高二物理知识点归纳总结

固执于光的旧有理论的人们，最好是从它自身的原理出发，提出实验的说明。并且，如果他的这种努力失败的话，他应该承认这些事实。下面给大家带来一些关于 高二物理 知识点归纳，希望对大家有所帮助。

高二物理知识点归纳1

一、电流：电荷的定向移动行成电流。

1、产生电流的条件：

(1)自由电荷

(2)电场

2、电流是标量，但有方向：我们规定：正电荷定向移动的方向是电流的方向

注：在电源外部，电流从电源的正极流向负极在电源的内部，电流从负极流向正极

3、电流的大小：通过导体横截面的电荷量Q跟通过这些电量所用时间t的比值叫电流I表示

(1)数学表达式：I=Q/t

(2)电流的国际单位：安培A

(3)常用单位：毫安mA、微安uA(4)1A=103mA=106uA

二、欧姆定律：导体中的电流跟导体两端的电压U成正比，跟导体的电阻R成反比

1、定义式：I=U/R

2、推论：R=U/I

3、电阻的国际单位时欧姆，用Ω表示

1kΩ=103Ω,1MΩ=106Ω

4、伏安特性曲线：

三、闭合电路：由电源、导线、用电器、电键组成

1、电动势：电源的电动势等于电源没接入电路时两极间的电压用E表示

2、外电路：电源外部的电路叫外电路外电路的电阻叫外电阻用R表示其两端电压叫外电压3、内电路：电源内部的电路叫内电阻，内点路的电阻叫内电阻用r表示其两端电压叫内电压如：发电机的线圈、干电池内的溶液是内电路，其电阻是内电阻

4、电源的电动势等于内、外电压之和E=U内+U外U外=RIE=(R+r)I

四、闭合电路的欧姆定律：闭合电路里的电流跟电源的电动势成正比，跟内、外电路的电阻之和成反比

1、数学表达式：I=E/(R+r)

2、当外电路断开时，外电阻无穷大，电源电动势等于路端电压就是电源电动势的定义

3、当外电阻为零(短路)时，因内阻很小，电流很大，会烧坏电路

五、半导体：导电能力在导体和绝缘体之间半导体的电阻随温升越高而减小

六、导体的电阻随温度的升高而升高，当温度降低到某一值时电阻消失，成为超导

高二物理知识点归纳2

1.库仑定律：F=kQ1Q2/r2(在真空中){F:点电荷间的作用力(N)，k:静电力常量k=9.0×109N?m2/C2，Q1、Q2:两点电荷的电量(C)，r:两点电荷间的距离(m)，方向在它们的连线上，作用力与反作用力，同种电荷互相排斥，异种电荷互相吸引｝

2.两种电荷、电荷守恒定律、元电荷：(e=1.60×10-19C)带电体电荷量等于元电荷的整数倍

3.电场强度：E=F/q(定义式、计算式){E:电场强度(N/C)，是矢量(电场的叠加原理)，q：检验电荷的电量(C)｝

4.真空点(源)电荷形成的电场E=kQ/r2{r：源电荷到该位置的距离(m)，Q：源电荷的电量｝

5.电场力：F=qE{F:电场力(N)，q:受到电场力的电荷的电量(C)，E:电场强度(N/C)｝

6.匀强电场的场强E=UAB/d{UAB:AB两点间的电压(V)，d:AB两点在场强方向的距离(m)｝

7.电势与电势差：UAB=φA-φB，UAB=WAB/q=-ΔEAB/q

8.电场力做功：WAB=qUAB=Eqd{WAB:带电体由A到B时电场力所做的功(J)，q:带电量(C)，UAB:电场中A、B两点间的电势差(V)(电场力做功与路径无关),E:匀强电场强度,d:两点沿场强方向的距离(m)｝

9.电场力做功与电势能变化ΔEAB=-WAB=-qUAB(电势能的增量等于电场力做功的负值)

10.电势能：EA=qφA{EA:带电体在A点的电势能(J)，q:电量(C)，φA:A点的电势(V)｝

11.电势能的变化ΔEAB=EB-EA{带电体在电场中从A位置到B位置时电势能的差值｝

12.电容C=Q/U(定义式,计算式){C:电容(F)，Q:电量(C)，U:电压(两极板电势差)(V)｝

13.平行板电容器的电容C=εS/4πkd(S:两极板正对面积，d:两极板间的垂直距离，ω：介电常数)

14.带电粒子在电场中的加速(Vo=0)：W=ΔEK或qU=mVt2/2，Vt=(2qU/m)1/2

15.带电粒子沿垂直电场方向以速度Vo进入匀强电场时的偏转(不考虑重力作用的情况下)

类平垂直电场方向:匀速直线运动L=Vot(在带等量异种电荷的平行极板中：E=U/d)

抛运动平行电场方向:初速度为零的匀加速直线运动d=at2/2，a=F/m=qE/m

高二物理知识点归纳3

1.1什么是变压器?

答：变压器是借助电磁感应，以相同的频率，在两个或更多的绕组之间，变换交流电压和电流而传输交流电能的一种静止电器。

1.2什么是局部放电?

答：局部放电是指高压电器中的绝缘介质在高压电的作用下，发生在电极之间但未贯通的放电。

1.3局放试验的目的是什么?

答：发现设备结构和制造工艺的缺陷，例如：绝缘内部局放电场过高，金属部件有尖角绝缘混入杂质或局部带有缺陷，防止局部放电对绝缘造成损坏。

1.4什么是铁损?

答：变压器的铁损又叫空载损耗，它属于励磁损耗而与负载无关，它不随负载大小而变化，只要加上励磁电压后就存在，它的大小仅随电压波动而略有变化。包括铁心材料的磁滞损耗、涡流损耗以及附加损耗三部分。

1.5什么是铜损?

答：负载损耗又称铜损，它是指在变压器一对绕组中，一个绕组流经额定电流，另一个绕组短路，其他绕组开路时，在额定频率及参考温度下，所汲取的功率。

1.6什么是高压首端?

答：与高压中部出头连接的2至3个饼，及附近的纸板、相间隔板等叫做高压首端(强调电气连接)。

1.7什么是高压首头?

答：普通220kV变压器高压线圈中部出头一直到高压佛手叫做高压首头(强调空间位置)。

1.8什么是主绝缘?它包括哪些内容?

答：主绝缘是指绕组(或引线)对地(如对铁轭及芯柱)、对其他绕组(或引线)之间的绝缘。

它包括：同柱各线圈间绝缘、距铁心柱和铁轭的绝缘、各相之间的绝缘、线圈与油箱的绝缘、引线距接地部分的绝缘、引线与其他线圈的绝缘、分接开关距地或其他线圈的绝缘、异相触头间的绝缘。

1.9什么是纵绝缘?它包括哪些内容?

答：纵绝缘是指同一绕组上各点(线匝、线饼、层间)之间或其相应引线之间以及分接开关各部分之间的绝缘。

它包括：桶式线圈的层间绝缘、饼式线圈的段间绝缘、导线线匝的匝间绝缘、同线圈引线间的绝缘、分接开关同触头间的绝缘。

1.10高压试验有哪些?分别考核重点是什么?

答：高压试验包含空载试验、负载试验、外施耐压试验、感应耐压试验、局部放电试验、雷电冲击试验。

(1)空载试验主要考核测量变压器的空载损耗和空载电流，验证变压器铁心设计的计算、工艺制造是否满足标准和技术条件的要求，检查变压器铁心是否存在缺陷，如局部过热，局部绝缘不良等。

(2)负载试验主要考核产品设计或制造中绕组及载流回路中是否存在缺陷

(3)外施耐压试验主要考核产品主绝缘电气强度、主绝缘是否合理、绝缘材料有无缺陷、制造工艺是否符合要求

(4)感应耐压试验主要考核变压器的纵绝缘

(5)局部放电试验主要考核变压器的整体绝缘性能

(6)雷电冲击试验主要考核变压器绝缘结构、绝缘质量是否能经受大气放电造成的过电压的冲击。

1.11生产中为什么要注意绝缘件清洁?

答：绝缘件清洁与否对变压器电气强度影响很大，若绝缘件上有粉尘，经过油的冲洗就随油游动起来。因为粉尘中有许多金属粒子，它在电场的作用下，排列成串，形成带电体之间通路(搭桥)，从而破坏了绝缘强度，造成放电。电压越高，粉尘游离越严重，越容易放电。

高二物理知识点归纳4

1.两种电荷、电荷守恒定律、元电荷：(e=1.60×10-19C)带电体电荷量等于元电荷的整数倍

2.库仑定律：F=kQ1Q2/r2(在真空中){F:点电荷间的作用力(N)，k:静电=9.0×109Nm2/C2，Q1、Q2:两点电荷的(C)，r:两点电荷间的距离(m)，方向在它们的连线上，作用力与反作用力，同种电荷互相排斥，异种电荷互相吸引｝

3.电场强度：E=F/q(定义式、计算式){E:电场强度(N/C)，是矢量(电场的叠加原理)，q:检验电荷的电量(C)｝

4.真空点(源)电荷形成的电场E=kQ/r2{r:源电荷到该位置的距离(m)，Q:源电荷的电量｝

5.匀强电场的场强E=UAB/d{UAB:AB两点间的电压(V)，d:AB两点在场强方向的距离(m)｝

6.电场力：F=qE{F:电场力(N)，q:受到电场力的电荷的电量(C)，E:电场强度(N/C)｝

7.电势与电势差：UAB=φA-φB，UAB=WAB/q=-ΔEAB/q

8.电场力做功：WAB=qUAB=Eqd{WAB:带电体由A到B时电场力所做的功(J)，q:带电量(C)，UAB:电场中A、B两点间的电势差(V)(电场力做功与路径无关)，E:匀强电场强度，d:两点沿场强方向的距离(m)｝

9.电势能：EA=qφA{EA:带电体在A点的电势能(J)，q:电量(C)，φA:A点的电势(V)｝

10.电势能的变化ΔEAB=EB-EA{带电体在电场中从A位置到B位置时电势能的差值｝

11.电场力做功与电势能变化ΔEAB=-WAB=-qUAB(电势能的增量等于电场力做功的负值)

12.电容C=Q/U(定义式，计算式){C:电容(F)，Q:电量(C)，U:电压(两极板电势差)(V)｝

13.平行板电容器的电容C=εS/4πkd(S:两极板正对面积，d:两极板间的垂直距离，ω：介电常数)

常见电容器〔见第二册P111〕

14.带电粒子在电场中的加速(Vo=0)：W=ΔEK或qU=mVt2/2，Vt=(2qU/m)1/2

15.带电粒子沿垂直电场方向以速度Vo进入匀强电场时的偏转(不考虑重力作用的情况下)

类平垂直电场方向：匀速直线运动L=Vot(在带等量异种电荷的平行极板中：E=U/d)

抛运动平行电场方向：初速度为零的匀加速直线运动d=at2/2，a=F/m=qE/m

注：

(1)两个完全相同的带电金属小球接触时，电量分配规律：原带异种电荷的先中和后平分，原带同种电荷的总量平分

(2)电场线从正电荷出发终止于负电荷，电场线不相交，切线方向为场强方向，电场线密处场强大，顺着电场线电势越来越低，电场线与等势线垂直

(3)常见电场的电场线分布要求熟记〔见图[第二册P98]

(4)电场强度(矢量)与电势(标量)均由电场本身决定，而电场力与电势能还与带电体带的电量多少和电荷正负有关

(5)处于静电平衡导体是个等势体，表面是个等势面，导体外表面附近的电场线垂直于导体表面，导体内部合场强为零，导体内部没有净电荷，净电荷只分布于导体外表面

(6)电容单位换算：1F=106μF=1012PF

(7)电子伏(eV)是能量的单位，1eV=1.60×10-19J

(8) 其它 相关内容：静电屏蔽〔见第二册P101〕/示波管、示波器及其应用〔见第二册P114〕等势面〔见第二册P105〕。

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这个需要有一定的固体物理知识,其实也很好理解,你可以首先想象出一个空间直角坐标系.以硅举例,硅是由两个面心立方沿对角线方向也就是坐标(1,1,1)方向移动0.25对角线长度套构而成,所构成的复式格子,111方向只是一种观察方向而已,硅还可以从（1,0,0）（1,1,0）方向进行观察,如果要深究就去看固体物理的晶列指数和晶面指数和半导体物理的回旋共振实验.

第二个1/3也很好理解,空间坐标点（1,1,1）关于三个坐标轴投影的余弦值,就是一个单位立方体,对角线长度根号三,边长为1,余弦值：根号三除一,平方就是1/3,三个余弦值之和为1（这个知识点可以看高等数学的空间解析几何）

正半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件,随着电子技术是飞速发展,各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件,学习电子技术(特别是电子电器专业的)必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理,掌握它们的特性、参数和用途。而这对初学者来说是非常困难的,因为这对他们来说是一个新知识,以前从没接触过。我个人认为学习半导体元器件是一个循序渐进的过程,不能过于急迫，要上课认真听，不懂就问。“把面子放下来，把成绩收回来。”

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