可以用金子做半导体吗？金子不是本征半导体，可以掺杂到半导体中，制成掺杂半导体。但工艺复杂，性能没有提高，成本又高。不会这样去做。目前制造半导体一般还是用第三到第六主族元素和第二副族的部分元素。（硼、铝、碳、硅、镓、锗、砷、硒、铟、锑、碲、镉

半导体二极管参数符号解释CT---势垒电容Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容CjoCjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装

都是二极管DI是一个隔离功能的二极管。 Dl是英之Diodes for Isolation的缩写。二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上

如下：DINEN61340-5-1静电-第5-1部分：保护电子元件免受静电现象影响-一般要求。DINEN61340-5-1增补1静电-第5-2部分：保护电子元件免受静电现象影响-用户手册。DINEN61340-5-3静电-第5-3部分

不同的半导体所承受的最高温度是不同的，如锗为85℃～100℃，而硅为150℃～200℃。虽然不同半导体都有不同的最高工作温度，但却不能让它们在高温条件下工作，这是因为半导体器件的性能会随温度的升高而下降。图30-3给出了一个大功率半导体三极

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挺好的。英飞凌科技股份公司推出600V和1200V高速)IGBT产品IGBT4系列。经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100kHz的应用需求。 新一代1200V

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三百八十度。根据查询半导体加热管消息显示，最高温度三百八十度。半导体加热管是一种电阻加热方式，它的内部搭载半导体陶瓷材料，利用半导体空穴原理，实现电子氧空位，它加热的温度最高能达到三百八十度。三百八十度以下是高阻质特征，电阻越大它发热功能越

大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上，电流在300A以上的开关器件，包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等，900V以上的mosfet也可称为大功率器件，但是要看相应的电流等级。这些器件基本上是以硅材料为

防静电地板还是能起到一定的作用，那具体是怎么防静电的呢？PChouse带大家一起了解下吧。防静电地板又叫做耗散静电地板，在制作成型过程中加入了导电材料，从而使得防静电地板介于导体和绝缘体之间的半导体材料，防静电地板底部通过铜箔铺成网格状来达

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1、检波二极管的代换检波二极管损坏后，若无同型号二极管更换时，也可以选用半导体材料相同，主要参数相近的二极管来代换。在业余条件下，也可用损坏了一个PN结的锗材料高频晶体管来代用。2．整流二极管的代换整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管

PcmP是功率有m就是极限功率c说的是集电极也就是集电极最大功率Pcm并不是一个三极管能带动的功率的大小而是在应用时管子自身集电极最大的功率大小但是一般都要留一些富裕甚至是几倍的富裕集电极最大允许耗散功率PCM,集电极电流IC和集电极电压U

代表二极管的正负极。二极管的正极为图形符号三角形。三角形旁边的竖线为二极管的负极。半导体器件：导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。半导体二极管参数符号解释CT---势垒电容Cj---结（极间）电

不同的半导体所承受的最高温度是不同的，如锗为85℃～100℃，而硅为150℃～200℃。虽然不同半导体都有不同的最高工作温度，但却不能让它们在高温条件下工作，这是因为半导体器件的性能会随温度的升高而下降。图30-3给出了一个大功率半导体三极

半导体二极管参数符号CT-势垒电容 Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv-偏压结电容 Co-零偏压电容 Cjo-零偏压结电容 CjoCjn-结电容变化 Cs-管壳电容或封装电容 Ct-总电容 C

代表二极管的正负极。二极管的正极为图形符号三角形。三角形旁边的竖线为二极管的负极。半导体器件：导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。半导体二极管参数符号解释CT---势垒电容Cj---结（极间）电