半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED灯发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。
体效应二极管又称耿氏(Gunn)二极管或转移电子器件(TED),它可以实现微波信号的产生和放大,体效应二极管与普通器件的比较:
1、普通器件是以结或栅为其工作基础的;而体效应二极管为体器件,不存在结或栅;
2、大多数晶体管是由单一半导体元素制成的,如硅。而体效应器件是用化合物半导体材料生产,如砷化镓(GaAs)、磷化铟、(InP)、或碲化镉(CdTe)制成的;
3、晶体管是以能量比半导体中电子热激发能量(室温下0.026eV)大不了多少的“温热”电子工作,而体效应器件是以能量比热激发能大的多的“热”电子工作的。
体效应二极管是在1963年由IBM公司的J.B.Gunn发明的。1967年用外延法制作成实用的耿氏(Gunn)二极管。1969年采用倒装结构改善散热。此后体效应管的研制和生产发展迅速,成为一种成熟的微波半导体功率器件,成功取代了小功率反射速调管,在4-60
GHz的频率范围内,广泛用于本机振荡器、讯号源、泵源及小功率发射源。
体效应二极管的结构是简单的:将一块n型GaAs外延片,两面作上欧姆接触,装入管壳内,并焊上引线即可。把这样一个体效应二极管安装在谐振腔内,管子两端加上子流电压,这时体效应管就能将输入的直流能量转变为微波能量输出。
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