半导体物理中的金属半导体接触，怎么看看能带向上弯曲还是向下？

如果你说的是半导体与电解液接触的话，那么：能带弯曲与 半导体/电解液结 有关对于一个n型半导体当其费米能级等于平带电势时，半导体与电解液之间没有电荷流转，在半导体与电解液接触界面两侧没有多余电荷，因此在固液界面的半导体一侧不会出现能带弯曲。如果电子从电解液流向半导体（即半导体的费米能级低于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是累积层，半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝下。如果电子从半导体流入电解液（即半导体的费米能级高于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是耗尽层（由不能移动的带正电的电子施主形成），半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝上。如果电子过多的从半导体流入电解液以至于固液界面处的电子浓度低于半导体的本征电子浓度，此时在固液界面的半导体一侧得到的是反型层，半导体靠近界面处的能带弯曲朝上加剧，同时半导体表面呈现p型特征（半导体体相依旧为n型）。p型半导体与电解液接触形成半导体/电解液结的原理与n型半导体相同，只是在p型半导体中可移动的载流子为空穴。（来自冯建勇博士论文：(氧)氮化物的制备及其光电化学水分解性能的研究）

cvd：Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积，众多薄膜沉积技术中的一种。pvd:（Vapor )，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。ALD:原子层沉积。拓展由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。

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