真空镀膜的前处理流程是怎样的，谢谢

ABS、PC、ABS+PC塑料底材UV真空镀膜表面出现油点、油窝问题的解决方法：

UV真空镀膜为什么要除油？

1.塑料注塑成型使用脱模剂等导致塑料表面沾有油污，是电镀不良缺陷主要的原因。在塑料表面电镀罩UV光油的表面处理工艺中，塑料注塑成型工艺中脱模剂残留在塑料表面导致电镀不良是较为常见的.

2.脱模剂能够对塑料模具成型的塑料提供快捷有效的脱模作用，而残留在塑料制品表面的脱模剂油污，会在材质表面形成分布不均匀的油花或者油点。

静川化工UV真空镀膜处理剂的应用：

白电油浸泡除油方法，安全性能成为较大的隐患，除油效果不稳定，施工工艺繁琐，造成影响电镀效果的因素增多，没有足够的市场经验和实验基础，且无法达到环保标准需求。但是静川化工UV真空镀膜处理剂则只需喷涂的电镀除油剂， *** 作工艺简单，能够配合线体进行施工，遮盖油污能力强，无卤通过RoHS检测，已通过大量的市场应用证明，除油效果稳定，效率高，无卤环保，提升良率幅度大。

镀膜是半导体及光学工业中最为重要的工艺之一.这里会总体归纳各类镀膜/薄膜工艺,从原理上了解这些工艺的异同.

简介

镀膜指在基材上形成从数纳米到数微米的材料层,材料可以是金属材料、半导体材料、以及氧化物氟化物等化合物材料.镀膜的工艺可以最简略的分为化学工艺及物理工艺:

化学方法

通常是液态或者气态的前体材料经过在固体表面的化学反应,沉积一层固体材料层.以下常见的镀膜工艺都是属于化学工艺:

电镀(Electroplating):利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程,是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺图片化学溶液沉积 Chemical solution deposition (CSD):是利用一种合适的还原剂使镀液中的金属离子还原并沉积在基体表面上的化学还原过程.与电化学沉积不同,化学沉积不需要整流电源和阳极.Sol-Gel技术就是一种化学溶液沉积方法.

旋转涂覆法 Spin-coating:即在高速旋转的基片上,滴注各类胶液,利用离心力使滴在基片上的胶液均匀地涂覆在基片上,厚度视不同胶液和基片间的粘滞系数而不同,也和旋转速度及时间有关.通常也需要涂胶后的热处理来使胶状涂膜晶体化.对于高分子聚合物Polymer的薄膜涂覆比较有效,广泛应用于半导体的光感掩膜涂覆.

化学气相沉积 Chemical vapor deposition(CVD):把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室,借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术.

等离子增强化学气相沉积 Plasma enhanced Chemical vapor deposition (PECVD):是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜.因为利用了等离子的活性来促进化学反应,PECVD可以在较低的温度下实现.

封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户

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