什么叫高纯锗

高纯度的锗是半导体材料。从高纯度的氧化锗还原，再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶，可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。

中文名： 锗

外文名： Germanium

拼音： zhě

化学符号： Ge

原子序数： 32

相对原子质量： 72.64

发现人： 温克勒

锗（旧译作鈤）是一种化学元素。锗的物质形态是一种灰白色的类金属。锗的性质与锡类似。锗最常用在半导体之中，用来制造晶体管。1886年，德国的文克勒在分析硫银锗矿时，发现了锗的存在；后由硫化锗与氢共热，制出了锗。

望采纳。

（锗）

zhěㄓㄜˇ

◎ 一种金属元素，灰白色结晶，质脆，是重要的半导体材料。

汉英互译

--------------------------------------------------------------------------------

◎ 锗

germanium germanium n.

English

--------------------------------------------------------------------------------

◎ germanium

元素名称：锗

元素符号：Ge

元素英文名称：

元素类型：金属元素

原子体积:(立方厘米/摩尔)

13.6

元素在宇宙中的含量:(ppm)

0.2

元素在太阳中的含量:(ppm)

0.2

元素在海水中的含量:(ppm)

太平洋表面 0.00000035

地壳中含量：（ppm）

1.8

相对原子质量：72.61

氧化态：

Main Ge+2, Ge+4

Other

化学键能： (kJ /mol)

Ge-H 288

Ge-C 237

Ge-O 363

Ge-F 464

Ge-Cl 340

Ge-Ge 163

原子序数：32

质子数：32

中子数：41

摩尔质量：73

所属周期：4

所属族数：IVA

电子层排布：2-8-18-4

晶体结构：晶胞为面心立方晶胞，每个晶胞含有4个金属原子。

晶胞参数：

a = 565.75 pm

b = 565.75 pm

c = 565.75 pm

α = 90°

β = 90°

γ = 90°

莫氏硬度：6

声音在其中的传播速率：（m/S）

5400

电离能 (kJ/ mol)

M - M+ 762.1

M+ - M2+ 1537

M2+ - M3+ 3302

M3+ - M4+ 4410

M4+ - M5+ 9020

M5+ - M6+ 11900

M6+ - M7+ 15000

M7+ - M8+ 18200

M8+ - M9+ 21800

M9+ - M10+ 27000

常见化合价：+4

颜色和状态:银白色固体

密度：5.35克/厘米3

熔点：937.4℃

沸点： 2830℃

原子半径：

发现人：文克勒发现年代：1886年

发现过程：

1886年，德国的文克勒在分析硫银锗矿时，发现了锗的存在；后由硫化锗与氢共热，制出了锗。

元素描述：

粉末状呈暗蓝色，结晶状，为银白色脆金属。密度5.35克/厘米3。熔点937.4℃。沸点2830℃。化合价+2和+4。第一电离能7.899电子伏特。是一种稀有金属，重要的半导体材料。不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液。溶于王水、浓硝酸或硫酸、熔融的碱、过氧化碱、硝酸盐或碳酸盐。在空气中不被氧化。其细粉可在氯或溴中燃烧。

元素来源：

存在于煤、铁矿和某些银矿、铜矿中，也成锗石产出。可由二氧化锗用碳还原制得。也可以煤所发生炉生产烟道中的灰尘中回收。

元素用途：

高纯度的锗是半导体材料。从高纯度的氧化锗还原，再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶，可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。

锗单晶可作晶体管，是第一代晶体管材料。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数，对红外线透明，不透过可见光和红外线，可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。锗和铌的化合物是超导材料。二氧化锗是聚合反应的催化剂，含二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散性能，可作广角照相机和显微镜镜头，三氯化锗还是非功过新型光纤材料添加剂。

锗，具有半导体性质。对固体物理和固体电子У姆⒄钩��匾�饔谩U嗟娜勖芏?.32克／厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。现代工业生产的锗，主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品。

元素辅助资料：

锗、锡和铝在元素周期表中是同属一族，后两者早被古代人们发现并利用，而锗长时期以来没有被工业规模的开采。这并不是由于锗在地壳中的含量少，而是因为它是地壳中最分散的元素之一，含锗的矿石是很少的。

门捷列夫曾预言了之一元素的存在，把它成为类硅。直到1886年，锗终于被德国夫赖堡（Frieberg）矿业学院分析化学教授文克勒发现。他是在分析夫赖堡附近发现到一种新的矿石——argyrodite（辉银锗矿4Ag2S·GeS2）的时候，发现有一未知的新元素并通过实验验证了自己的推断。

从德国的拉丁名germania命名新元素为germanium（锗），以纪念发现锗的文克勒的祖国。元素符号定为Ge。锗继镓和钪后被发现，巩固了化学元素周期系。

元素符号Ge，原子序数32，原子量72.59，外围电子排布式4s24p2，原子半径122皮米，Ge4+半径53皮米，第一电离能769.12千焦/摩尔，电负性1.8，主要氧化数为+4、+2。位于第四周期ⅣA族。银白色有光泽金属，质脆，晶体锗具有金刚石结构，密度5.35克/厘米3，熔点937.4℃，沸点2830℃。室温下在空气中较稳定，在高温下能被氧化。粉状锗可在氯或溴中燃烧。不溶于水和盐酸及稀硫酸。能溶于浓硝酸、浓硫酸或王水。不溶于稀苛性碱溶液；可溶于熔融的苛性碱、硝酸盐或碳酸盐，生成锗酸盐。能跟硫化合生成硫化锗。在1000℃以上可跟氢化合。高纯度锗是半导体材料，掺有微量特定杂质的锗单晶可用于制各种晶体管、整流器及其他器件，作为温差电池材料用于制太阳能电池、光电池，用于制热敏电阻、薄膜电阻、半导体温度计、专门透过红外线的锗窗、棱镜或透镜等。锗的化合物用于制荧光板及各种高折光率玻璃。锗属于稀散元素，没有可供工业开采的矿石，在地壳中占质量的7.0×10-4，在煤、银、锡、锌、铜等矿中含有少量。近代工业生产主要以硫化锌矿、煤以及冶金废料或烟道灰尘中回收。门捷列夫于1871年曾预言其存在，十四年后德国化学家文克勒于1885年在分析硫银锗矿时发现了锗，后由硫化锗与氢共热，制出了锗。提炼锗的原理是先将硫化物矿氧化，使矿石中的硫化锗转化为二氧化锗，再用盐酸溶解并蒸馏，利用四氯化锗的挥发性将它分离出来。再将四氯化锗水解，使其转变为二氧化锗，然后在低于540℃的温度用氢气还原氧化锗 化学式GeO2，式量104.59。白色粉末不溶于水，不跟水反应。是以酸性为主的两性氧化物。可溶于浓盐酸生成四氯化锗，也可溶于强碱溶液，生成锗酸盐，如：

GeO2+2NaOH=Na2GeO3+H2O

用作半导体材料。由锗加热氧化或由四氯化锗水解制得。 化学式GeCl4，式量214.43。无色液体，能与硫酸混溶，遇水分解生成二氧化锗。密度1.879克/厘米3，熔点-49.5℃，沸点83.1℃。制半导体锗的原料。由浓盐酸溶解二氧化锗制得。