半导体硅片未扩散上及扩散不充分的可能原因有哪些

半导体硅片未扩散上及扩散不充分的可能原因有1.

硅片表面清洗不良，有残留的酸性水汽；

2.

纯水或化学试剂过滤孔径过大，使纯水或化学试剂中含有大量的悬浮小颗粒（肉眼观察不到）；

3.

预淀积气氛中含有水分；

4.

扩散N2中含有水分；

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思.

RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液：

（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O.用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除.

（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成.因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物.用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀.

（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透.由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的.在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜.

（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污.在室温下HPM就能除去Fe和Zn.

清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化.

半导体硅片是制造芯片的载体，因原材料为硅，又称为硅晶片。

1、半导体硅晶片是专业术语，，是通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZMethod）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭。

2、然而经过晶体定向、外圆滚磨、加工主、副参考面、切片、倒角、热处理、研磨、化学腐蚀、抛光、清洗、检测、装等工序形成的硅片。

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