希望帮到你,还有什么问题可以上大比特半导体论坛问我。
再看看别人怎么说的。
P型半导体。隧道级联多有源区半导体激光器工作机理,通常利用在PN结附近电子P型半导体,向N型半导体扩散,完成隧道结的半导体制作。因为电子可以依据隧道效应穿透金半接触,所以作为额外的半导体层,其与隧道结的材料不同。一般而言,隧道结两边的半导体材料应该是重掺杂。这样就可形成特定的能带结构,使得p型材料的价带与n型材料的导带能级水平接近。同时由于重掺杂,使得空间电荷区宽度变得很窄,从而形成了电子能量穿越的“隧道”。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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