半导体怎么封装 半导体封装方法

半导体封装件的制作方法及半导体封装件。该半导体封装件的制作方法包括。在第一晶片上形成分离层；在所述分离层上形成帽；使用衬垫键合所述帽和第二晶片；将所述第一晶片和所述帽分离，形成包括所述帽、所述衬垫和所述第二晶片的半导体封装件；其中，所述第二晶片上具有谐振器，所述谐振器包括衬底和多层结构，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体，使用帽结构对第二晶片上具有特殊腔体结构的谐振器等器件或结构进行隔离和保护，从而制造出结构性能更稳定、更优越的半导体封装件。

芯片封装前后的测试。半导体生产过程包括晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试。半导体封装测试是指根据产品型号和功能要求，将经过测试的晶圆加工成独立芯片的过程。封装过程是:来自晶圆前驱工艺的晶圆在划片工艺后被切割成小晶圆，然后将切割后的晶圆用胶水贴在对应基板(引线框架)的岛上，再用超细金属(金、锡、铜、铝)线或导电树脂将晶圆的焊盘连接到基板的对应引脚上，形成所需电路；然后，用塑料外壳保护独立晶片。塑封后还有后固化、切割成型、电镀印刷等一系列 *** 作。包装完成后，对成品进行检测，通常要经过检验、测试、包装等过程，最后入库、发货。典型的封装流程为:划片、封装、粘接、塑封、切边、电镀、印刷、切条、成型、外观检查、成品检测、包装出货。

封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户

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