为什么掺杂会是金属性变为半导体

掺杂在一般能浓度下对载流子的迁移率影响不大,主要是通过增加杂质载流子浓度改变电导率.只有在重掺杂时才会是迁移率下降,不过载流子浓度增加的更多一些,总体使电导率升高.

温度的影响对于本征半导体主要是是迁移率下降,影响电导率.（但是对于掺杂半导体比较麻烦对于迁移率和载流子都会有影响）

光照激发则是产生光生非平衡载流子,改变载流子浓度产生附加电导.（但其迁移率基本不变）

可以用金子做半导体吗？金子不是本征半导体，可以掺杂到半导体中，制成掺杂半导体。但工艺复杂，性能没有提高，成本又高。不会这样去做。目前制造半导体一般还是用第三到第六主族元素和第二副族的部分元素。（硼、铝、碳、硅、镓、锗、砷、硒、铟、锑、碲、镉、锌、硫）最常用的是硅、锗。

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