检测方法:
1、断路很好判断,就是没有充放电过程,不过对于小容量的电容,因为充放电不明显,最好拿电容档测一下。
2、如果是数字万用表,那就红表笔接电容的正极,如果是指针式万用表,那就是黑表笔接电容的正极,因为容量比较大,所以有个充电过程,这时电阻值会有一个逐渐增大的过程。在这个过程中,直到阻值稳定。耐压比较低,容量比较大的电解电容,稳定后有一个电阻值,这个阻值就可看作漏电值。
3、电容两端电阻接近于零,可视为短路。
4、没有电容档的万用表,或电容档量程不够时,是无法测量电容量的值的。可以用一只好的电容,测量时,看指针,或数值的最小值,来进行比较,确认电容的好坏。在测量时,注意电容要充分放电后进行测量。
拓展资料:
万用表又称为复用表、多用表、三用表、繁用表等,是电力电子等部门不可缺少的测量仪表,一般以测量电压、电流和电阻为主要目的。万用表按显示方式分为指针万用表和数字万用表。是一种多功能、多量程的测量仪表,一般万用表可测量直流电流、直流电压、交流电流、交流电压、电阻和音频电平等,有的还可以测交流电流、电容量、电感量及半导体的一些参数(如β)等。
万用表的基本原理是利用一只灵敏的磁电式直流电流表(微安表)做表头。
当微小电流通过表头,就会有电流指示。但表头不能通过大电流,所以,必须在表头上并联与串联一些电阻进行分流或降压,从而测出电路中的电流、电压和电阻。
参考链接:百度百科—万用表
通过对PN结的C-V测试可以得到PN结的掺杂浓度,通过相关报道的电阻率和掺杂浓度的关系可以计算电阻。要注意的是测试的结构中必须有带电容的结构,比如PN结比如肖特基结比如MOS电容,否则直接测一块掺杂的半导体是无法得到电容的。P-N 结电容包括势垒电容和扩散电容两部分:C=CT+CD
当结两端的外加电时为负(即n 区为正,p 区接负)时,由于P 区、n 区的少数载流子
很少,负电压的变化并不引起p 区、n 区中电荷有多大的变化,所以扩散电容很小,相对势
垒电容来讲,扩算电容可以忽略。即:
C=CT+CD≈CT
所以,在外加负偏压的条件下测得的P-n 结电容认为是P-n 结势垒电容。
势垒电容CT 与势垒区厚度δ 的关系同平行板电容器一样:
(1)
式中ε是硅的相对介电常数ε=12;ε0 是真空介电常数ε0=8.85×10-2 微微法/厘米;A 是P-n
结的结面积,用cm2 作单位;δ是势垒厚度,用cm2 作单位。
P-n 结势垒区的厚度δ是随外加电压的变化而变化的,它的变化规律与P-n 结两边的杂
质浓度的大小及杂质的分布状况有关。
Ge:ε=16
Q=1.6×10-19 库仑
对于突变结,在经过相关简化计算后有电容公式如下:
(2)
这样就可以通过垃替代法来量测电容,其线路图如下图所示。
图中“Ug”为标准高频信号发生器;⊙为视频毫伏表;C 为可变电容;Cx 为待测的P-n结。
测量前首先把可变电容器旋到最大值(此值用C’表示),然后调节讯号频率,使LC 回路
谐振,即“视频毫伏表”指示最大。当接上待测P-n 结电容Cx 时,由于Cx 与可变电容C
并联,因此使谐振回路失去谐振状态,减小可变电容C 到某一值(此值用C’’表示)会师谐
振回路重新谐振。显然,C’-C’’=Cx,其中C’为C 调到最大值时的电容值。
这里需要指出:
1、量时需要满足小讯号条件,由于P-n 结电容与外加电压的关系不是线性的,所以要测量
某一偏压V 下的结电容就应该在这一偏压下加一足够的交流电压。实验中我们家的交流
电压为几mV 到十几mV。
2、扣除分布电容 Cs
我们用上述方法测到的Cx 实际上包括了两部分,一部分是P-n 结电容,另一部分是分
布电容Cs。在测得Cx 后,必须扣除分布电容Cs 才是真正的P-n 结电容。为扣除Cs,取一
个与待测管同一类型的管壳,测量它的电容就是分布电容Cs,于是P-n 结电容CT 为:
CT=Cx-Cs
希望可以帮到你呵
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