两端通电,在内部会形成稳定电流,但在半导体的上下表面是没有电位差的;然后在半导体的两个对面的侧,加一个面磁场,这个时候在半导体另两个侧面上会形成电势差(因为内部的载流子在磁场作用下发生了偏转)。
因为N型半导体载流子是电子,故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。
如果条件允许,找一个掺杂已知的半导体,然后把他们粘到一起,组成个整体结,分别测两端电流导通情况,如果出现不能导通情况,则说明未知的和已知的相反,如果都导通,则相同。
当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在半导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。
看你这描述tray盘还需要用魔术带捆扎的 想必是JEDEC tray了吧
Tray角方向一般都是在tray盘左上角 有个约45度的斜角,直接可以目视看到
不知道你还需要用什么额外的治具检测?
是想在自动化设备上料端加装感应sensor吗?
利用X光对样品内部的结构特征进行无损检测;3D CT扫描功能使被测样品结构重建,能旋转样品从任意角度观察样品或者失效点。 u 性能参数 a)几何放大倍数2000倍,整体放大倍数10000倍; b)2D最大检测尺寸:310mm ×310mm; c)3D最大检测尺寸:210mm ×100mm;最大样品厚度:100mm; d)采用数字平板探测器,灰度等级不低于16bit,像素尺寸不少于127um,像素不小于1000 x 1000 Pixel; u 应用范围 1.检测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板; 2.检测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况; 3.检测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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