第二种情况下加快直流电压信号的改变速率，也就是增大电压改变的步长。这三种情况所得到的的C-V关系各不相同。第二种情况与第一种情况C-V曲线的偏离主要是因为MOS结构的反型电荷来源于热产生，而热产生需要一个特征时间，如果我逐渐延长交流小信号的周期，使得第二种请况能够变成第一种情况的C-V关系，那么我就可以得到热产生的特征时间。详细情况你可以参考施敏的《半导体器件物理》，另外还有一本专门讲MOS结构的书《MOS Physics and Technology》

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