硅中掺铟和磷形成什么半导体

N型半导体。

在纯硅中掺杂（doping）少许的施子（即五价原子，最外层有5个电子的原子）如磷、砷、锑，施子的一个价电子就会成为自由电子，如此形成N型半导体，自由电子为N型半导体中导电的主要载流子（多数载流子）。

N 型半导体是通过在制造过程中用电子供体元素掺杂本征半导体而产生的。术语n 型来自电子的负电荷。在n 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。n 型硅的常见掺杂剂是磷或砷。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

P型半导体

P型半导体是通过在制造过程中用电子受体元素掺杂本征半导体而产生的。术语p 型是指空穴的正电荷。与n 型半导体相反，p 型半导体的空穴浓度大于电子浓度。在p 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。硅的常见p 型掺杂剂是硼或镓。

若在纯硅中掺杂少许的受子（即三价原子，最外层有3个电子的原子）如硼、铝、镓、铟，就少了1个电子，而形成一个空穴（Hole，或称电孔），如此形成P型半导体，电孔为P型半导体中导电的主要载流子（多数载流子）。

1、硅导电，硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。

2、半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

扩展资料：

硅的物理性质：

有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。

半导体：最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应。

参考资料来源：百度百科——半导体

参考资料来源：百度百科——硅

在假定迁移率不变的情况下，硅的电阻率由载流子浓度决定。

室温下，硅有确定的本征载流子浓度。也即有确定的电阻率。

在掺杂的情况下，掺杂的浓度会远大于本征载流子浓度。则硅的电阻率，就完全由杂质浓度来确定。所以，这时硅的最大电阻率就与最低的掺杂浓度有关。用最低的掺杂浓度代表载流子浓度来计算，得出的就是最大电阻率值。

（供参考）

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