半导体二极管参数符号解释
CT---势垒电容
Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流 管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF(AV)---正向平均电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR(AV)---反向平均电流
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数;电容比
Q---优值(品质因素)
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT(AV)---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
代表二极管的正负极。二极管的正极为图形符号三角形。三角形旁边的竖线为二极管的负极。
半导体器件:导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。
1、电阻:代表符号:R
2、电容:代表符号:C
3、电感:L
4、IC:U
5、二极管:D
6、三极管:Q
7、开关:SW
8、铝电容:C铝
9、钽电容:C钽
电路图有两种,一种是说明模拟电子电路工作原理的。它用各种图形符号表示电阻器、电容器、开关、晶体管等实物,用线条把元器件和单元电路按工作原理的关系连接起来。这种图长期以来就一直被叫做电路图。
另一种是说明数字电子电路工作原理的。它用各种图形符号表示门、触发器和各种逻辑部件,用线条把它们按逻辑关系连接起来,它是用来说明各个逻辑单元之间的逻辑关系和整机的逻辑功能的。
为了和模拟电路的电路图区别开来,就把这种图叫做逻辑电路图,简称逻辑图。除了这两种图外,常用的还有方框图。它用一个框表示电路的一部分,它能简洁明了地说明电路各部分的关系和整机的工作原理。
扩展资料:
元件:工厂在加工时没改变原材料分子成分的产品可称为元件,元件属于不需要能源的器件。它包括:电阻、电容、电感。(又称为被动 元件Passive Components)
元件分为:
1、电路类元件:二极管,电阻器等等
2、连接类元件:连接器,插座,连接电缆,印刷电路板(PCB)
器件:工厂在生产加工时改变了原材料分子结构的产品称为器件
器件分为:
1、主动器件,它的主要特点是:(1)自身消耗电能(2)需要外界电源。
2、分立器件,分为(1)双极性晶体三极管(2)场效应晶体管(3)可控硅 (4)半导体电阻电容
电解电容损坏的特点
电解电容在电器设备中的用量很大,故障率很高。电解电容损坏有以下几种表现:
一是失去容量或容量变小;
二是轻微或严重漏电;
三是失去容量或容量变小兼有漏电。
查找损坏的电解电容方法有:
(1)看:有的电容损坏时会漏液,电容下面的电路板表面甚至电容外表都会有一层油渍,这种电容绝对不能再用;有的电容损坏后会鼓起,这种电容也不能继续使用;因此,在前期选择电容的时候,就应该把好质量关,尽量选择知名品牌的电容,如电容巨头——国巨电容。
(2)摸:开机后有些漏电严重的电解电容会发热,用手指触摸时甚至会烫手,这种电容更换;
(3)电解电容内部有电解液,长时间烘烤会使电解液变干,导致电容量减小,要重点检查散热片及大功率元器件附近的电容,离其越近,损坏的性就越大。
参考资料:百度百科——电子元器件
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