无锡基本半导体靠谱吗

公司简介

基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳、北京、上海、南京、无锡、日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。

基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试，其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。

基本半导体与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是广东省未来通信高端器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心，公司及产品荣获2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。

海力士半导体（无锡）有限公司联系电话号码为0510-85208888，联系传真为0510-85208298。该公司的具体地址位于江苏省无锡高新区综合保税区K7地块即无锡新区新达路32号（海力士意法路）。

该公司是由由韩国SK海力士株式会社于2005年4月在江苏省无锡市投资设立的半导体制造工厂。主要产品包括用于个人电脑、笔记本电脑的PC-DRAM、数据中心大容量服务器的服务器DRAM、用于手机等移动设备的移动DRAM等。

扩展资料：

海力士半导体（中国）有限公司在中国的发展历程：

1、2004年与无锡市签订合作协议。

2、2005年一期项目投资，厂房建设开工。

3、2006年开始8英寸和12英寸量产。

4、2007年二期项目投资。

5、2008年三期项目投资。

6、2010年4xnm DRAM量产。

7、2011年四期项目投资。

8、2012年公司更名为SK海力士半导体（中国）有限公司。

9、2013年五期项目投资。

10、2xnm DRAM量产。

11、2017年六期项目投资，C2F开工。

12、2018年设立无锡销售总部。

13、2019年C2F竣工仪式。

参考资料来源：SK海力士半导体（中国）有限公司-联络我们

参考资料来源：SK海力士半导体（中国）有限公司-公司历程