推进半导体技术发展的五大趋势

过去几十年，全球半导体行业增长主要受台式机、笔记本电脑和无线通信产品等尖端电子设备的需求，以及基于云计算兴起的推动。这些增长将继续为高性能计算市场领域开发新应用程序。

首先，5G将让数据量呈指数级增长。我们需要越来越多的服务器来处理和存储这些数据。2020年Yole报告，这些服务器核心的高端CPU和GPU的复合年增长率有望达到29%。它们将支持大量的数据中心应用，比如超级计算和高性能计算服务。在云 游戏 和人工智能等新兴应用的推动下，GPU预计将实现更快增长。例如，2020年3月，互联网流量增长了近50%，法兰克福的商业互联网数据交换创下了数据吞吐量超过每秒9.1兆兆位的新世界纪录。

第二个主要驱动因素是移动SoC——智能手机芯片。这个细分市场增长虽然没有那么快, 但这些SoC在尺寸受限的芯片领域对更多功能的需求，将推动进一步技术创新。

除了逻辑、内存和3D互联的传统维度扩展之外，这些新兴应用程序将需要利用跨领域的创新。这需要在器件、块和SoC级别进行新模块、新材料和架构的改变，以实现在系统级别的效益。我们将这些创新归纳为半导体技术的五大发展趋势。

趋势一:摩尔定律还有用，将为半导体技术续命8到10年…

在接下来的8到10年里，CMOS晶体管的密度缩放将大致遵循摩尔定律。这将主要通过EUV模式和引入新器件架构来实现逻辑标准单元缩放。

在7nm技术节点上引入了极紫外(EUV)光刻，可在单个曝光步骤中对一些最关键的芯片结构进行了设计。在5nm技术节点之外(即关键线后端(BEOL)金属节距低于28-30nm时)，多模式EUV光刻将不可避免地增加了晶圆成本。最终，我们希望高数值孔径(High-NA) EUV光刻技术能够用于行业1nm节点的最关键层上。这种技术将推动这些层中的一些多图案化回到单图案化，从而提供成本、产量和周期时间的优势。

Imec对随机缺陷的研究对EUV光刻技术的发展具有重要意义。随机打印故障是指随机的、非重复的、孤立的缺陷，如微桥、局部断线、触点丢失或合并。改善随机缺陷可使用低剂量照射，从而提高吞吐量和成本。

为了加速高NA EUV的引入，我们正在安装Attolab，它可以在高NA EUV工具面世之前测试一些关键的高NA EUV材料(如掩膜吸收层和电阻)。目前Attolab已经成功地完成了第一阶段安装，预计在未来几个月将出现高NA EUV曝光。

除了EUV光刻技术的进步之外，如果没有前沿线端(FEOL)设备架构的创新，摩尔定律就无法延续。如今，FinFET是主流晶体管架构，最先进的节点在6T标准单元中有2个鳍。然而，将鳍片长度缩小到5T标准单元会导致鳍片数量减少，标准单元中每个设备只有一个鳍片，导致设备的单位面积性能急剧下降。这里，垂直堆叠纳米薄片晶体管被认为是下一代设备，可以更有效地利用设备占用空间。另一个关键的除垢助推器是埋地动力轨(BPR)。埋在芯片的FEOL而不是BEOL，这些BPR将释放互连资源路由。

将纳米片缩放到2nm一代将受到n-to-p空间约束的限制。Imec设想将Forksheet作为下一代设备。通过用电介质墙定义n- p空间，轨道高度可以进一步缩放。与传统的HVH设计相反，另一个有助于提高路由效率的标准单元架构发展是针对金属线路的垂直-水平-垂直(VHV)设计。最终通过互补场效应晶体管(CFET)将标准cell缩小到4T，之后充分利用cell层面上的第三维度，互补场效应晶体管通过将n-场效应晶体管与p-场效应晶体管折叠。

趋势2: 在固定功率下，逻辑性能的提高会慢下来

有了上述的创新，我们期望晶体管密度能遵循摩尔所规划的路径。但是在固定电源下，节点到节点的性能改进——被称Dennard缩放比例定律，Dennard缩放比例定律（Dennard scaling）表明，随着晶体管变得越来越小，它们的功率密度保持不变，因此功率的使用与面积成比例；电压和电流的规模与长度成比例。

世界各地的研究人员都在寻找方法来弥补这种减速，并进一步提高芯片性能。上述埋地电力轨道预计将提供一个性能提高在系统水平由于改进的电力分配。此外，imec还着眼于在纳米片和叉片装置中加入应力，以及提高中线的接触电阻(MOL)。

二维材料如二硫化钨(WS2)在通道中有望提高性能，因为它们比Si或SiGe具有更强的栅长伸缩能力。其中基于2d的设备架构包括多个堆叠的薄片非常有前景，每个薄片被一个栅极堆叠包围并从侧面接触。模拟表明，这些器件在1nm节点或更大节点上比纳米片的性能更好。为了进一步改善这些器件的驱动电流，我们着重改善通道生长质量，在这些新材料中加入掺杂剂和提高接触电阻。我们试图通过将物理特性(如生长质量)与电气特性相关联来加快这些设备的学习周期。

除了FEOL, 走线拥挤和BEOL RC延迟，这些已经成为性能改善的重要瓶颈。为了提高通径电阻，我们正在研究使用Ru或Mo的混合金属化。我们预计半镶嵌(semi-damascene)金属化模块可同时改善紧密距金属层的电阻和电容。半镶嵌(semi-damascene) 可通过直接模式和使用气隙作为介电在线路之间(控制电容增加)

允许我们增加宽高比的金属线(以降低电阻)。同时，我们筛选了各种替代导体，如二元合金，它作为‘good old’ Cu的替代品，以进一步降低线路电阻。

趋势3:3D技术使更多的异构集成成为可能

在工业领域，通过利用2.5D或3D连接的异构集成来构建系统。这些有助于解决内存问题，可在受形状因素限制的系统中添加功能，或提高大型芯片系统的产量。随着逻辑PPAC(性能-区域-成本)的放缓，SoC 的智能功能分区可以提供另一个缩放旋钮。一个典型的例子是高带宽内存栈(HBM)，它由堆叠的DRAM芯片组成，这些芯片通过短的interposer链路直接连接到处理器芯片，例如GPU或CPU。最典型的案例是Intel Lakefield CPU上的模对模堆叠， AMD 7nm Epyc CPU。在未来，我们希望看到更多这样的异构SOC，它是提高芯片性能的最佳桥梁。

在imec，我们通过利用我们在不同领域(如逻辑、内存、3D…)所进行的创新，在SoC级别带来了一些好处。为了将技术与系统级别性能联系起来，我们建立了一个名为S-EAT的框架(用于实现高级技术的系统基准测试)。这个框架可评估特定技术对系统级性能的影响。例如:我们能从缓存层次结构较低级别的片上内存的3D分区中获益吗?如果SRAM被磁存储器(MRAM)取代，在系统级会发生什么?

为了能够在缓存层次结构的这些更深层次上进行分区，我们需要一种高密度的晶片到晶片的堆叠技术。我们已经开发了700nm间距的晶圆-晶圆混合键合，相信在不久的将来，键合技术的进步将使500nm间距的键合成为可能。

通过3D集成技术实现异质集成。我们已经开发了一种基于sn的微突起互连方法，互连间距降低到7µm。这种高密度连接充分利用了透硅通孔技术的潜力，使>16x更高的三维互联密度在模具之间或模具与硅插接器之间成为可能。这样就大大降低了对HBM I/O接口的SoC区域需求(从6 mm2降至1 mm2)，并可能将HBM内存栈的互连长度缩短至多1 mm。使用混合铜键合也可以将模具直接与硅结合。我们正在开发3µm间距的模具到晶圆的混合键合，它具有高公差和放置精度。

由于SoC变得越来越异质化，一个芯片上的不同功能(逻辑、内存、I/O接口、模拟…)不需要来自单一的CMOS技术。对不同的子系统采用不同的工艺技术来优化设计成本和产量可能更有利。这种演变也可以满足更多芯片的多样化和定制化需求。

趋势4:NAND和DRAM被推到极限非易失性存储器正在兴起

内存芯片市场预测显示，2020年内存将与2019年持平——这一变化可能部分与COVID-19减缓有关。2021年后，这个市场有望再次开始增长。新兴非易失性存储器市场预计将以>50%的复合年增长率增长，主要受嵌入式磁随机存取存储器(MRAM)和独立相变存储器(PCM)的需求推动。

NAND存储将继续递增，在未来几年内可能不会出现颠覆性架构变化。当今最先进的NAND产品具有128层存储能力。由于晶片之间的结合，可能会产生更多的层，从而使3D扩展继续下去。Imec通过开发像钌这样的低电阻字线金属，研究备用存储介质堆，提高通道电流，并确定控制压力的方法来实现这一路线图。我们还专注于用更先进的FinFET器件取代NAND外围的平面逻辑晶体管。我们正在 探索 3D FeFET与新型纤锌矿材料，作为3D NAND替代高端存储应用。作为传统3D NAND的替代品，我们正在评估新型存储器的可行性。

对于DRAM，单元缩放速度减慢，EUV光刻可能需要改进图案。三星最近宣布EUV DRAM产品将用于10nm (1a)级。除了 探索 EUV光刻用于关键DRAM结构的模式，imec还为真正的3D DRAM解决方案提供了构建模块。

在嵌入式内存领域，我通过大量的努力来理解并最终拆除所谓的内存墙，CPU从DRAM或基于SRAM的缓存中访问数据的速度有多快?如何确保多个CPU核心访问共享缓存时的缓存一致性?限制速度的瓶颈是什么? 我们正在研究各种各样的磁随机存取存储器(MRAM)，包括自旋转移转矩(STT)-MRAM，自旋轨道转矩(SOT)-MRAM和电压控制磁各向异性(VCMA)-MRAM)，以潜在地取代一些传统的基于SRAM的L1、L2和L3缓存(图4)。每一种MRAM存储器都有其自身的优点和挑战，并可能通过提高速度、功耗和/或内存密度来帮助我们克服内存瓶颈。为了进一步提高密度，我们还在积极研究可与磁隧道结相结合的选择器，这些是MRAM的核心。

趋势5:边缘人工智能芯片行业崛起

边缘 AI预计在未来五年内将实现100%的增长。与基于云的人工智能不同，推理功能是嵌入在位于网络边缘的物联网端点(如手机和智能扬声器)上的。物联网设备与一个相对靠近边缘服务器进行无线通信。该服务器决定将哪些数据发送到云服务器(通常是时间敏感性较低的任务所需的数据，如重新培训)，以及在边缘服务器上处理哪些数据。

与基于云的AI(数据需要从端点到云服务器来回移动)相比，边缘 AI更容易解决隐私问题。它还提供了响应速度和减少云服务器工作负载的优点。想象一下，一辆需要基于人工智能做出决定的自动 汽车 。由于需要非常迅速地做出决策，系统不能等待数据传输到服务器并返回。考虑到通常由电池供电的物联网设备施加的功率限制，这些物联网设备中的推理引擎也需要非常节能。

今天，商业上可用的边缘 AI芯片，加上快速GPU或ASIC，可达到1-100 Tops/W运算效率。对于物联网的实现，将需要更高的效率。Imec的目标是证明推理效率在10.000个Tops /W。

通过研究模拟内存计算架构，我们正在开发一种不同的方法。这种方法打破了传统的冯·诺伊曼计算模式，基于从内存发送数据到CPU(或GPU)进行计算。使用模拟内存计算，节省了来回移动数据的大量能量。2019年，我们演示了基于SRAM的模拟内存计算单元(内置22nm FD-SOI技术)，实现了1000Tops/W的效率。为了进一步提高到10.000Tops/W，我们正在研究非易失性存储器，如SOT-MRAM, FeFET和基于IGZO（铟镓锌氧化物）的存储器。

太阳能

太阳能在太阳的电磁辐射中，以较窄的光谱范围到达地球表面（见图3.2）。由于现有技术（及科学理解）认为电磁辐射是能量流，因此，如果不转换成其他形式就无法储存。被看做是能量包的光子能以多种方式同物质发生相互反应，它们可以撞击核子，使其产生更快的振动，进而使物质生热，以这种方式加热的空气就产生了风。光子还可以和电子发生反应，向电子施加能量，如果是硅和其他半导体，则外围的电子价基本上为全价，不易流动，但如果电子从光子接收了1.1电子伏特以上的值，则电子就会跳出价电子轨道进入导电带，产生电流。图3.3给出了太阳能启动电子流的过程，光电系统就是利用了这一原理将入射的太阳辐射即时转换成电能（注14）。

图3.2　电磁光谱资料来源：Jack Kraushaar and Robert Ristinen， Energy and Problems of a Technical Society， p. 149.到达地球表面的太阳辐射集中于可见光谱部分，其中大部分又从地球表面以红外光谱的形式再次放射出来

图3.3　电子能带资料来源： Jack Kraushaar，Robert Ristinen， Energy and Problems of a Technical Society， p. 176.光子向价电子施加了恰到好处的能量，电子进入导电带，电子流产生电流存储

太阳辐射与植物中的叶绿素和其他色素相互作用，使能量流转换成化学能，存储在进行光合作用的植物组织中，以及以这些植物为食物的动物身体中。一般情况下，穿过电子云的光能向电子施加足够的能量，使电子充分移动，结合成高能分子，这是一种非常有效的储存过程，这种储存过程不仅生产出地球上所有的生物燃料能量，而且经过世世代代的变迁，还储存了所有的化石燃料能量。这种天然的存储过程是人工光合作用无法比拟的，但以化学能形式进行储存具有强制性，且因传输过程中没有损失，故可无限存储。

即使是用于居室取暖的被动太阳能应用，也能达到白天储存热量、夜晚释放热量的效果。最简单的应用方法可在玻璃窗对面放置一大块暗墙，因为颜色暗，所以不反射光谱的可见光部分（可见光谱占太阳辐射的大部分），而是吸收了大量的太阳能，吸收的太阳能存储在墙体材料的焓中。如果用被动太阳能取暖，存储墙一般都是涂黑的木墙或石墙，当周围温度降到储存物质温度以下时，墙体就向外散发出热量，保持一种更为恒定的温度。

该技术的一个变化形式是特朗布墙[Trombe，以其发明者菲力克斯·特朗布（Felix Trombe）博士的名字命名］，具体内容是将大面积的黑色墙体置于玻璃墙后，二者相对距离较近，均位于朝南曝光位置，黑色墙体上有通风孔，可使对流空气通过。大气温度较低时，顶部和底部的通风孔都打开，暖空气通过顶部通风孔进入居室，冷空气通过底部通风孔进入墙体与玻璃墙之间的空间按受太阳加热，日落后，通风孔关闭，墙体中存储的热量可向居室内散发（部分热量不可避免地向南辐射，一部分还会透过玻璃窗外溢）。特朗布墙的一个优点是：夏季，顶部通风孔可关闭，底部通风孔及玻璃墙顶部的一个通风孔都可打开，两墙之间的受热空气上升，通过玻璃墙顶部通风孔排出，它起到了烟囱的作用，等于将北面的窗子打开，让凉空气进入居室，替换屋内从底部通风孔排出的空气。试验表明，朝向正南的房子，加上特朗布墙，冬季太阳能取暖效果达100%，问题是夏季会出现热量积累，需加强通风（注15）。如各方面因素比较适合，特朗布墙的造价不贵，只比砌一堵朝南的石墙外覆温室膜贵一点点。特朗布墙看起来只是一堵光秃秃的、刻板的墙，审美问题可能是最主要的限制因素。

还有一种更为有效的储热方法利用了物理相态变化。当固体溶化或液体气化时，需要大量的能；相反，气体冷凝成低能量液态或液体冻结变成更低能量固态时，也会释放出大量的能。这样，如果大面积的暗色物体中含有一种固体，其熔点接近室温，则该固体吸收太阳辐射后就会融化，当它（在室温下）再次变为固态时，就会将相态变化阶段存储的能量释放到室内。芒硝（硫酸钠＋水合物）是这些材料中最为有效的一种，其熔点为93华氏度，融化热量（固体转换成液体或反向转换所需的热量）为100英热单位／磅，大大超过了单位重量（或体积）水的热容量（注16）。该技术最简单的方法是在室内放一只装满芒硝的黑色桶，其放置位置应能使其接收大量的冬日阳光，桶吸收光热，桶内芒硝存热，当温度开始下降时，芒硝就把储存的热散发出来。不过居室内摆一只黑桶有碍观瞻，可努力把桶改成具有装饰特点的摆设，一个解决办法是采用黑色空心柱，里面装满所选材料；另外，经过较长时间以后，芒硝或其他相态变化材料会降解，无法重新结晶。

运输

太阳能可以用来产蒸汽（或使其他挥发性液体气化），驱动透平，将能量转换成电，这一过程被称为热电转换（STEC）。电是STEC和光电应用过程中产生的能量载体，STEC的优点是：由于发电过程中采用透平，故可直接产生交流电。交流电可传输至几英里以外，而光电电池产生的直流电无法长距离传输。

介质流体（水或空气）分子吸收的热可短距离传输。和探讨地热资源时详细讨论的那样，传热过程中，热扩散不可避免，振动的高温分子接触管线或其他密封装置材质，将其热量传给该材质，该材质又将新获得的热量扩散到周围，将载热流体的热量传走。因此，当所需要能量为热量时，只能在很短距离内有效传输。

用太阳能给水加热是收集太阳能热量的一种应用形式，可短距离输送到储存点，再短距离输送到需要的热水水龙头处。为了达到这一目的，大部分太阳能热水系统都采用了电动泵，泵将水打入储罐或加热器内，这一过程中，水流经太阳能收集板，泵消耗的能量远低于常规的水加热炉，但这种应用耗电产生一定费用。

意识到这一成本效率问题后，研究人员设计了一种不带泵的水循环系统。水受热后，会稍稍膨胀，以此来带动循环，这一工艺被称为热虹吸现象，即将储罐置于集热盘管之上，可以不用泵就使水循环。这些系统有自定的能量周期，因此均属于被动太阳能应用系统。

风力

风，即流动空气的动能，可以以其原始形式储运，人们将风的动能集于一点来做功已有几百年的历史，现代应用也极有潜力。如果对这部分能量加以储存和输送，一般是先将其转换成多功能载体——电，然后再对电进行储存和输送。

多数乡间风力泵系统都包括能量储存部分，泵将水打入储罐，这一过程向水施加了动能，在水抽出之前，动能又作为势能储存。储存的能量表现为水龙头处的压力，这样就可在水罐出口处放置一个透平利用水中的动能。利用水储存风力而产生动力的储存原理目前正日益受到关注。

水动力

水的动能就像风力一样，可直接用来做功如水磨。由于水的流动包含了势能转换成动能的过程，那么就可以用水坝将有一定落差的水拦住，这其实就是把水的势能集中并储存起来。这种储存过程的效率在热动力学允许的范围内几近完美，但需要储存的水量大，需要容纳这一大部分水的地表面积会对环保产生一些不利影响，具有环保破坏性的大坝尤为如此。大型水坝因为储水能力强，动力强度大，其规模效益好，由于成本可分摊到巨大的发电量中，故生产的电力价格低廉。很明显，大型水坝可存储大量的水和更多的势能，同理，较高的大坝和较深的水库可更为迅速地产出更多的能量。

可以假定通过开凿河流的方式将这部分能量输送到消耗点。但是，开凿一定规模的河流是一项庞大的工程，对环境造成的影响非同小可，因此，将这种能量传送给消费者之前还是需要转换成电。

潮汐资源的开发与常规的河流水力资源的开发相同，但波浪的动力不同于用大坝储存的势能，这两种海洋动力（潮汐和波浪）的储存均与7力的势能储存不同，波浪的强度虽然随时间变化所不同，但它有连续性，潮汐能量则呈有规律的间歇性，确实需要短时的储存来消除这种间歇性。

水力发电也可以作为二次能量载体来储存。间歇性能源的额外动力（如太阳能或风能）可以用来驱动泵，将水打入水库或高架罐，有效地将剩余动力作为势能储存起来。同理，非高峰时间产出的能量，其多余部分也可以储存起来备用，需求量达到高峰或一次能量不够用时，就可以让水再向下流过透平发电，这种系统的净效率可高达64%，如果是商业规模的应用，就必须建两个大水库，二者之间要有充分高差。目前规模最大的这种设施在密执安州的路丁顿（Luddington），该项目在海拔高于密执安湖250英尺处建了一座大人工湖，非高峰期时，将密执安（Michigan）的湖水打入人工湖中，高峰期需要更多动力时，使这部分水就经透平再流回密执安湖，可生产2000兆瓦的能量，其最高储存能力可达15000兆瓦小时。目前还有几处正在建的地下蓄水库，以达到同样目的（注16，原书有两处注16），这些项目由于地形的原因，成本是很严重的制约因素。

地热

顾名思义，地热能量的表现形式就是热，要想有效地储运非常困难。确实，该能量形式有一个很大的限制因素，热量一般从高温处向低温处流动，这样，传输介质不可避免地将热量向周围扩散，隔热措施也只是材质散热速度慢而已，就像把稻草垫在漏水的桶底部——它可以放慢损失速度，但无法消除损失，所以，用稻草补过的水桶还需要快速移动才行。即使在井简内，生产初期产出的蒸汽或水也会向井简周围扩散大量的热，造成热损失，一段时间之后，井简周围岩石热量累积，热损失大大降低。将热流体输送到发电机地面管网的过程中热损失更为严重，且不会随时间的推进而有所好转，蒸汽管线周围的空气流动，迅速将热量带走，持续较高的温差，又加剧了热损失。

如前所述，管线热膨胀与热损失是需要同样关注的问题。地热蒸汽使钢受热，造成井口膨胀，高出地面，同样也使得井口到电厂的蒸汽管线产生膨胀。如果生产管线为两端固定的直管线，则膨胀后就会弯曲，因此，地面管网施工时，一定要留出膨胀余地，采用膨胀圈或者采用平口管。膨胀圈是预制成环形的管节，形状类似于过山车轨道，出现热膨胀时，环形管两端的管趋于聚到一起，使回路增大；平口管也是一种管节，两端的连接处均旋转90°，管节连接的一端是母螺纹接箍（螺纹在内侧），另一端是公螺纹接箍（螺纹在外），管节连接时，母螺纹接头（凸起端）与公螺纹接头（凹陷端）实行螺纹连接，使连接的两端紧密结合，这种连接密封性好，连接的两根管相互又可转动。平口管连接时，由于管端弯曲90°，膨胀时连接的两根管节呈剪刀式移动，一组这样的管连接就形成了平口管连接（蚱蜢腿连接），管膨胀时，管支架部分一起弯曲。很明显，无论采用哪种膨胀连接形式，膨胀时，管线的管体都要能前后移动。专门设计的管线还采取了隔热措施，降低热损失。所有这些设计都增加了管线成本，目的都是为了降低传输过程中不可避免的能量损失，因此，蒸汽的传输距离都不是太远。

利用地热的目标是尽可能在近井地带将热量转换成电能，然后像利用其他非可燃资源一样，以电的形式传送给消费者。

核动力

就像可燃资源一样，裂变物质也可以通过简单的机械方法集输。储存过程中，自然放射性衰变会引起损失，同样不稳定的核子使物质发生裂变，造成放射性衰变趋于变成稳定的核质量和核配置。衰变本身呈指数特点，用半衰期计量，半衰期就是一种同位素的一半衰变成其下一等级所需的时间。铀235这种天然放射性元素，其裂变同位素的半衰期超过70万年，所以存储过程中的损失可忽略不计，只占年存储量的十万分之一。

要想提高效率，就需要在铀矿现场或附近处理矿石，因为只有少部分的纯铀含有裂变同位素，如果运送含有杂质的铀矿石，会耗费大量的能量。因此，就像前一章所描述的那样，一般都是在铀矿现场对矿石提纯并富化，富化的热产品被装入铅衬容器，每个容器都要小心地固定好，以防发生自发连锁反应。

大型兆瓦核裂变反应堆年耗燃料量仅为5000吨，故总的运输成本远低于其他常规的化学可燃燃料。比如，当量兆瓦发电站年燃煤量超过200万吨，足可装满200辆运煤专列，每周要有4趟运煤专列到达该电厂（假设该电厂以其发电能力70%的平均水平运行）（注17）。

利用核动力的每一步都涉及环保和健康问题。普遍的观点认为放射性极其致命，因此要采取超常的预防措施防止存储及运输的放射性物质发生泄漏。放射性物质必须装在辐射无法穿透的密封容器中，就像腐蚀性化学物质所用的容器一样，确实，高强度辐射非常危险，需要像搬运剧毒化学品那样小心。

核动力必须用于和平的发电用途。

感谢题主的邀请，我来说下我的看法：

说真的，CAN总线和光纤之间完全没有可比性，它们没有谁能够简单替换谁这种关系。CAN总线是一种控制系统，是一种现场总线，它是有上层的通讯协议的。光纤是一种材料，是一种数据传导方式，其优点为数据传输速度快，损耗少，不易受干扰。如果你觉得你使用CAN总线通讯距离有限，你可以将其先转换为光信号在光纤线里面进行传输，然后到地方再转换回来。无论是CAN总线还是光纤，工业领域里都经常会被用到，但如果范围局限在工业控制上，那CAN总线毫无疑问是更好的选择了，你清楚了吗？如果您需要相关的CAN转光纤转换器的话，可以前往我们的网站进行具体的咨询，欢迎来访。

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