如果开关关闭时电容充电,开关导通时会产生瞬时大电流。这个电流会烧毁半导体开关。
本人亲见,0.1uf 电容在千伏电压下烧毁2000安的可控硅。
电容与开关元件并按必须串联电阻!
大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上,电流在300A以上的开关器件,包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等,900V以上的mosfet也可称为大功率器件,但是要看相应的电流等级。这些器件基本上是以硅材料为基础,经过不同的工艺生产条件生产出来。按照其功能分类,可为全控型器件和半控型器件,全控型如IGBT、IGCT、ETO等,就是通过门极可以控制器件的开通与关断,半控型器件的代表就是晶闸管,只能控制开通,而不能控制关断。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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