获取报告请登录【未来智库】。
1.1 第三代半导体 SIC 材料的性能优势
SIC 材料具有明显的性能优势。 SiC 和 GaN 是第三代半导体材料，与第一 二代半导体材料相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等 性能优势，所以又叫宽禁带半导体材料，特别适用于 5G 射频器件和高电压功率 器件。
1.2 SIC 器件的性能优势
SIC 的功率器件如 SIC MOS，相比于 Si 基的 IGBT，其导通电阻可以做的更 低，体现在产品上面，就是尺寸降低，从而缩小体积，并且开关速度快，功耗相 比于传统功率器件要大大降低。
在电动车领域，电池重量大且价值量高，如果在 SIC 器件的使用中可以降低 功耗，减小体积，那么在电池的安排上就更游刃有余；同时在高压直流充电桩中 应用 SIC 会使得充电时间大大缩短，带来的巨大 社会 效益。
根据 Cree 提供的测算: 将纯电动车 BEV 逆变器中的功率组件改成 SIC 时, 大 概可以减少整车功耗 5%-10%；这样可以提升续航能力，或者减少动力电池成本。
1.3.制约产业发展的主要瓶颈在于成本和可靠性验证
行业发展的瓶颈目前在于 SIC 衬底成本高： 目前 SIC 的成本是 Si 的 4-5 倍， 预计未来 3-5 年价格会逐渐降为 Si 的 2 倍左右，SIC 行业的增速取决于 SIC 产业 链成熟的速度，目前成本较高，且 SIC 器件产品参数和质量还未经足够验证；
SIC MOS 的产品稳定性需要时间验证： 根据英飞凌 2020 年功率半导体应用 大会上专家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚 开始商用（Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模块），一些诸如短路耐受时 间等技术指标没有提供足够多的验证，SIC MOS 在车载和工控等领域验证自己的 稳定性和寿命等指标需要较长时间。
1.4 SIC 产业链三大环节
SIC 产业链分为三大环节：上游的 SIC 晶片和外延→中间的功率器件的制造 （包含经典的 IC 设计→制造→封装三个小环节）→下游工控、新能源车、光伏风 电等应用。目前上游的晶片基本被美国 CREE 和 II-VI 等美国厂商垄断；国内方 面，SiC 晶片商山东天岳和天科合达已经能供应 2 英寸~6 英寸的单晶衬底，且营 收都达到了一定的规模（今年均会超过 2 亿元 RMB）；SiC 外延片：厦门瀚天天 成与东莞天域可生产 2 英寸~6 英寸 SiC 外延片。
2.1 应用：新能源车充电桩和光伏等将率先采用
SiC 具有前述所说的各种优势，是高压/高功率/高频的功率器件相对理想的 材料, 所以 SiC 功率器件在新能源车、充电桩、新能源发电的光伏风电等这些对 效率、节能和损耗等指标比较看重的领域，具有明显的发展前景。
高频低压用 Si-IGBT,高频高压用 SiC MOS,电压功率不大但是高频则用 GaN。 当低频、高压的情况下用 Si 的 IGBT 是最好，如果稍稍高频但是电压不 是很高，功率不是很高的情况下，用 Si 的 MOSFET 是最好。如果既是高频又是 高压的情况下，用 SiC 的 MOSFET 最好。电压不需要很大，功率不需要很大， 但是频率需要很高，这种情况下用 GaN 效果最佳。
以新能源车中应用 SIC MOS 为例， 根据 Cree 提供的测算: 将纯电动车 BEV 逆变器中的功率组件改成 SIC 时, 大概可以减少整车功耗 5%-10%；这样可以提升 续航能力，或者减少动力电池成本。
同时 SIC MOS 在快充充电桩等领域也将大有可为。 快速充电桩是将外部交 流电,透过 IGBT 或者 SIC MOS 转变为直流电, 然后直接对新能源 汽车 电池进行 充电，对于损耗和其自身占用体积问题也很敏感，因此不考虑成本，SIC MOS 比 IGBT 更有前景和需求，由于目前 SIC 的成本目前是 Si 的 4-5 倍，因此会在 高功率规格的快速充电桩首先导入。在光伏领域，高效、高功率密度、高可靠 和低成本是光伏逆变器未来的发展趋势，因此基于性能更优异的 SIC 材料的光 伏逆变器也将是未来重要的应用趋势。
SIC 肖特基二极管的应用比传统的肖特基二极管同样有优势。 碳化硅肖特基 二极管相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），具有理想的反向恢复特性。在 器件从正向导通向反向阻断转换时，几乎没有反向恢复电流，反向恢复时间小 于 20ns，因此碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率，在相同频率下具有 更高的效率。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数，随 着温度的上升电阻也逐渐上升，这使得 SIC 肖特基二极管非常适合并联实用， 增加了系统的安全性和可靠性。
2.2 空间&增速：SIC 器 件 未来 5-10 年复合 40%增长
IHS 预计未来 5-10 年 SIC 器件复合增速 40%： 根据 IHSMarkit 数据，2018 年碳化硅功率器件市场规模约 3.9 亿美元，受新能源 汽车 庞大需求的驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升， 预计到 2027 年碳化硅功率器件的市场规模将超过 100 亿美元，18-27 年 9 年的复合增速接近 40%。
SIC MOS 器件的渗透率取决于其成本下降和产业链成熟的速度 ，根据英飞凌和国内相关公司调研和产业里的专家的判断来看，SIC MOS 渗透 IGBT 的拐点可能在 2024 年附近。预计 2025 年全球渗透率 25%，则全球有 30 亿美金 SIC MOS 器件市场，中国按照 20%渗透率 2025 年则有 12 亿美金的 SIC MOS 空间。 即不考虑SIC SBD 和其他 SIC 功率器件，仅测算替代 IGBT 那部分的 SIC MOS 市场预计2025 年全球 30 亿美金，相对 2019 年不到 4 亿美金有超过 7 倍成长，且 2025-2030 年增速延续。
2.3 格局：SIC 器件的竞争格局
目前，碳化硅器件市场还是以国外的传统功率龙头公司为主 ，2017 年全球市场份额占比前三的是科锐，罗姆和意法半导体，其中 CREE 从 SIC 上游材料切入到了 SIC 器件，相当于其拥有了从上游 SIC 片到下游 SIC 器件的产业链一体化能力。
国内的企业均处于初创期或者刚刚介入 SIC 领域 ，包括传统的功率器件厂商华润微、捷捷微电、扬杰 科技 ，从传统的硅基 MOSFET、晶闸管、二极管等切入 SIC 领域，IGBT 厂商斯达半导、比亚迪半导体等，但国内 当前的 SIC 器件营收规模都比较小 （扬杰 科技 最新披露 SIC 营收 2020 年上半年 19.28 万元左右）；
未上市公司和单位中做的较好的有前面产业链总结中提到的一些，包括：
泰科天润： 可以量产 SiC SBD，产品涵盖 600V/5A～50A、1200V/5A～50A 和1700V/10A 系列；并且早在 2015 年，泰科天润就宣布推出了一款高功率碳化硅肖特基二极管产品，是从事 SIC 器件的较纯正的公司；
中电科 55 所： 国内从 4-6 寸碳化硅外延生长、芯片设计与制造、模块封装实现全产业链的单位；
深圳基本半导体 ：成立于 2016 年，由清华大学、浙江大学、剑桥大学等国内外知名高校博士团队创立，专注于 SIC 功率器件，也是深圳第三代半导体研究院发起单位之一，目前已经开始推出其 1200V 的 SiC MOSFET 产品。
3.1 天科合达
天科合达是国内第三代半导体材料 SIC 晶片的领军企业： 公司成立于 2006 年 9 月 12 日，2017 年 4 月至 2019 年 8 月在全国股转系统挂牌转让，2020 年 7 月拟在科创板市场上市。
公司成长速度极快，2017-2019 年公司收入由 0.24 亿增长至 1.55 亿元，两年 复合增长率 154%。
营收构成：SIC 晶片占比约为一半
公司营收由三部分构成：碳化硅晶片占比 48.12%，宝石等其他碳化硅产品 占比 36.65%，碳化硅单晶生长炉占比 15.23%。
设备自制：从设备到 SIC 片一体化布局
公司以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长 碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片；其中的碳化硅晶体的生长设备-碳化硅单晶 生长炉公司也能完成自制并对外销售。
行业格局与公司地位
公司地位：2018 年，以导电型的 SIC 来看，天科合达以 1.7%的市场占有率 排名全球第六，排名国内导电型碳化硅晶片第一。
3.2 山东天岳
1、半绝缘 SIC 片的领军企业： 公司成立于 2010 年，专注于碳化硅晶体衬底 材料的生产；公司产品主要在半绝缘型的 SIC 片。公司投资建成了第三代半导 体材料产业化基地，具备研发、生产国际先进水平的半导体衬底材料的软硬件 条件，是我国第三代半导体衬底材料行业的先进企业。
2、成长能力： 据了解，公司收入从 2018 年收入 1.1 亿左右增加至 2019 年超 过 2.5 亿总收入（其中也有约一半是 SIC 衍生产品宝石等），同比增长 100%以 上。公司的 SIC 片主要集中在半绝缘型，而天科合达主要集中在导电型。
3、华为入股： 华为旗下的哈勃 科技 投资持股山东天岳 8.17%。
4、生产能力（ 公司采用的是长晶炉的数量进行表征）：山东天岳的产能主 要由长晶炉的数量决定，2019 年产线上长晶炉接近 250 台，销售衬底约 2.5 万 片，预计年底前再购置一批长晶炉，目标增加至 550 台以上；
5、销售价格： 2018 、2019 年公司衬底平均销售价格大数大约在 6300 元/ 片、8900 元/片，预计今年的平均价格将会突破 9000 元，价格变动的主要原因 是 2,3 寸小尺寸衬底、N 型等相对低价的衬底销售占比逐步降低，高值的 4 寸 高纯半绝缘产品占比逐步提升导致单位售价提高。
6、技术实力： 山东天岳的碳化硅技术起源于山东大学晶体国家重点实验 室，公司于 2011 年购买了该实验室蒋明华院士专利，并投入了大量研发，历经 多年工艺积累，将碳化硅衬底从实验室的技术发展成为了产业化技术；山东天 岳除 30 人的研发团队外，还在海外设有 6 个联合研发中心；公司拥有专利近300 项，其中先进发明专利约 50 多项，先进实用性专利约 220 项，申请中的 发明专利约 50 多项。
3.3 斯达 半导
1、斯达 半导 97.5%的收入均是 IGBT， 是功率半导体已上市公司中最纯正的 IGBT 标的，2019 收入 7.8 亿（yoy+15.4%），归母净利润 1.35（yoy+39.8%）， IGBT 模块全球市占率 2%，排名全球第八；
2、斯达半导在积极进行第三代半导体 SIC 的布局。 公司 SiC 相关的产品 和技术储备在紧锣密鼓的进行：
3、公司在未来重点攻关技术研发与开发计划：
主要提到三项重要产品开发：1、全系列 FS-Trench 型 IGBT 芯片的研 发；2、新一代 IGBT 芯片的研发；3、SiC、GaN 等前沿功率半导体产品的研 发、设计及规模化生产：公司将坚持 科技 创新，不断完善功率半导体产业布 局，在大力推广常规 IGBT 模块的同时，依靠自身的专业技术，积极布局宽禁 带半导体模块（SiC 模块、 GaN 模块），不断丰富自身产品种类，加强自身竞 争力，进一步巩固自身行业地位。
4、公司和宇通客车等客户合作研发 SIC 车用模块
2020 年 6 月 5 日，客车行业规模领先的宇通客车宣布，其新能源技术团队 正在采用斯达半导体和 CREE 合作开发的 1200V SiC 功率模块，开发业界领先 的高效率电机控制系统，各方共同推进 SiC 逆变器在新能源大巴领域的商业化应 用。
宇通方面表示，“斯达和 CREE 在 SiC 方面的努力和创新，与宇通电机控 制器高端化的产品发展路线不谋而合，同时也践行了宇通“为美好出行”的发 展理念，相信三方在 SiC 方面的合作一定会硕果累累。”
我们在之前发布的斯达半导深度报告中测算斯达在不同 SIC 渗透率和不同 SIC 市占率情境下 2025 年收入d性，中性预计 2025 年斯达在国内的 SIC 器件市 占率为 6-8%。 预计 2023-2024 年国内 SIC 产业链如山东天岳、三安光电等更加成 熟后，SIC 将迎来替代 IGBT 拐点，但是 IGBT 和 SIC MOS 等也将长期共存，相 信国内的技术领先优质的 IGBT 龙头斯达半导能够不断储备相关技术和产品， 积 极拥抱迎接这一行业创新。
3.4 三安光电
1、公司主要从事化合物半导体材料的研发与应用， 以砷化镓、氮化镓、碳 化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心 主业，产品主要应用于照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通 讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域；
2、公司主业 LED 芯片，占公司营收的 80%以上，LED 是基于化合物半导 体的光电器件，在衬底、外延和器件环节具有技术互通性；
3、公司专注于化合物半导体的子公司三安集成，2019 年业务与同期相比呈 现积极变化：
1）射频业务产品应用于 2G-5G 手机射频功放 WiFi、物联网、路由器、通 信基站射频信号功放、卫星通讯等市场应用，砷化镓射频出货客户累计超过 90 家，客户地区涵盖国内外；氮化镓射频产品重要客户已实现批量。生产，产能 正逐步爬坡；
2）2020 年 6 月 18 日公司公告，三安光电决定在长沙高新技术产业开发区 管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导 体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产 业链，投资总额 160 亿元，公司在用地各项手续和相关条件齐备后 24 个月内完成一期项目建设并实现投产，48 个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72 个月内实现达产；
3） 三安集成推出的高功率密度碳化硅功率二极管及 MOSFET 及硅基氮化 镓 功率器件主要应用于新能源 汽车 、充电桩、光伏逆变器等电源市场，客户累计超过 60 家， 27 种产品已进入批量量产阶段。
4） 三安集成 19 年实现销售收入 2.41 亿元，同比增长 40.67%； 三安集成产品的认可度和行业趋势已现，可以预见未来在第三代材料 SiC/GaN 的功率半导体中发展空间非常广阔。
3.5 华润微
1、公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业 ，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域；
2、产品与制造并行： 公司 2019 年收入 57 亿元，其中产品与方案占比43.8%，制造与服务占比 55%，制造与服务业务主要是晶圆制造和封测业务；产品与方案主体主要是功率半导体，占比 90%，包括 MOSFET、IGBT、SBD 和FRD 等产品；
3、公司目前拥有 6 英寸晶圆制造产能约为 247 万片/年，8 英寸晶圆制造产能约为 133 万片/年，具备为客户提供全方位的规模化制造服务能力；
4、SIC 领域积极布局：在 2020 年 7 月 4 日，公司进行了 SIC 产品的发布会，发布了全系列的 1200V/650V 的 SIC 二极管产品，公司有望通过 IDM 模式在 SIC 材料的各个功率半导体产品领域深耕并持续受益于产品升级和国产替代。
3.6 捷捷微电
1、公司是国内晶闸管龙头，持续布局 MOSFET 和 IGBT 等高端功率半导体器件。 按照公司年报口径，2019 年功率分立器件收入占比 75%，功率半导体芯片收入占比 23%； 公司的功率分立器件，50%左右业务是晶闸管 （用于电能变换与控制），还有部分二极管业务，其余是防护器件系列（主要作用是防浪涌冲击、防静电的电子产品内部，保护内部昂贵的电子电路）；
2、公司于 2020 年 2 月 27 日与中芯集成电路制造(绍兴)有限公司（简称“SMEC”）签订了《功率器件战略合作协议》，在 MOSFET、IGBT 等相关高端功率器件的研发和生产领域展开深度合作；公告披露，捷捷微电方保证把SMEC 作为战略合作伙伴，最大化的填充 SMEC 产能，2020 年度总投片不低于80000 片，月度投片不低于 7000 片/月。
3、公司长期深耕晶闸管和二极管等分立器件，这些客户和 MOSFET 和IGBT 等相关高端功率器件有重叠， 公司从晶闸管领域切入到 MOS 后，在这两个产品大类上也将积极应用第三代半导体 SIC，为后续提升自身器件性能和产品竞争力做好准备。
3.7 扬杰 科技
1、公司是产品线较广的功率分立器件公司 。公司产品主要包括功率二极管、整流桥、大功率模块、小信号二三极管，MOSFET，也有极少部分的 IGBT 产品。按照公司年报口径，2019 年功率分立器件收入占比 80%，功率半导体芯片收入占比 13.8%，半导体硅片业务占比 4.55%。
2、公司第三代半导体 SIC 器件 目前收入较少。公司积极布局高端功率半导体，筹备建立无锡研发中心，和中芯国际（绍兴）签订保障供货协议 ，持续扩充 8 寸 MOS 产品专项设计研发团队，已形成批量销售的 Trench MOSFET 和SGT MOS 系列产品。
3、SIC 产品目前占比小： 公司 2020 年 9 月公告，目前主营产品仍以硅基功率半导体产品为主， 第三代半导体产品的销售收入占比较小， 2020 年 1-6 月，公司碳化硅产品的销售收入为 19.28 万元。
4、我们认为同捷捷微电一样，公司是中低端功率器件利基市场龙头，虽然目前 SIC 产品的占比较小，主要是由于国内产业链成熟度的拐点刚刚到来；未来公司将积极布局各种基于 SIC 材料的功率器件，从而提高其产品性能并实现市场占有率持续稳步提升，打开业务天花板和想象空间。
3.8 露笑 科技
1、传统主业是 电磁线产品： 公司是专业的节能电机、电磁线、涡轮增压器、蓝宝长晶片研发、生产、销售于一体的企业，公司主要产品有各类铜、铝芯电磁线、超微细电磁线、小家电节能电机、无刷电机、数控电机、涡轮增压器和蓝宝石长晶设备等产品。 公司是国内主要电磁线产品供应商之一，也是国内最大的铝芯电磁线和超微细电磁线产品生产基地之一。
2、SIC 长晶设备已经开始对外供货： 露笑 科技 基于蓝宝石技术储备，经过多年研发已快速突破碳化硅工艺壁垒，在蓝宝石基础上布局碳化硅长晶炉和晶片生产。碳化硅跟蓝宝石从设备、工艺到衬底加工有较强的共同性和技术基础，例如精确的温场控制、精确的压力控制、精确的籽晶晶向生长以及基片加工等壁垒。 公司在多年蓝宝石生产技术支持下成功研发出碳化硅自主可控长晶设备，并在 2019 年开始对外供货 SIC 长晶设备。
4、公司布局 SIC 的人才优势： 公司引进具有二十多年碳化硅行业从业经验的技术团队，开展碳化硅衬底及外延技术研究，加码布局碳化硅产业。2020 年 4月，公司发布非公开募集资金公告，拟募集资金总额不超过 10 亿元，用于新建碳化硅衬底片产业化项目、碳化硅研发中心项目和偿还银行贷款。 随着公司碳化硅产品研发并量产，公司有望取得一定的市场份额。
5、与合肥合作打造第三代半导体 SIC 产业园： 2020 年 8 月 8 日与合肥市长丰县人民政府在合肥市政府签署《合肥市长丰县与露笑 科技 股份有限公司共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园的战略合作框架协议》。包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计 100 亿元。
……
（报告观点属于原作者，仅供参考。作者：华安证券，尹沿技）
如需完整报告请登录【未来智库】。
国家、地方政府、风投机构对芯片企业的补贴和投资，什么时间才能初见成效？
2022年开年伊始，半导体行业就迎来了巨头并购，NVIDIA以660亿美元收购ARM以失败告终，AMD以350亿美元收购了赛灵思（Xilinx），而英特尔则是以54亿美元收购Tower半导体。短期内世界半导体格局基本稳定，收购潮的结束，对中国的半导体行业带来了什么样的机遇和阻碍呢？
现在市场上用到的几乎所有产品，都会直接或间接地用到芯片以及传感器，中低端芯片都能找到国产的选择，即使不能完全替代国外进口，国内厂商生产的产品也有六七分功能，同质化比较严重。
拿 汽车 芯片来说，一般分为三大类，MCU、IGBT、模拟芯片，车规芯片，需要的是“可靠”“安全”，其中缺口最大的是MCU芯片，传统燃油 汽车 整车需要400-800颗芯片，而有自动驾驶、辅助驾驶能力的新能源 汽车 ，还会有ADAS辅助类芯片、MEMS芯片、毫米波雷达激光雷达等，整车芯片数量从1000-2000颗不等，传感器也有50-200颗
“现在能说自己解决芯片困境的半导体厂商， 100%是骗子 ，即使他已经生产出来了模型”——上海某芯片研究院副院长告诉笔者。（下简称陈工）
陈工对笔者说到，“目前国内半导体行业情况有点类似国内相机发展的早期，当时几乎每个省都在造相机，比如上海的海鸥牌相机、北京的蓝天牌相机、广东的珠江牌相机……百花齐放百家争鸣，漫长又短暂的30年过去，百花齐放的局面没有带来研发高端相机所必须的高折射和底色散晶片制造技术经验，对比同期国外市场相机产品，更是落后了一大截。
我父亲是从国外留学归来的，他告诉我，当时我们最先进的相机，还不如国外一些基础的民用相机。时至今日，当年的几十个相机品牌，现在也只有一两个还在生产技术要求不高的工业相机，完全退出了民用相机市场”。但我父亲仍然购买了海鸥相机，现在还放在我父亲的家里。
你看看你现在拿的相机，都是日本的。（笔者所使用的是佳能 EOS 5D Mark Ⅳ）
半导体行业也是一样，凭借热情和热钱，是不能解决问题的，只能让投机者和骗子的荷包满满，让外界对我们的看法充满怀疑。自汉芯事件以来，全国各地也有大大小小的芯片项目上马，接近二十年时间，市场形成了四个不同的位面，潜心研究派，后起之秀派、苟延残喘派、骗融资补贴派。
“内卷没有卷出成效”，美国有成熟的技术但本土缺乏完整的产业链，中国本土有完整的产业链但缺乏成熟的技术。
芯片的生产流程可以分为设计、制造和封测三大环节，很多企业其实只参与其中的某一个环节。比如像华为、高通、联发科等企业只参与设计环节，台积电、中芯国际等企业只参与制造环节，日月光、长电 科技 等企业只参与封测环节。
半导体产业链大致分为四大类：原材料、设计、制造、封装，中国是半导体重要原材料硅和镓的出口大国，属于产业链的最上游，但在整个产业链中，获取的利润仅不到8%，而最终经由中国出口材料生产出来的半导体产品，有接近三分之一被中国企业买了回去。这意味着中国既是低成本卖家，也是高成本买家。
随着国际局势的风云变幻，一些顶级半导体生产商，离开中国和亚洲，将会产业回流美国本土，随之带来的就是用工材料价格增长，届时所生产的产品售价也会增长，中国进口半导体产品的费用也会成水涨船高。
2014年工信部就正式公布《国家集成电路产业发展推进纲要》，该纲要的核心内容是：到2030年，半导体产业链的主要环节达到国际先进水平，一批中国企业进入国际第一梯队。不完全统计，2014年至今，国内约有1500亿美元给半导体行业，和美国520亿美元投资的《美国半导体生产激励法案》都通不过，卡在国会审议相比，我们国家支持半导体发展的决心，是更强烈的。
而人才方面我国IC领域的高端人才一方面是由政府官员构成，有一定的行业管理经验和战略高度，能够熟悉政策和市场；另一方面是由工程师组成，这类人才技术能力不差，但是缺乏商业 *** 盘的经验。但一家企业是否能走得长远，基本都取决于创始人的能力和素质。
但，投资人无数，骗子不够用了。
来受国际格局以及资本入场，外加国产替代化政策的影响，半导体行业全产业链的公司近几年如雨后春笋般出现，有的公司刚刚注册，甚至只有办公场地没有研发生产设备，仅凭着一份商业计划书就有投资机构找上门来要求投资，最多一天能见七八波投资人，并且都是数百万上千万乃至过亿量级。
他们不懂半导体，甚至不懂人。
泉州 科技 局某工作人员说：我们泉州市，包括整个福建，都想着产业升级，从制造业转向“智造”，外地公司我研究探访了不少，各种半导体企业剪彩也剪了不少。有些企业，真心实意也有能力研发芯片，但明珠蒙尘，他们没有被发现，没有拿到投资，哪怕一点点，他们也没有足够的生命力搬迁到我们这里来。
但我深刻体会到， 半导体公司不是开饭店的，半路出家的厨子都能做菜，还敢说自己是八大菜系。
我们洛江就有一家西人马，已经很多年了，补贴年年要，融资年年拿，税务减免他们也是第一，国外人才也时不时地引进，但就是没见过这家企业有正常经营的样子。领导也很头疼，但碍于某些原因，没有人敢对这家企业喊停。这家企业融资加补贴在一起也有几十个亿了，他们这种乱搞的模式是我工作二十年以来第一次见。刚开始的时候有些其他部门的领导听说有人要在我们这里搞半导体企业，那时风光无两，要地给地，要钱给钱，要人给人，成为了政绩，成为了面子工程。
聂泳忠这个人让我们很头疼。
“厨子做完的菜都有人觉得不合口味倒掉，可半导体企业做完的芯片传感器良品率不行也扔掉吗？”
看着政府投资就这么打了水漂，我除了心痛，只能深感无力，如今我们才是弱势群体，西人马创始人大不了一跑了之，回到家乡，或者跑去其他城市再骗一波钱，又可以卷土重来，而我们不行。
花蜜吸引蜜蜂，也引来了苍蝇
“融资的人越来越多，新面孔也越来越多，水分也越来越多”，比如武汉弘芯最初的几个攒局人全无半导体从业背景、甚至大多是大专学历。也有一些所谓“海归”，在外企从事芯片技术研发工作，镀了几年金，出道说将中国的芯片技术带领到国际领先水平，喊着要创办中国最大的IDM（芯片设计生产制造）公司，成为中国的苹果、谷歌、特斯拉。
而真正要改变现状的人，还在实验室废寝忘食，他们想赢，他们想突破国外的技术封锁，他们用最质朴的行动去呈现自己的力量，笔者有一次请一位从事国产EDA工具设计的朋友吃饭，他认真想了一下，我们多努力一些，下游就轻松一些，然后他顿了顿说：我们就像设计足球的，但是不想自己设计出来足球，被中国男足那样的滥竽充数的人踢。我们想做芯片，可有人在用心骗，这让我挺寒心的。“摩尔定律”可能失效，而“庞氏骗局”与日俱增。
2021年以来半导体整个行业从上游材料到终端产品，均不同幅度地上涨了5%~15%，车载半导体的短缺，Pc硬件的延期交付成为了世界性话题。这也导致了今年大把的芯片公司都面临业务调整、高管离职、大规模裁员、融资困难、股价持续下跌、流片失败、产品落地困难等问题。芯片经历了概念炒作、泡沫破灭、修正预期和改进问题。有人担忧芯片的未来，也有人坚定看好。
“xx将在某地投资x亿元兴建芯片产业园”
“打造中国最大的xx类型公司，赋能行业”
“芯片企业xxx的产品填补市场空白”
类似的话术，在网络一搜索，有上千万条，但若要加以深究，就会发现这些口号喊得震天响的企业，往往是即将暴雷的企业。据外媒报道，工信部此前发布的一项计划，未来五年计划至少投资1.4万亿美元用于人工智能开发、数据中心建设、移动通信和半导体项目。
科学从来不信任权威，从来都是去伪存真，技术和思想也是有时效性的，但有一点肯定的是，只有在半导体行业浸淫越久，经验才越丰富。美欧日韩中多国大力保障自身供应链安全的今天，先进制程代工江湖的划分，决定了谁能够在未来供应链中掌握主动权。同时，先进制程的研发和产线投入正越来越大，我们想要缩短甚至抹平差距。需要更多一超多强的人才，而不是想要标新立异的小丑。
请多给努力的人一些支持，也请多给骗子一些惩罚。
海思麒麟芯片成为了绝唱，但是任正非依然表态，华为不会放弃海思半导体部门。
地平线官宣征程系列芯片发售，给车企带来一丝曙光。
Figma对大疆公司禁用，不妨碍大疆使用国产EDA替代。
比亚迪车规芯片也有陆续的技术性突破，并批量出货。
……
中国还有那么多努力的人在破局
中国也有很多骗子即将露馅
南京德科码半导体 科技 ，2015年成立，投资200亿，号称要做中国第一家IDM企业，2020年破产，欠薪欠款欠税。
成都格芯半导体晶圆厂，2017年成立，投资近700亿，发誓要成为大陆的“台积电”，2020年停工，遣散所有员工。
陕西坤同柔性半导体，2018年成立，投资超400亿，要成为世界第一的柔性半导体厂商，2020年停工停薪停产。
武汉弘芯半导体，2017年成立，投资超1280亿，购买ASML光刻机，请来行业巨擘蒋尚义，光刻机和配套设备买来后，甚至都未曾调试，2021年就遣散所有员工，项目烂尾。
欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）