半导体的基础：何谓前道、后道工序工艺

前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。

湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高，仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化，还需要进行综合评估，以解决多步骤的问题。

扩展资料：

这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。

新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料，它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。

参考资料来源：百度百科-后道工序

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-前道工艺

给你大概翻译下吧：5.1 。地表类型效力不同的清洗方法是，在很大程度上依赖于正在清洁的表面，什么是被移出地面。在晶圆制造过程大致可被分解成前端线（ feol ）和后端线（ beol ） 。该feol是侧重于制作不同的装置弥补电路和beol是侧重于互联设备。在feol清洗表面被清洗，是典型的硅（ Si ）或二氧化硅（ SiO2 ）的。在beol清洗，金属层，是目前对晶圆，并允许清洁的解决办法是有限的银两feol清洗。 表面也可能被定性为疏水性或亲水性。二氧化硅表面的亲水性。亲水性的表面很容易湿式清洗解决方案和干燥过程中的任何粒子在表面上往往留在溶液中，直到解决的办法是清除出水面。硅表面的氧化氮是疏水性。疏水表面比较难清洁，清洁的解决方案不湿以及和干燥过程中的解决方案倾向于"串珠" ，就表面留下颗粒在表面上，而是保持颗粒在溶液中。 分析方法描述弄湿，并确定其是否表面是疏水性或亲水性，是测量接触角，见图5.1 。

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