通过电化学方法怎么计算价带和导带位置

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测量禁带宽度

1：利用紫外见漫反射测量吸光度与波数据作图利用截线做吸收波阈值 λg(nm)利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度

2：利用 (Ahν)2 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值利用(Ahν)0.5 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值前者间接半导体禁带宽度值者直接半导体禁带宽度值 A (Absorbance) 即紫外见漫反射吸光度

3：利用 (αhν)2 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值利用(αhν)0.5 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值前者间接半导体禁带宽度值者直接半导体禁带宽度值 α (Absorption Coefficient ) 即紫外见漫反射吸收系数α 与 A 比

般两种：

1、紫外-见光谱测量材料吸收边带隙；

百度资料

2、电化（循环伏安）测定带隙、HOMO/LUMO能级；

Ref：Adv. Mater. 2011, 23, 2367–2371

吸收谱可以通过吸收边大致判断带宽，也可以建立ahv和hv为坐标的曲线，具体还要考虑是直接带隙半导体还是间接带隙半导体，有两个公式。发光谱？你是说photoluminescence吧？就看发光峰对应的能量啊，比如500nm的峰就对应1240/500=2.48ev的光子，如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光，如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光。

一般情况下，直接带隙半导体可直接吸收能量合适的光子。间接带隙半导体，因为电子跃迁时需要动量守恒，因此吸收光的时候需要吸收或发射声子辅助。这种情况下，间接带隙半导体对光的吸收取决于初始能级的电子密度，终止能级的电子密度以及可利用的声子数量。因此一般情况下间接带隙半导体对光的吸收系数小于直接带隙。吸收同样的光子数量需要更厚的厚度。

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