MOS管为什么一般选择P型作为衬底而不是N型？

理论上，P衬底或N衬底都可以。实际上，自由电子的迁移率是空穴的三倍，因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话，通过电流能力要强得多。另外，从控制角度而言，NMOS可以用正电压开启，使用起来比较方便，而PMOS需要用到负电压，就不那么方便了。因此常见的功率型MOS管都是N型，PMOS有，比如IRF9540等，但种类比较少，价格也贵一些。

一些复杂结构的半导体,正常情况下不好长成单晶,那是由于其没有很好的附着点,也不能成核,不能凭白提供成核动力啊.更不用说长晶了.例如,冰雹的形成,有条件了,没有灰尘小颗粒不能凝结成核的,也不能形成冰雹. 雪花也类似.所以长晶需要衬底,需要相应的晶格匹配,需要成核点.需要衬底是必须的,但是关键是选择什么的衬底,那才是工艺重要环节之一.

LED灯衬底材料的选择主要取决于以下9个方面，衬底的选择要同时满足全部应该有的好特性。所以，目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工制程的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底。

如果我们来看LED衬底材料，好的材料应该有的特性如下：

1、结构特性好，晶圆材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。

2、接口特性好，有利于晶圆料成核且黏附性强。

3、化学稳定性好，在晶圆生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。

4、热学性能好，包括导热性好和热失配度小。

5、导电性好，能制成上下结构。

6、光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小。

7、机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等。

8、价格低廉。

9、大尺寸，一般要求直径不小于2英寸。

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