半导体掺杂有什么作用？

半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。

纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。

半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质（如Si中的B、P、As）；第二类是产生复合中心的重金属杂质（如Si中的Au）。

扩展资料：

掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本征半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施体原子会在靠近导带的地方产生一个新的能阶，而受体原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅，则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特，远小于硅本身的能隙1.12电子伏特，所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化。

掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说，一个p-n结的能带会弯折，起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同，但是形成p-n结后其费米能阶必须保持在同样的高度，造成无论是p型或是n型半导体的导带或价带都会被弯曲以配合界面处的能带差异。

参考资料来源：百度百科——半导体掺杂技术

1、半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类，第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质，第二类是产生复合中心的重金属杂质。

2、热扩散技术是对于施主或受主杂质的掺入，就需要进行较高温度的热扩散。为了让晶体中产生出大量的晶格空位，所以，就必须对晶体加热，让晶体原子的热运动加剧，以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空位。

3、离子注入技术是为了使施主或受主杂质原子能够进入到晶体中去，需要首先把杂质原子电离成离子，并用强电场加速、让这些离子获得很高的动能，然后再直接轰击晶体。

首先要知道什么是费米能级,它表示什么.楼主也要明确一个概念,你所说的费米能级是掺杂费米能级,而不是本征费米能级.

（本征）费米能级以下,被电子占据的几率为50%,当你掺杂时,载流子电子增多,费米能级向导带移动,（通俗得想,电子多了,原来本征费米能级以下的地方还能够用吗?自然需要更多的空间,此空间是能量空间,不是我们通常认识的几何空间）,移动后的费米能级就是掺杂费米能级,而本征费米能给是不动的.

当掺杂越来越多,掺杂费米能级就越长越高,最后接近甚至进入导带,也就是常说的简并~

当掺杂P杂质时,掺杂费米能级将向价带移动.

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