中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室成昭华课题组利用分子束外延技术生长出高质量的铁电Rashba半导体薄膜α-GeTe。前期的角分辨光电子能谱（ARPES）测量结果显示，α-GeTe同时具有表面和体Rashba能带结构，其体Rashba系数可至~4.3 eVÅ，对应的自旋劈裂能高达~2300 KBT【Xu Yang et al., Nano Lett . 21, 77–83(2021)】，这为实现室温非互易输运提供了可能性。最近，他们与沙特阿卜杜拉国王 科技 大学张西祥教授课题组合作，基于二次谐波探测技术，在α-GeTe中探测到可达室温的非互易输运行为，发现单向磁电阻与电流和外磁场强度均成正比。进一步研究表明非互易输运系数随着温度的增加而呈现非单调变化，这有别于以往的研究体系中非互易输运系数随着温度的增加而急剧减小的规律。
他们提出了Rashba体系中非线性的自旋流和电荷流的转换模型，很好地解释了实验结果，并确定α-GeTe的非互易电荷输运主要源于其体Rashba能带贡献。该工作不仅为未来整流器件的研究提供了新的思路，并且阐述了Rashba体系中非互易输运的微观机制。
相关工作近期发表于学术期刊《自然通讯》(Nature Communications).
博士后李岩（物理所博士毕业生）、博士生李阳为论文共同第一作者，成昭华研究员和沙特阿卜杜拉国王 科技 大学的张西祥教授为共同通讯作者。艾克斯-马赛大学的Aurélien Manchon教授给予了理论指导。该项研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金和中国科学院前沿科学研究计划的资助以及阿卜杜拉国王 科技 大学的支持。
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稀磁半导体系统工程分析方法及其应用稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors, DMS)结合了半导体的电荷输运特性和磁性材料的信息存贮特性,是构建新一代自旋电子器件的关键材料。由于磁性元素的引入,使得稀磁半导体拥有一系列不同于一般半导体的特性。稀磁半导体能够实现同时 *** 纵电子的电荷和自旋,使得电子的自由度增加,可以极大地提高磁存储的传输速率,因而引起很多研究者的关注。稀磁半导体是国际上研究的一个热点,而ZnO基稀磁半导体又是最引人瞩目的。目前多数3d过渡族元素(Transition metals,简写为TM))掺杂的ZnO都有实现铁磁性的报道,其中研究最为广泛的当属Co、Ni或Mn掺杂的ZnO,尽管取得了不少进展,但仍有许多问题(如ZnO：TM的磁性起源,ZnO：TM能否表现出内禀铁磁性等等)有待解决。在本论文中,利用磁控溅射制备了不同浓度的过渡族金属掺杂ZnO半导体样品。研究多种不同过渡金属掺杂ZnO半导体体系,对过渡金属掺杂导致ZnO基半导体的结构、光学以及磁学性质进行了详细的研究。结合SQUD、XRD和XPS等方法,解析过渡金属在基质ZnO中的存在方式,探讨铁磁性的产生机理,并重点对ZnO：V薄膜进行了研究。1.利用直流反应磁控溅射制备了ZnO：TM(V,Mn,Fe,Co,Ni)薄膜并对其结构,光学,磁学特性进行了研究。结果表明所有的薄膜都具有纤锌矿结构,在掺杂浓度相对较低的情况下,薄膜都沿着c轴取向生长,随着掺杂浓度的增大,有些薄膜变为非晶态,有些薄膜依然保持为多晶态。这是因为不同离子半径大小不同,使得晶格产生的畸变不同引起的。ZnO：V与ZnO：Fe薄膜的透过率都是随着薄膜的掺杂浓度的增大先减小后增大,而ZnO：Ni与ZnO：Co薄膜的透过率则随着掺杂浓度的增加而减小。2.在ZnO：TM(V,Mn,Fe,Co,Ni)薄膜中只有ZnO：V,ZnO：Mn薄膜具有室温铁磁性,其他均不具有室温铁磁性。经初步分析,在ZnO：Mn与ZnO：V中薄膜的铁磁性来源于薄膜中的掺杂离子与缺陷形成束缚磁极子。掺杂离子半径、缺陷浓度等都会不同程度的影响薄膜中束缚磁极子的形成。3.在不同条件下制备了ZnO：V系列样品,研究了总压强、氧偏压、衬底温度等工艺参数对ZnO：V薄膜结构及特性的影响。4.为了证明薄膜中的铁磁性与缺陷浓度有关,本文研究了退火对薄膜铁磁性的影响。研究表明,当退火温度小于500℃时,退火不会改变ZnO薄膜的纤锌矿结构。但晶体有所改善,晶粒逐渐增大,应力逐渐被释放,使得薄膜的透过率随着退火温度的增大而提高。薄膜在真空中退火会使其铁磁性增强,并且饱和磁化强度随着退火温度的增加而增加,在500℃退火薄膜的饱和磁化强度约为未退火薄膜的饱和磁化强度的两倍。而在空气中退火的薄膜并不具有室温铁磁性。5.在Si衬底上制备了不同V掺杂浓度的ZnO薄膜。在掺杂浓度比较小时薄膜具有高度的c轴取向,随着掺杂浓度的增大,(002)峰的强度逐渐减小。相同掺杂浓度的薄膜在Si衬底上比在玻璃上的结晶质量好。Si衬底上的薄膜的铁磁性与玻璃上制备的ZnO：V薄膜具有相同的趋势,但其饱和磁化强度较小,这从侧面说明了薄膜中的铁磁性与其缺陷浓度有关。6.采用了密度泛函理论的超软赝势能带计算方法,研究了纤锌矿ZnO及ZnO：Mn的电子结构,根据前面的实验结果,薄膜中Mn为四价Mn4+,为了保持电中性,去掉一个O2-。理论计算表明,ZnO：Mn的禁带宽度随着掺杂浓度的增大而逐渐增加,过渡金属Mn的掺入导致了自旋极化杂质能级的形成,电子自旋向上和自旋向下的总态密度分布存在着差别,具有不对称性,呈现铁磁性
逆变焊机
The engineering geological environment of urban is a complex system . Its complexity mainly expresses in its dynamic proporties under endo - genie and exogenic foroes, especially, human economic - engineering aotivity, as well as which causes a series of difficulties in the present evaluationand the trend forecast of the urban environmental engineering geology.This paper deal with the environmental engineering geological probl -ems caused by endogenic and exogenic factors. From the point of view of system engineering and technological method of knowledge en - gineering the basic way of urban environmental engineering geology has been approached. First, the paper elucidates the inevitability andessentialiity of the system engineering used to guide the study of the urban environemntal engineering geology. Second, taking Anshan City of liaoning Province, Tongohuan City of Shanxi Province, Nantong City of Jiangsu Province as exampls it presents in detail the methods of analysis, mumerioal simulation , quality evaluation and foroast ofurban environmental engineering geology on the basic of system engi -neering and computer technology. The earthquake risk analysis and emulation study of site seismic hazard effect in Anshan City ,thequality zonation of environmental engineering geology and system for - cast of geological hazard tendency in Tongchuan City , the grey for- cast of urban environmental engineering geology and analysis adep - ted for urban panning have been done. The computer aided working system which has various functions of data analysis, graphic analy - sis and symthesize evaluation hac been made . Form the aforementi -oned studies the technological way and method of environmental en -gineering geology of differential urbans have been aproached ,and some good suggests have been provided, which may be used to guide management of urban environmental engineering geological and the ur - ban pianning of three cities.
城市环境工程地质系统工程分析方法及其应用 在线阅读 整本下载 分章下载 分页下载 本系统暂不支持迅雷或FlashGet等下载工具
【英文题名】 Analytieal Method and Application of System Engineering for the City Environment Engineering Geology
【作者】 贾家麟
【导师】 胡海涛哈承佑
【学位授予单位】 中国地质科学院
【学科专业名称】 工程地质
【学位年度】 1992
【论文级别】 博士
【网络出版投稿人】 中国地质科学院
【网络出版投稿时间】 2007-12-20
【中文摘要】 城市的工程地质环境是城市发展所面监的复杂的系统之一。其复杂性集中表现在系统在内，外动力作用下，特别是在人类经济—工程活动作用下的动态变化特征及因此给人们评价和预测城市环境工程地质质量现状及发展趋势，制定有效的防治灾害和环境管理措施而带来的障碍。 本文分别以作用于城市的内、外两类动力因素而产生的环境工程地质问题为研究对象，应用系统工程学的研究杨想，知识工程学的技术手段，着重从方法学方面对开展城市环境工程地质工作的基本途径进行探讨。首先在理论上阐明了应用系统工程指导城市环境工程地质研究的必然性和必要性；进而以辽宁鞍山、陕西铜川、江苏南通三个城市为例，详细阐明了应用系统工程理论和计算机技术，进行环境工程地质分析、环境工程地质数学模拟、环境工程地质质量评价和预测的具体方法，完成了鞍山市城市地震危险性分析和场地震害效应仿真研究、铜川市城市环境工程地质质量分区和城市地质灾害发展趋势系统预测、南通市城市环境工程地质质量灰色预测与城市规划的适宜性分析，建立了用于数据分析、图形处理和综合评价的计算机附助工作系统，从中探求了进行不同类型城市环境工程地质研究的技术路线和技术方法，为三城市工程地质环...
【英文摘要】 The engineering geological environment of urban is a complex system . Its complexity mainly expresses in its dynamic proporties under endo - genie and exogenic foroes, especially, human economic - engineering aotivity, as well as which causes a series of difficulties in the present evaluationand the trend forecast of the urban environmental engineering geology. This paper deal with the environmental engineering geological probl -ems caused by endogenic and exogenic factors. From the point ...
【更新日期】 2008-03-28
【机标关键词】 南通市,地质环境,地面沉降,地质系统,工程地质研究,城市环境,江岸,铜川市,鞍山市,环境工程
系统工程方法与应用
作者：郝勇
ISBN：10位［7030203739］ 13位［9787030203731］
出版社：科学出版社
出版日期：2007-12-1
定价：￥26.00 元
内容提要
系统工程是管理科学与工程类专业的一门重要主干课程。本书以建立系统的思想为基础，以模型方法及其预测功能、评价功能和仿真功能为主要内容，以定量模型建立、分析、评价的逻辑过程为思维路线，结合实际案例，较系统地阐明了系统工程方法的应用。通过本书的学习，可以使学习者掌握系统工程的基本概念，掌握一些常用的分析方法，并具有应用系统工程思想、方法和技术解决社会、经济中实际问题的能力。
本书适合作为管理类和经济类专业的本科教材，也可用作社会、经济等各行业系统管理人员的参考书。
系统工程是20世纪中期产生并迅速发展起来的一门管理科学与工程方面的综合应用技术和方法，本书以建立系统的思想为基础，以模型方法及其预测功能、评价功能和仿真功能为主要内容，以定量模型建立、分析、评价的逻辑过程为思维路线，结合实际案例，较系统地阐明了系统工程方法的应用。本书的编写宗旨是提供一本较为适用的教科书和参考书，以期提高系统工程方法的应用效率、增强其运用效果。
目录
前言
第1章 系统与系统工程
1.1 系统的概念
1.2 系统工程的概念
本章思考题
第2章 系统模型方法
2.1 模型的概念
2.2 建立模型的方法
2.3 系统结构模型
2.4 层次分析方法
本章思考题
第3章 系统预测模型
3.1 系统预测概述
3.2 回归分析方法
3.3 时间序列分析
3.4 神经网络技术
本章思考题
第4章 系统评价模型
4.1 系统评价概述
4.2 因素分析方法
4.3 聚类分析方法
4.4 数据包络分析
本章思考题
第5章 系统仿真模型
5.1 系统仿真概念
5.2 蒙特卡罗方法
5.3 系统动力学方法
人物经历1979年，李树深进入河北师范大学物理系学习 。
1983年，本科毕业后留校工作，在河北师范大学物理系任教，先后担任助教(1983年7月-1986年8月)、讲师(1989年5月-1993年8月) 。
1986年，考取西南交通大学固体物理专业硕士研究生。1989年，获得硕士学位。
1994年，考取中国科学院半导体研究所博士研究生。1996年，获得博士学位。曾先后在日本NEC电器株式会社筑波研究所、义大利国际理论物理中心和香港科技大学物理系进行光电子器件相关性能预测研究。
2003年，获得国家杰出青年科学基金资助 。
2006年，担任中国科学院半导体研究所副所长、党委副书记(至2011年) 。同年担任国家创新研究群体"半导体低维结构中的量子调控"学术带头人。
2009年，担任国家重大科学研究计画项目(973项目)首席科学家。入选国家级"新世纪百千万人才工程"。
2011年，当选为中国科学院院士(科学院信息技术科学部) ，11月获得何梁何利基金科学与技术进步奖 ，12月出任中国科学院半导体研究所所长(至2018年4月)、党委书记(2014年6月) 。
2015年11月21日，开发中国家科学院第26届院士大会上，李树深正式成为开发中国家科学院士，任期为2016至2018年 。
2017年12月，中国科学院官网"院领导集体"页面更新显示，中国科学院党组成员李树深同时担任副院长一职 。
2018年5月7日，中国科学院大学领导班子个别调整宣布会议在玉泉路校区礼堂报告厅召开，会议由中科院人事局局长孙晓明主持，会上孙晓明宣读了院党组的决定:李树深同志任中国科学院大学校长(兼，法定代表人)。
主要成就 科研成就 科研综述李树深主要从事半导体低维量子结构中的器件物理基础研究。提出了研究半导体耦合量子点(环)电子态结构的一种物理模型，理论上确定了半导体量子点可以吸收垂直入射光，发现了半导体量子点电荷量子比特真空消相干机制，发展了电子通过半导体量子点的量子输运数值计算方法 。
承担项目&成果奖励李树深先后参加和主持国家八五、九五攀登计画、国家重大基础研究计画项目(973项目)及国家自然科学基金委和中国科学院重大、重点项目多项 ，2004年、2009年和2017年三次获国家自然科学二等奖 。
承担项目
时间 项目名称 项目来源 2009-2013 微纳结构中的量子调制和套用探索 国家科技部重大基础研究计画(973)项目 2007-2010 半导体低维结构中量子调控 中国科学院与国家外国专家局创新团队国际合作伙伴计画项目 2006-2014 半导体低维结构中的量子调控 国家自然科学基金委创新群体基金项目成果奖励
时间 项目名称 奖励名称 来源 2004年 半导体纳米结构物理性质的理论研究 国家自然科学奖二等奖，排名第二 2009年 半导体低维结构光学与输运特性 国家自然科学奖二等奖，排名第一 2017年 新型半导体深能级掺杂机制研究 国家自然科学奖二等奖，排名第四 论文著作截至2017年，李树深在包括《美国科学院院刊》、《美国物理评论快报》在内的中国国内外重要学术期刊发表论文200余篇 。
代表性论著(10篇)
[1]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Effective-mass theory for GaAs/GaAlAs quantum wires and corrugated superlattices grown on (311) oriented substrates. Phys. Rev. B50, 8602 (1994).
[2]. Shu-Shen Li , Jian-Bai Xia, Z. L. Yuan, Z. Y. Xu, Weikun Ge, Y. Wang, J. Wang, and L. L. Chang, Effective-mass theory for InAs/GaAs strained coupled quantum dots. Phys. Rev. B54, 11575 (1996).
[3]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Intraband optical absorption in semiconductor coupled quantum dots. Phys. Rev. B55, 15 434 (1997).
[4]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Electronic structures of InAs self-assembled quantum dot in an axial magic field. Phys. Rev. B58, 3561 (1998).
[5]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Electronic states of InAs/GaAs quantum ring. J. Appl. Phys. 89, 3434 (2001).
[6]. Shu-Shen Li , Gui-Lu Long, Feng-Shan Bai, Song-Lin Feng, and Hou-Zhi Zheng, Quantum puting. Pro. Natl. Acad. Sci. USA, 98(21), 11847 (2001).
[7]. Shu-Shen Li , Kai Chang, Jian-Bai Xia, and Kenji Hirose, Spin-dependent transport through Cd1-xMnxTe diluted magic semiconductor quantum dots, Phys. Rev. B68, 245 306 (2003).
[8]. Shu-Shen Li , Kai Chang, and Jian-Bai Xia, Effective-mass theory for hierarchical self-assembly of GaAs/AlxGa1-xAs quantum dots, Phys. Rev. B71, 155 301 (2005).
[9]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Asymmetric quantum-confined Stark effects of hierarchical self-assembly of GaAs / AlxGa1-xAs quantum dots, Appl. Phys. Lett. 87, 043 102 (2005).
[10]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Electronic structures of N quantum dot molecule, Appl. Phys. Lett. 91, 092119 (2007).
人才培养2012年12月22日，中国科学院大学材料科学与光电技术学院第一次院务会上，作为学术委员会主任的李树深针对博士资格考试的议题谈到，国科大的博士生培养应该是精英教育，博士生的质量体现了国科大和中科院的教育水平，应当推行博士生资格考试，这对于树立学校的教育品牌非常重要 。
李树深长期担任中国科学院大学材料科学与光电技术学院院长和首届本科生1412班班主任，在他的带领下，中国科学院大学的材料学科进入ESI排名前万分之一，并入选首批国家一流学科建设名单。他丰富的科教融合工作阅历和经验，对国科大深入推进以人才队伍为核心的"科教融合3.0"、推动学校综合改革，整体提升创新能力起到重要作用 。
截至2016年，李树深一共培养了50多名博士和多名硕士，6名博士后出站。2009年指导的博士生李彦超获得朱李月华优秀博士生奖 。根据中国科学技术信息研究所、国家工程技术数字研究馆信息、全国图书馆参考咨询联盟，李树深培养学生情况如下 :
时间 题目 作者 学位 2016 二维材料光电性质的研究 杨珏晗 博士 2015 纳米系统中非平衡动力学过程的量子力学计算方法研究 王峙 博士 2015 Z--型石墨烯纳米带在Si(001)表面吸附及掺杂的第一性原理研究 李静 博士 2015 固态量子计算体系中自镟退相干的理论研究 马稳龙 博士 2014 高性能计算物理方法的开发及其套用 陈章辉 博士 2014 低维量子系统中输运性质的研究 沈曼 博士后 2013 自洽波恩近似主方程及其在量子点输运中的套用 刘玉 博士 2013 半导体量子点系统中的热电效应 郑军 博士 2013 海森堡自镟链系统中的量子关联 蔡江涛 博士 2013 二维耦合半导体量子点阵列的电子结构计算 彭娟 博士 2013 连续零结果观测下电子通过连续谱在量子点间的转移 平婧 博士 2013 量子自镟霍尔系统中输运性质的研究 安兴涛 博士后 2012 电荷量子比特的量子测量效率及退相干的研究 叶银 博士 2012 量子非局域性关联的研究 文伟 博士 2012 拓扑绝缘体表面量子散射效应的理论研究 付振国 博士 2012 H2O在Be、Zr和CeO2表面吸附的第一性原理研究 王双喜 博士 2012 低维结构中晶格弛豫现象的研究 王子武 博士 2011 透明导电材料CuI 缺陷和掺杂特性研究 王静 博士后 2010 纳米尺度半导体器件的量子力学计算研究 姜向伟 博士 2010 低维氧化锌半导体材料中的激子态 熊稳 博士 2010 半导体磁性掺杂和p-型掺杂的第一性原理研究 时洪亮 博士 2010 光子晶体中量子点的自发辐射及自镟-轨道耦合作用下的光跃迁 朱正勇 博士 2009 基于自镟相互作用的量子逻辑门及隐形传态 周越 博士 2009 二维体系中守恒自镟霍尔电导的研究 刘国才 博士 2009 强磁场中二维半导体材料的磁性研究 方诚 博士 2009 激子自镟-轨道耦合体系的物理和套用 王建伟 博士 2009 低维体系中的量子相变及其研究方法 李彦超 博士 2009 量子信息中的量子相变问题与强磁场中的紧束缚近似模型 袁子刚 博士 2009 固体中的量子纠缠和介观体系的热产生 周利玲 博士 2009 半导体微结构中电子的输运性质 李春雷 博士 2009 半导体材料磁性和光学性质的第一性原理研究 石丽洁 博士后 2008 耦合双量子点中杂质态体系的研究 王雪峰 博士 2008 低维半导体材料中掺杂机制的第一性原理计算 许强 博士 2008 量子点和量子环中的电子结构 王传道 硕士 2008 TiO2纳米材料的电子结构和半导体材料的铁磁性 彭浩为 博士 2008 透明导电氧化物Cu MO2的第一性原理研究 方志杰 博士 2008 AlInGaN四元合金的第一性原理研究 王飞 博士 2008 半导体和铁电材料的第一性原理计算 段益峰 博士 2008 半导体量子点中电子量子特性的研究 刘永辉 博士 2007 低维半导体异质结构中电子隧穿的研究 宫箭 博士后 2007 半金属zb-CrAs和稀磁半导体(Ga，Cr)As薄膜分子束外延生长和磁性质研究 毕京锋 博士 2007 双层半导体体系中激子动力学研究 王莉 博士 2006 自镟链和量子光学模型中量子纠缠的研究 张 *** 博士后 2006 在LOCC条件下直接探测未知量子态纠缠的方案 白彦魁 博士 2006 量子点的含时电子输运 杨谋 博士 2006 半导体纳米结构的电子结构计算 骆军委 博士 2005 双电子量子点的电子结构及其套用的理论研究 孙连亮 博士 2005 磁场中的垂直耦合自组织InAs/GaAs 双量子盘的电子态研究 董庆瑞 博士 2005 量子点中强关联电子的输运性质 迟锋 博士 2005 微波腔量子电动力学系统中量子纠缠的产生 金光生 博士 2005 连续变数量子信息的传输理论和纠缠度量 王亮 博士 2004 可扩展超导量子计算体系中的退相干艾合买提
.阿不力孜
博士 荣誉表彰 时间 荣誉/表彰 来源 享受国务院 *** 特殊津贴 2011年 中国科学院院士(信息技术科学部) 2011年11月 何梁何利基金科学与技术进步奖 2015年11月 开发中国家科学院士 社会任职 时间 担任职务 来源 2016年07月-2021年07月 中国科学院信息技术学部主任 2015年10月-2019年11月 中国电子学会副理事长 2009年-2013年 黄昆半导体物理科学奖(基金会)秘书长 国家自然科学基金委数理学部第11、12、14届专家评审组成员 第7届国家杰出青年科学基金评审委员会委员 信息学部第5、6届专家咨询委员会委员 科学出版社《半导体科学与技术》专著丛书编委 《半导体学报》常务副主编 《Nanoscale Research Letter》编委 《中国科学G辑:物理学 力学 天文学》中英文刊编委 《物理学进展》编委 《物理》编委 人物评价李树深从事低维半导体物理及器件、光电子器件性能预测、固态量子信息等物理基础研究，他的研究工作被国际同行广泛引用，其中包括国际著名半导体物理专家的综述性论文，并被写入专著 。(兰州大学评)
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