测的CV曲线是有向上或者向下的两个峰的,用锂电池的术语来说就是氧化和还原峰。
CV曲线是由控制顶点控制的NURBS曲线。是用来测量半导体材料和器件的一种方法。该测量方法可以得到关于半导体掺杂,晶体缺陷之类的特性。
PL光谱指的是光致发光光谱,可以通过荧光光谱仪的发射光谱或者拉曼的PL测量功能获得,对于半导体来说峰位对应着带隙宽度,此外还有强度等信号。
当电子从高能级跃迁到低能级放出的能量以光子的形式发出,也就是释放出光子,而光子分为可见光和不可见光,当从n≥2向基态跃迁时发射的是紫外线、当从n≥4向n=3跃迁时发射的是红外线是不可见的,只有从n≥3向n=2跃迁时发射的是可见光。
指物质在光的激励下,电子从价带跃迁至导带并在价带留下空穴;电子和空穴在各自的导带和价带中通过弛豫达到各自未被占据的最低激发态(在本征半导体中即导带底和价带顶),成为准平衡态;准平衡态下的电子和空穴再通过复合发光,形成不同波长光的强度或能量分布的光谱图。光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。
以上内容参考:百度百科-光致发光光谱
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)