辐照损伤的介绍

辐照对于材料和元器件（包括半导体器件和IC）产生损伤的基本机理是电离损伤和位移损伤。电离损伤主要是在半导体和绝缘体中产生电子-空穴对，需要的能量较低；而位移损伤主要是在半导体中产生晶格空位（即原子离开晶格位置后所留下的空位），需要的能量要高得多。半导体中的这些损伤也就是造成器件和IC的辐照效应的根本原因。

所谓半导体的辐射主要是器件在工作时产生的电磁场辐射，其他如有X射线功能的半导体器件辐射在特殊工种中才会遇到。日常如手机在拨号时会产生较大电磁场（>100mv),又如电脑显示器，电视机等都会有大小不等的磁场产生。人受辐射的影响是一个潜移默化的理论，当下城市大多人的正常生活中每天都会有半导体的辐射存在，但大多都是很小的磁场（<50MV，我曾经用示波器做过实验），基本不会担心有什么直接危害，但是长期的辐射下工作加上个人本身体质的原因，是有或多或少的影响，比如你会听说某核工业基地周围的人群癌症发病率高等案例，半导体器件的辐射没核辐射那么严重但你如果问危害的话就是类似原理，通过个人体质增强，注意饮食搭配，减少持续受辐射时间都是减少辐射危害的有效办法。

因为浪涌和静电击穿半导体掺杂越多寿命越短。根据查询网上相关公开信息显示除去人为使用不当、浪涌和静电击穿等等都是导致半导体器件的寿命缩短的原因，除此之外，有些运行正常的器件也受到损害，出现元器件退化，半导体元器件失效原因不可胜数。

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