上海新阳拟募资15亿元投向高端光刻胶等项目 部分核心技术已获突破

上海新阳拟借助资本市场攻关高端光刻胶研发。

8月15日，上海新阳(300236)披露定增预案，公司拟向特定对象发行股票募集资金不超过15亿元，其中7.32亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，3.48亿元用于集成电路关键工艺材料项目，4.20亿元用于补充公司流动资金。

预案显示，以ArF光刻胶、KrF厚膜光刻胶为代表的高端光刻胶以及工艺的主要技术和专利目前都掌握在国外的企业与研究部门，这些企业几乎占据了国内外高端光刻胶市场全部份额，这种局面严重制约了我国集成电路产业的自主发展。

要攻坚高端光刻胶研发，上海新阳底气何在？据介绍，公司自成立以来，坚持自主创新，成立前10年通过自主研发掌握了面向半导体封装领域的第一代电子电镀与电子清洗技术，成立后10年通过自主研发掌握了面向芯片制造领域的第二代电子电镀与电子清洗技术，为我国芯片制造铜互连工艺填补了国产材料的空白。

“公司已将高端电子光刻技术作为公司发展的重点，研发成功后将成为公司的第三大核心技术，掌握高端光刻胶的产业化技术是公司的战略发展需要。” 上海新阳在预案中表示。

力争于2023年前实现产业化

据披露，上海新阳此次定增对象为不超过35名特定对象，股票发行数量不超过8719.47万股，发行价格不低于定价基准日前20个交易日公司股票均价的80%。

具体来看本次募投项目，募资总额（15亿元）中的7.32亿元将用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目（简称“光刻胶项目”），主要开发集成电路制造中ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的 KrF厚膜光刻胶产品，力争于2023年前实现上述产品的产业化，打破国外垄断，达到国际先进技术水平。

该项目投资总额预计9.33亿元，主要用于设备购置及维护、人员支出、测试化验加工费等。若项目按计划进度进行，预计KrF厚膜光刻胶2021年开始实现少量销售，2022年可实现量产，预计ArF（干式）光刻胶项目在2022年可实现少量销售，2023年开始量产，预计当年各项产品销售收入合计可达近2亿元。经公司测算，项目预计内部收益率（所得税后）为26.14%，投资回收期（所得税后）为7.47年，项目净现值为7.23亿元（假设必要收益率为12%）。

上海新阳表示， 预计光刻胶项目研发及产业化成功后，公司将掌握包括光刻胶主要原料纯化工艺、产品配方、生产工艺和应用工艺技术在内的、具有完整知识产权的ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶的规模化生产技术，可实现两大类光刻胶产品及配套试剂的量产供货，并预计将取得20个以上发明专利。

谈及本次光刻胶项目的必要性，上海新阳阐述，自2003年起，半导体产业进入了ArF（193nm）光刻时代，先进制造工艺使用量最高的半导体光刻胶也是ArF光刻胶。目前，国内90-14 nm半导体制程的高端半导体芯片制造所用的ArF光刻胶100%需要进口，其中超过90%为日本制造，ArF高端光刻胶产品在国内一直是空白。光刻胶产品有着很高的技术壁垒，到目前为止，欧美及日本等国家仍对中国禁止输入ArF光刻胶技术。

据悉，在下游行业3D NAND的光刻技术发展中，KrF光刻技术占主要地位，所需的厚膜光刻胶市场需求量大，感光性能要求高，光刻胶图形侧壁要求笔直，抗刻蚀能力各项异性要求高，但目前该种类的光刻胶多为日韩、欧美等国家提供，代表现阶段及未来5年内处于主流地位的3D NAND制造用的厚膜光刻胶仍难觅国内光刻胶供应商踪影，市场被日本、欧美等光刻胶企业把持。

上海新阳指出，故中国想要掌握ArF和KrF厚膜等高端光刻胶技术只有自力更生、自主创新，高端光刻胶国产化替代势在必行。

部分核心技术已取得突破

据介绍，若该项目成功实施，对我国半导体材料行业来说打破了国外垄断，实现了又一关键材料的自主化。从行业上下游来说，实现了我国集成电路产业掌握核心技术的重要一环，减小发生类似2019年下半年日本限制对韩国出口三项半导体关键材料的“卡脖子”事件的可能，提高了我国整个集成电路产业的安全性。

对公司而言，实施项目是占领技术和市场高地、进一步巩固行业地位、拓展新业绩增长点的重要发展方向，具有重大战略意义。

从项目实施的可行性来看，上海新阳自2017年以来即开始筹备研发光刻胶项目，目前已为光刻胶项目专门配备了由多名海外顶尖专家和国内优秀研发人才组成的团队，并仍在持续引进高端人才。已经引进的专家均在全球知名光刻胶厂商供职20年以上，拥有开发 KrF 以及 ArF 干法等光刻胶及相关关键材料的丰富经验，还拥有光刻胶树脂及各种光引发剂的开发设计及应用经验，对光刻胶及原材料的研发体系也具有良好的基础。

除外部引进专家人才外，公司也建立了内部的人才梯队，由公司总经理方书农博士亲自担任项目负责人等。据悉，公司前期已在光刻胶项目上投入大量资金，采购了包括光刻机在内的多套光刻胶研发和检测高端设备。

上海新阳透露， 经过长期投入，目前部分核心技术已取得突破，ArF干法光刻胶和 KrF厚膜光刻胶均已形成实验室成果，样品关键参数指标已达到竞品水平，产品已经过数千次试验，得到令人满意的试验结果。目前实验室研发阶段已完成，正在进行中试及后续验证推进。

联合开发化学机械抛光液

本次募资的另一个投向是集成电路关键工艺材料项目，该项目将由公司全资子公司合肥新阳实施。通过实施本项目，公司将为芯片铜互联超高纯硫酸铜电镀液系列、芯片刻蚀超纯清洗液系列等产品合计新增年产能17000吨。

从项目经济效益来看，集成电路关键工艺材料项目总投资额预计3.5亿元，项目建设期两年，完全达产后预计年均营业收入55050.20万元，利润总额为9970.02万元，项目内部收益率（所得税后）为14.70%，投资回收期（所得税后）为8.03年。

同日，上海新阳还宣布，公司已于8月13日同上海晖研签署战略合作协议， 双方拟就化学机械抛光液（CMP Slurry）的开发、生产、销售开展合作，战略合作期限暂定为5年。

据介绍，上海晖研具有化学机械抛光液产品研发团队，具有化学机械抛光液产品研发、生产工艺技术及质量管控、客户技术服务能力等专有技术。上海新阳具有化学机械抛光液产品生产基础条件与产品销售渠道；双方达成产品研发、生产、销售与服务的合作关系。

电镀液的配制方法的配位剂和主盐的加入顺序、配制电镀液时应注意的问题、电镀液的维护管理等问题。因不同种类镀层需要的电镀液的成分不同，因此，其配制的具体方法也各不相同，应按具体的电镀液配制工艺和注意事项正确配制。但由于各种电镀液的配制方法和顺序是大致相同，通常遵循以下个基本要求：1配位剂和主盐的加入顺序十分重要(1)在镀槽中添5%左右体积的蒸馏水后，把计算量的配位剂和导电盐类等化学药品在搅拌条件下逐渐加入，使它溶解在水中，还应对电镀液及时进行加热或降温，促使化学药品全部溶解。(2)把计算量的主盐类化学药品溶解在以上电镀液中，还可先在另一容器中用少量蒸馏水调成糊状后再加入。主盐的加入要在加入配位剂后进行，充分保证主盐的溶解和配位化合。(3)把添加剂、光亮剂等化学药品分别溶解在另外的容器中，再加入以上电镀掖中。(4)补充蒸馏水达到规定体积，调整电镀液pH值后，再过滤、分析凋整、进行通电处理，试镀合格后应正常使用。2配制电镀液时应注意的问题(1) *** 作人员要穿戴好防毒、防酸、防碱的防护用品。(2)配制氰化物等有毒电镀液，要严守安全 *** 作规程。(3)有毒电镀液的配制一定在良好通风设备运行的环境下进行。(4)严格执行电镀液配制的工艺程序，遵守各组成物配制的顺序，如配位剂和主盐，酸与水等的先后顺序。3电镀液的维护管理要掌握维护电镀液和去除杂质的方法。电镀过程的 *** 作非常复杂，生产过程中电镀液各组成成分的含量时刻在出现变化，因此，对电镀液进行严格的管理和维护是保证得到合格镀层的关键环节。所以，要注意以下几点：(1)定期分析电镀液，要按分析结果对电镀液成分进行适当的调整。要用蒸馏水或去离子水分别溶解计算所需量的各成分，按电镀液配制的先后顺序加入到镀槽中，再经过滤、通电处理、分析调整，试镀合格后就能正常使用。(2)在电镀液使用过程中一定要定期过滤，排除有害杂质。(3)光亮剂等添加剂的添加量要用霍尔槽试验的方法或按生产消耗定量添加。(4)为减少由于阳极过量溶解而对电镀液造成污染，电镀过程中要使用阳极套。电镀结束后，一定要把阳极板及时取出。在阳极出现钝化现象时要去除钝化膜，并通过对电镀液的分析调整消除阳极钝化。

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