三氟化氮是一种无色、无味、无毒且不可燃的气体、在半导体...

【答案】（1）4NH3+3F2=NF3+3NH4F（2分） （2）NH3分子间可形成氢键（2分）

（3）[Ar]3d5

4s1（2分）

（4）Al3+（1分）

6（1分）

（5）①R

U（2分）

②p（1分） ⅢA（1分） 平面三角形（1分）

sp2（2分）

【答案解析】试题分析：（1）根据题意可知制备NF3，由F2和过量NH3反应得到NF3。若生成NF3和H2，H2和F2生成HF，HF与过量的NH3生成NH4F。所以有4NH3+3F2=NF3+3NH4F　。

（3）铜为第四周期，未成对电子数最多，3d和4s都是单电子，所以[Ar]3d5

4s1。

（4）HF、NaAlO2和NaCl按6：1：2的物质的量之比恰好反应生成HCl、H2O和含三种元素的微溶物，

6HF＋NaAlO2＋2NaCl＝2HCl＋2H2O＋Na3AlF6

[AlF6]3－　是络离子，中心离子为Al3+，

配位数为6.

（5）由电离能的数据可知T3+、R+和U+，R+和U+带相同电荷属于同族元素。T3+位于ⅢA,在p区；T为第2周期元素，T为B，F是第3周期元素中原子半径最小的元素，F为Cl

，BCl3为平面三角形，sp2杂化。

考点：本题考查原子结构、分子结构、络合物、杂化轨道等知识。

（1）F2和过量的NH3反应生成NF3和NH4F，反应的方程式为3F2+4NH3

Cu  .

NF3+3NH4F，NF3中含有3个δ键，且孤电子对数为

5?3

2

=1，则应为sp3杂化，空间构型为三角锥形，

故答案为：3F2+4NH3

Cu  .

NF3+3NH4F；sp3杂化；三角锥形；

（2）由于非金属性N＜F，则HF更稳定，故答案为：＜；

（3）N3-含有3个原子和22个电子，价电子总数为16，则对应的等电子体有CO2或CS2、N2O等，故答案为：N2O或CO2；

（4）元素A基态原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p64s2，应为Ca元素，由晶胞结构可知Ca2+离子位于晶胞的定点和面心，共含有8×

1

8

+6×

1

2

=4个，F-离子位于体心，共8个，则化学式为CaF2，

故答案为：CaF2；

（5）晶胞平均含有4个Ca2+，8个F-，质量为

312

NA

g，该离子化合协晶体的密度为a g/cm3，则晶胞的体积是

312

aNA

cm3，故答案为：

312

aNA

．

c3v点群。

三氟化氮（nitrogen trifluoride）化学式NF₃，在常温下是一种无色、无臭、性质稳定的气体，是一种强氧化剂。

三氟化氮在微电子工业中作为一种优良的等离子蚀刻气体，在离子蚀刻时裂解为活性氟离子，这些氟离子对硅和钨化合物，高纯三氟化氮具有优异的蚀刻速率和选择性（对氧化硅和硅），它在蚀刻时，在蚀刻物表面不留任何残留物，是非常良好的清洗剂，同时在芯片制造、高能激光器方面得到了大量的运用。

化学性质稳定，一般条件下在水与碱溶液中均不反应（三校合编无机化学第四版下册534页），只有当放电时在水中才发生NF3+2H2O==放电==HNO2+3HF。

F的电负性大于H，因此NF3中的孤对电子云由于向F偏移而导致电子云密度比在NH3中低，配位能力下降，因此质子化时放热小于NH3。偶极矩与上面类似，大概就是由于电负性的增强导致偶极矩的降低。

应用程序

三氟化氮主要用于在制造半导体设备（如LCD 显示器、一些薄膜太阳能电池和其他微电子设备）期间去除硅和硅化合物。在这些应用中NF3最初在等离子体中分解。

由此产生的氟自由基是攻击多晶硅、氮化硅和氧化硅的活性剂。它们可以作为很好地去除硅化钨，钨，和某些其他金属。除了在器件制造中用作蚀刻剂外，NF3也广泛用于清洁PECVD腔室。

NF3 与全氟化合物(PFC) 和六氟化硫( SF )相比，在低压放电中更容易离解。由此产生的更大量的带负电荷的自由基可以产生更高的硅去除率，并提供其他工艺优势，例如更少的残留污染和更低的正在制造的器件上的净电荷应力。

以上内容参考：百度百科-三氟化氮

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