新加坡南洋理工大学有哪些留学专业

南洋理工大学是新加坡的一所公立研究型大学。其丰富多元的教学及研究经验，为南大提供了广阔的国际视野和发展前景。下面是我整理的关于新加坡南洋理工大学专业介绍，欢迎参考！

新加坡南洋理工大学专业

1. 宇航工程

飞机设计与制造、空气动力学与飞机性能、飞机维修与特性、飞机材料与结构、航空电子学工程。

2. 生物工程

把工程与生物医学领域的各个学科冶于一炉。 电子生物医学、生物机械、生物计算、生物材料。

3. 化学与分子生物工程

着重于理解和控制化学及生物化学的反应，以及了解流体、固体的物理、化学行为。 精细化学与医药工程、遗传与治疗工程、生物技术与生物工程、表面科学与纳米技术。

4. 土木工程

建筑技术与管理、地质工程、创新结构技术、交通规划、水资源工程、环境工程。

5. 环境工程

水供工程、污水处理工程、固体与危险废料管理、空气污染控制工程、污染物质运输、环境水力学、泥沙运动力学、海岸工程、环境生物技术、环境规划与管理、环境健康与安全。

6. 计算机工程

计算机通信与网络、计算机视觉与图像、嵌入式系统、高性能计算、信息系统、智能系统。

7. 计算机科学

着重于软件设计与建构。信息管理、智能系统、软件工程、计算机视觉与图像、高性能计算、计算机通信与网络。

8. 电机与电子工程

电力工程、电子学、计算机工程、控制与自动化、通信、微电子学、数字信号处理、光电子学、信息通信、生物医学工程。

9. 材料工程

课程范畴涵括材料科学，并超越材料科学范围，涉及工程应用，譬如工业材料、工业仪器的制造与设计。 生物材料、微电子与光电子材料、材料加工法、先进材料的合成及加工、纳米材料、材料验证及测试。

10. 机械工程

航空工程、生物与化工工程、生物医学工程、能源与环境、制造系统工程、海洋与近海工程、机械电子、创新设计、半导体加工。

11. 海事研究

针对海事及相关行业的特定需求而设计。课程包含人事管理、商业管理、以及海事技术的相关科目。 船舶技术、国际海运、海洋环境的自然成分及污染物质、海洋法律、海运策略。

新加坡南洋理工大学院系设置

1.商学院 （NBS）

2.工学院

3.化学与生物医学工程学院（SCBE）

4.土木与环境工程学院 （CEE）

5.计算机工程学院（SCE）

6.电机与电子工程学院（EEE）

7.材料科学与工程学院（MSE）

8.机械与宇航工程学院（MAE）

9.文学院

10.艺术、设计与媒体学院（ADM）

11.黄金辉传播与信息学院（WKWCI）

12.人文与社会科学学院（HSS）

13.理学院

14.生物科学学院（SBS）

15.数理科学学院（SPMS）

16.自主学院

17.国立教育学院（NIE）

18.拉惹勒南国际研究院（RSIS）

19.主要机构与中心

20.南洋理工大学孔子学院

21.康奈尔-南洋款待管理学院

22.高等研究所

23.连氏中国企业研究中心

24.南洋科技创业中心

　 　新加坡南洋理工大学学生服务

南大很注重校园文化的建设，学生社团组织非常活跃，校园活动丰富多采，南洋大礼堂是举办校内活动的主要场所。每逢午餐时间，南大师生和艺术爱好者可到讲堂、咖啡座，观赏文娱演出；200公顷的云南园设施齐全，校园活动多样化，学生联合会等社团组织非常活跃，让学生拥有良好的学习与社交空间，培养领导技能及团队精神。设施齐全的.南大校园包括：

1、16 个学生宿舍和1个研究生宿舍；

2、学生活动中心；

3、学生辅导中心；

4、三个咖啡座和13个餐厅；

5、书店、超市、小型超市、电脑商店；

6、综合体育及娱乐活动中心；

7、职工俱乐部和职工娱乐中心；

8、接待大学访客的宾馆；

9、医疗中心及牙科诊所；

10、邮递、银行与提款机服务

麻省理工学院在新加坡的研究企业新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟（SMART）的低能电子系统（LEES）跨学科研究小组（IRG）的研究人员与麻省理工学院（MIT）、新加坡国立大学（NUS）和南洋理工大学（NTU）的合作者一起发现了一种 通过使用半导体材料的内在缺陷产生长波长（红色、橙色和黄色）光的新方法，有可能被用作商业光源和显示设备的直接发光器。

这项技术将是对目前方法的一种改进，例如，使用荧光粉将一种颜色的光转换为另一种颜色。

氮化镓(InGaN)LED是一种基于氮化物的第三类元素的发光二极管(LED)，在20多年前的90年代首次制造出来，此后不断发展，变得越来越小，同时也越来越强大、高效和耐用。今天，InGaN LED可以在无数的工业和消费者使用案例中找到，包括信号和光通信以及数据存储，并且在高需求的消费者应用中至关重要，如固态照明、电视机、笔记本电脑、移动设备、增强型（AR）和虚拟现实（VR）解决方案。

对此类电子设备不断增长的需求，推动了二十多年来对半导体实现更高的光输出、可靠性、寿命和多功能性的研究--这导致了对可以发出不同颜色光的LED的需求。传统上，InGaN材料在现代LED中被用来产生紫色和蓝色的光，而磷化镓铝（AlGaInP）--一种不同类型的半导体--被用来产生红色、橙色和黄色的光。这是由于InGaN在红色和琥珀色光谱中的性能不佳，这是因为所需的铟含量较高而导致效率下降。

此外，这种具有相当高的铟浓度的InGaN LED仍然难以用传统的半导体结构制造。因此，实现全固态白光发光器件--需要所有三种原色光--仍然是一个无法实现的目标。

为了应对这些挑战，SMART的研究人员在一篇题为"发光的V-Pit：实现发光富铟铟镓量子点的替代方法"的论文。在他们的论文中，研究人员描述了一种实用的方法，通过利用InGaN材料中预先存在的缺陷，制造出铟浓度高得多的InGaN量子点。

在这个过程中，由材料中自然存在的位错导致的所谓V型坑的凝聚，直接形成了富铟量子点，即能够发射较长波长的光的材料岛。通过在传统的硅衬底上生长这些结构，进一步消除了对图案或非常规衬底的需要。研究人员还对InGaN量子点进行了高空间分辨率的成分测绘，首次提供了对其形态的视觉确认。

除了量子点的形成，堆积断层的成核--另一种内在的晶体缺陷--进一步促进了更长波长的发射。

SMART研究生和该论文的主要作者Jing-Yang Chung说："多年来，该领域的研究人员一直试图解决InGaN量子阱结构中固有缺陷带来的各种挑战。在一个新颖的方法中，我们转而设计了一个纳米坑洞缺陷，以实现InGaN量子点直接生长的平台。因此，我们的工作z明了使用硅衬底进行新的富铟结构的可行性，在解决目前长波长InGaN光发射器效率低下的挑战的同时，也缓解了昂贵衬底的问题。"

这样一来，SMART的发现代表着在克服InGaN在产生红、橙和黄光时效率降低的问题上迈出了重要一步。反过来，这项工作可能对未来开发由单一材料组成的微型LED阵列有帮助。

LEES的共同作者和首席研究员Silvija Gradečak博士补充说："我们的发现对环境也有影响。例如，这一突破可能会带来更迅速地淘汰非固态照明源--如白炽灯--甚至是目前的磷酸盐涂层蓝色InGaN LED，采用全固态混色解决方案，进而导致全球能源消耗的显著减少。"

SMART首席执行官兼LEES首席研究员Eugene Fitzgerald说："我们的工作还可能对半导体和电子行业产生更广泛的影响，因为这里描述的新方法遵循标准的行业制造程序，可以被广泛采用并大规模实施。在更宏观的层面上，除了InGaN驱动的能源节约可能带来的生态效益外，我们的发现也将有助于该领域继续研究和开发新的高效InGaN结构。"

中打破了摩尔定律，在新的半导体研究领域取得了巨大的突破。利用一种新的超薄电极材料，实现了二维半导体电子与逻辑电路的自由控制。此外，南洋理工大学、北京大学、南京大学等高校的科研队伍，也在二维半导体的整合与成长上取得了突破性进展。

中国的本土企业也在努力地积累和研究相关的技术，这些技术将会在将来获益。首先，我们要说的是，摩尔定律是什么，为什么它会对半导体产生如此大的影响。戈登·摩尔，英特尔的共同创始人，提出了著名的摩尔定律：每18到24个月，集成电路上的元件数目就会翻一番，而其性能也会翻一番。这就意味着，在每一块硅片上，晶体管的体积会变得更小，也会变得更多。但是今天，一块指甲盖大小的晶体管可以容纳一百亿个，而硅晶体管也已经接近了它的物理极限。摩尔定律的继续，要求新的材料，新的装置。

目前，人们对二维半导体的前景非常看好，因为传统的硅片晶体是以三维块状半导体为基础，使得电子难以透过纳米尺寸的通道。然而，由于二维材料的存在，使得晶体管的体积变得更小，变成了一种更容易让电荷在其中自由流动的超薄晶体管。

由光敏材料及器件研究中心的黄博士、物理学院的李金龙教授带领的一个研究团队，成功地利用了一种新型的超薄电极材料（Cl-SnSe2)，实现了二维半导体电子及逻辑电路的自由控制。

该研究成功地解决了费米能级钉扎问题，使得传统的二维半导体器件难以完成互补逻辑电路，只显示 N型或 P型器件的性能。利用这种新的电极材料，可以实现 N型、 P型的功能，从而形成一种高性能、低功耗、互补逻辑的逻辑电路。

黄教授预测，这种新型的二维电极材料将会是很薄的，具有很高的透明度和d性。所以，他们可以应用到下一代的可弯曲的、透明的半导体装置上。南洋理工大学，北京大学，清华大学和北京量子资讯 科技 研究院的研究者们，近期展示了一种将单晶体滴定在二维半导体上的方法，即高 K钙钛矿的一种氧化物。该技术将为新的晶体管和电子器件的发展提供新的可能。

报告中提及了一种叫做“一种钙钛矿”的单晶滴定锶，以前人们已经发现，用一种具有不同的原子结构的钙钛矿氧化物难以实现。但是，这个研究小组使用了一种聪明的方法，它能够超越这个极限，使材料的组合几乎是无限的。

研究者称，他们发明的晶体管可以用来制作互补的 MOS电路，同时也可以降低功率消耗。在将来，这些装置将会被大量生产，用以研发低功率的逻辑和微型晶片。前不久，王欣然教授和南京大学王金兰教授的研究小组共同宣布，世界上第一个大规模、均匀的二层二硫化钼，这是目前已知的最好的二维半导体材料之一，薄膜的外延生长。

东南大学教授马亮说：“我们的研究成果，不但打破了二硫化钼薄膜的层数可控生长技术瓶颈，开发出了性能最高的二硫化钼膜器件，并将其应用到其它二维材料的外延上，为以后的硅半导体器件的发展开辟了新的思路。”

在二硫化钼的研究中，二硫化钼的载流子迁移率和驱动电流都比单层二硫化钼高，在电子设备的应用中占有很大的优势。然而，采用常规方法制备的二硫化钼双层膜存在着层数均匀性差、膜不连续性等问题，研究小组提出了一种新型的基板诱导成核和“齐头并进”的新型生长机理。

值得一提的是，芯片制造商们，也在积极地进行着新的研究。英特尔与台积电将于2021年12月举行的 IEEE国际电子装置大会上，为解决二维半导体高阻、低电流问题提供了解决办法。在半导体与金属的接触处，存在着锋利的电阻尖，这是目前二维半导体面临的最大阻碍。

台积电与英特尔公司采用了半金属锑作为接触材料，以减少半导体与触头间的能量壁垒，以达到低阻性。从2019年起，台积电一直在寻求一种可以替代硅的二维材料。台积电在今年五月率先宣称，他们已经找到了半金属铋可以在很低的电阻下，成为二维半导体的粘结剂。但是铋的熔点太低，不能承受后续的晶片高温处理。

南京大学电子工程学院王欣然博士团队，着眼于中国国内市场的发展，在2021年九月，天马微电子（深天马）与天马公司的合作，为今后 Micro LED技术的发展开辟了一条崭新的技术路径。

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